Мелкие вопросы по теории

[Соник]

А от статики диоды всегда ставят?

[YAA]

А от статики диоды всегда ставят?

Нет. Там нужен не просто диод, а что-то типа стабилитрона (пробой не должен его выжигать) - супрессор, например.
В дискретных транзисторах такая защита ставится довольно редко (защита затвора), чаще такая защита встречается в микросхемах. Нужно смотреть даташит на конкретный прибор.

[FreshMan]

Выпускаются транзисторы, у которых подложка выведена на отдельный вывод

А зачем эту подложку вообще выводить то.....????
Допустим у нас есть полевик с индуцированным каналом и подложкой р-типа....., мы подаем на затвор + и электроны из глубины подложки перемещаются к затвору образуя канал проводимости.....и все..... путь для тока создан.....
Зачем еще подложку то выводить....??? Смысл.....????

При соединении подложки и истока

Почему подложку именно с истоком соединяют а не со стоком.....????

[rustot]

Выпускаются транзисторы, у которых подложка выведена на отдельный вывод

А зачем эту подложку вообще выводить то.....????
Допустим у нас есть полевик с индуцированным каналом и подложкой р-типа....., мы подаем на затвор + и электроны из глубины подложки перемещаются к затвору образуя канал проводимости.....и все..... путь для тока создан.....

между чем и чем создавать поле, перемещающее заряды? один потенциал подан на изолированный затвор, а второй потенциал? второй конструктивно подложка соединенная со стоком, но между ним и затвором получается висящий в воздухе слой обратной проводимости, образуя паразитный транзистор. канал сток-исток это два включенных встречно диода, образующих транзистор с висящей в воздухе базой.



Body diodeIt can be seen in figure 1 that the source metallization connects both the N+ and P implantations, although the operating principle of the MOSFET only requires the source to be connected to the N+ zone. However, if it were, this would result in a floating P zone between the N-doped source and drain, which is equivalent to a NPN transistor with a non-connected base. Under certain conditions (under high drain current, when the on-state drain to source voltage is in the order of some volts), this parasitic NPN transistor would be triggered, making the MOSFET uncontrollable. The connection of the P implantation to the source metallization shorts the base of the parasitic transistor to its emitter (the source of the MOSFET) and thus prevents spurious latching.

This solution, however, creates a diode between the drain (cathode) and the source (anode) of the MOSFET, making it able to block current in only one direction.

[FreshMan]

канал сток-исток это два включенных встречно диода, образующих транзистор с висящей в воздухе базой.

Роль базы играет подложка....???

[КРАМ]

Выпускаются транзисторы, у которых подложка выведена на отдельный вывод

А зачем эту подложку вообще выводить то.....????
Допустим у нас есть полевик с индуцированным каналом и подложкой р-типа....., мы подаем на затвор + и электроны из глубины подложки перемещаются к затвору образуя канал проводимости.....и все..... путь для тока создан.....
Зачем еще подложку то выводить....??? Смысл.....????

При соединении подложки и истока

Почему подложку именно с истоком соединяют а не со стоком.....????

Подложка - это как раз drain - сток. Именно с ним соединяют подложку потому как управление происходит напряжением (полем) между истоком и затвором. И малый зазор между ними - это высокая напряженность поля при фиксированном напряжении и, как следствие, высокая крутизна прибора.
Вертикальная структура позволила повысить рабочие напряжения канала до сотен вольт и получить низкие плотности тока при значительных (сотня ампер и более) токах стока. В горизонтальных каналах этого невозможно достичь.
Следующий шаг - V-образная структура с еще большей эффективностью управления...

[FreshMan]

Подложка - это как раз drain - сток.

Ой...... что-то путаешь ты меня и внутреннюю структуру ты показал какую то странную.....
Вот как русские это изображают....

[КРАМ]

Это горизонтальная структура, а Вам показали современный МОСФЕТ с ВЕРТИКАЛЬНОЙ.
Не мешайте все в кучу.
Можно про "русских" поподробнее? Это Вы про себя?

[FreshMan]

Это горизонтальная структура, а Вам показали современный МОСФЕТ с ВЕРТИКАЛЬНОЙ.Не мешайте все в кучу.

Опа....., а о таком я сном и духом не ведал......
Порекомендуйте где можна о них почитать или книгу....???

Можно про "русских" поподробнее? Это Вы про себя?

Это я имел частое обозначение....

[rustot]

Подложка - это как раз drain - сток.

Ой...... что-то путаешь ты меня и внутреннюю структуру ты показал какую то странную.....
Вот как русские это изображают....

а такой на схеме тоже с диодом обозначается?

[КРАМ]

Порекомендуйте где можна о них почитать или книгу....???

Для начала почитайте это:
http://www.kit-e.ru/articles/powerel/2007_4_100.php

[nik-as]

Все в ней учитывается. Это та же формула, что и выше приводили, только выше подразумевает провод любого сечения, а эта - та же формула, только для провода круглого сечения. Выводится исходя из допустимой плотности тока.

Эта формула для трансформаторов около 100 Вт, с допустимой плотностью тока 2.5 А/мм^2.
Тогда как для трансформаторов 10 Вт допустимая плотность тока 4.8 A/мм^2, а для 1000 Вт - 1.2 А/мм^2.
И как при таком разбеге в этой формуле всё учитывается?

А если уж говорить о точности, то тогда нужно еще вид изоляции провода учитывать.

Вообще то расчёт провода ведётся по меди а не по изоляции.
А диаметр с изоляцией применяется только при расчёте коэффициента заполнения окна.

Провод ПЭТВ можно брать меньшего диаметра.

Для того чтобы брать провод меньшего диаметра, нужно считать трансформатор на перегрев,
а так как расчёты прикидочные, то лучше этого не делать.

Что толку ему тут насчитали провод 3,1 мм?

диаметр 3.1мм.

Теперь он замучается искать эти десятые доли. Т. е. его по сути запутали вместо того, что бы прямо сказать, что формулы приблизительные и искать с такой точностью провод не нужно..

Ну если бы ты взял справочник по проводам, то обнаружил бы, что "круглых" диаметров почти нет
зато довольно много проводов не то что с точностью до десятых а даже до тысячных долей миллиметра.
Действительно, найти провод диаметром более 2.5 мм затруднительно, как и мотать его,
для этого и советовали товарищу мотать "косой".

[YAA]

Подложка - это как раз drain - сток. Именно с ним соединяют подложку потому как управление происходит напряжением (полем) между истоком и затвором. ....

Вот-те раз!... Как же так?

Сами же давали ссылку, где прямо по-русски нарисовано "исток подложка" (рис.2 подложка - это красная область "Р").
Да и в структуре, которую привёл rustot прямо написано:

The connection (соединение) of the P implantation (подложка) to the source (исток) metallization shorts (замыкает) the base of the parasitic transistor to its emitter (the source of the MOSFET) and thus prevents spurious latching.

И в обозначении транзистора: маленькая стрелочка в центре обозначает подложку. Направление стрелочки указывает проводимость подложки (как у диода) - в данном случае подложка является анодом по отношению к каналу (стрелка "смотрит" в сторону канала), то есть канал имеет N проводимость (N-канальный транзистор), а подложка P проводимость. И эта стрелочка в явном виде соединена с истоком (исток рисуется напротив затвора).

[rustot]

загадка. берем два одинаковых обычных двухполюсных конденсатора. один заряженный до скольки то вольт, другой разряженный. прикасаемся по очереди то одной то другой ножкой заряженого конденсатор к одной и той же ножке разряженного. что будет происходить с их зарядами? а если прикасать к разным ножкам?

[FreshMan]

Блин......, я уже вообще запутался....
Значит диод между истоком и стоком вс-таки получается при выпечке транзюка самовольно или преднамеренно.....???

[Света]

Почитайте Евгения Анатольевича, со страницы 90...
https://sunduk.radiokot.ru/loadfile/?load_id=1286853274

[rustot]

Блин......, я уже вообще запутался....
Значит диод между истоком и стоком вс-таки получается при выпечке транзюка самовольно или преднамеренно.....???

конструктивно, так вышло. можно вывести подложку отдельным контактом и подавать управляющий сигнал между ней и затвором, делая дополнительное смещение относительно стока и истока чтоб не отперлись переходы. тогда транзистор стал бы симметричным, пользователь сам бы решал замыкать его на исток или нет, но видимо такому варианту есть какие-то конструктивные противопоказания.

[FreshMan]

Тогда окончательно......, как именно применяют этот диод, в каких случаях...???

[rustot]

в основном имеют в виду что он есть и стараются не открывать

реальное применение как диода я видел только раз, в активном мосту генератора на постоянных магнитах. там идея в том что когда генератор выдает избыток энергии, единственная возможность корректно от нее избавиться - это закоротить его на время. обычно симистор на закорачивание ставят, дальше мост и схема. в итоге то на симисторе 1.5-2 вольта падает то на мосту, с соответствующим нагревом

вот там и поменяли это на мост, собранный из мосфетов, с их body diode. а когда надо закоротить генератор то открывают сразу два нижних, которые на земле, так что генератор через них закорочен, а выходная схема нет. а потом еще схемку доработали и с небольшой задержкой в нужных полупериодах открывали те мосфеты у которых и так уже диоды открыты, в помощь им

это по-моему мой первый пост здесь был, когда я выяснял корректно ли так делать

[еницар ларок]

люди как можно по проще узнать транзистор т.е. p-n-p n-p-n биполярники и т. п.