итак , покопался в прошивке и внёс существенные изменения , позволяющие добиться значительно большей точности измерений. хотя при этом прошивка пока в статусе прототипа (буду ещё менять алгоритм измерения угла сдвига фаз). у кого есть желание протестировать - прошу это сделать.
касательно изменений. для данной прошивки ничего подстраивать уже не надо. необходим лишь мультиметр, которому Вы доверяете , и ponyprog (либо другая утилита для прошивания МК , в которой есть возможность изменять содержимое EEPROM).
смотрим на скрин :
действия , которые необх. выполнить:
1) подать питание на низковольтную часть схемы. измерить относительно минуса схемы напряжение на 21 ноге МК (PDIP корпус) или 20 ноге (TQFP корпус) с максимальной точностью, т.е. мультиком в режиме "200 DCV " мерить не стоит.
2) измерить с максимальной точностью сопротивления резисторов R1, R2 и R6( R6 - если мультиметр позволяет измерять столь малые сопротивления. в противном случае лучше не стоит мерять).
3)подсоединить прогер , открыть прошивку в ponyprog2000, считать прежние установки фьюзов (чтобы в случае чего опять их не вводить или случайно не прошить другие)
4)открываем виндовый калькулятор в инженерном режиме, вводим ранее записанные значения сопротивлений и напряжения ИОН , умножаем значения на:
R1 (кОм) - 10
R2 (кОм) - 100
R6 (Ом) - 1000
Uion (В) - 100
и переводим тут же их в 16-тиричный формат.
пример : R1=715.4кОм - > 7154 -> 0x1BF2 ; Uion=2,45В -> 245 -> 0x00F5 (0x - обозначение 16-ричного формата , перед числом добавил два нуля, т.к. калькулятор выдаёт только F5)
5) разделяем шестнадцатиричное число на две части. первая часть - старший байт , вторая - младший. пример : 0x1BF2 -> 1B -старший F2 - младший
6)идём в меню "edit" и там ставим галку на "edit buffer enabled"
7) открываем прошивку и пролистываем вниз до 2000 адреса (ячейки выделены будут синим , а не зелёным). это область EEPROM памяти (энергонезависимой электрически перегрограммируемой).
записываем в ячейки по порядку преобразованные шестнадцатиричные значения:
11-12 -- R1
21-22 -- R2
31-32 -- R6
41-42 -- Uion . Сначала пишется старший байт , затем младший. пример : в 11 пишем 1B , в 12 пишем F2 и т.д.
9) если калькулятор выдаёт только два знака числа вместо 4-ёх , то впереди ставим два нуля. так же и записываем в ячейки.
10) если хочется оставить номинал по умолчанию (который на схеме стоит, кроме R6 - 0.34 Ом - два параллельно по 0.68 Ом) , то в ячейку ничего не записываем (если не трогали), либо пишем FF , как и было вначале.
значения, принимаемые по умолчанию :
R1 - 720k
R2 - 5k1
R6 - 0.34 Ohm
Uion - 2.56В
11)шьём мегу моей прошивкой и своим изменённым EEPROM (данные можно сохранить как файл прошивки EEPROM)
внутренний ИОН неточный и нестабильный , посему рекомендую обязательно измерить на нём напряжение и загнать значение в EEPROM. ещё лучше если поставить внешний на tl431. схема включения и прошивка будут позже (не ранее чем завтра).
буду рад услышать отзывы по работе.
есть вопросы ? чего-то не знаешь ? [url=http://s61.radikal.ru/i174/1006/79/bc6a635c1451.jpg][color=blue][b]прежде всего смотри это[/b][/color][/url]
?
, я слижу за темой и мне очень интересно как идут ети все измерения и хочу научиться как делать измерения на МК, что такое и как измерить угол сдвига фаз. 
.
