Сэр Мурр писал(а):Ну вот именно эту тему. С картинками. А вообще-то на главной странице указана сссылка на правила оформления материалов для публикации. Похвастаюсь- материалы нашего сайта не копируют уже опубликованные ранее, а пишутся специально для КОТа, и после этого уже расползаются по другим сайтам. Так что есть шанс заявить о себе с пользой для дела!
Хорошо, я подумаю. Если подходить - то капитально. Начинать с физики полупроводников, потом рассказывать про одиночный p-n - переход, заканчивать транзисторами. Порциями можно осилить целый раздел физики полупроводниковых приборов! Я Вам чуть позже сообщу о своем решении, просто времени не так много.
aen писал(а):Nikita писал(а):Понимание физики процессов приблизит автора
Это было только моё личное мнение, а теперь, когда тему переименовали я вообще молчу.
Ладно Вам, держите вот кусочек осетринки с валерьянкой - Сэр Мурр угощает:)!
aen писал(а):
Но вот например про каскад с общей базой. Про него мы знаем, что он обладает низким входным сопротивление.
Так и есть. Попробую в кратце объяснить основы - может кому интересно почитать будет.
Рассмотрим транзистор вообще, без конкретной привязки к схеме включения. На примере p-n-p структуры. Активный режим: ЭП - в прямомом, КП - в обратном направлениях смещены.
Изменяя напряжение на эмиттерном переходе, мы управляем высотой энергетического барьера. Чем больше мы приложим напряжения - тем больший потечет ток через ЭП, причем в экспоненциальной зависимости(на то есть свои причины, см. распределение Ферми-Дирака). Основная часть носителей заряда - дырок, в нашем случае, пройдет тоненькую базу не рекомбинировав и будет экстрагированна(высосана под действием поля) из базы полем обратно смещенного коллектора. Например, из ста дырок, которые вышли из эмиттера, девяносто пять дошли до коллектора, остальные рекомбинировали в базе с электронами и создали ток базы(строго говоря, ток базы состоит из нескольких состовляющих. Это ток, созданный неосновными носителями зарядов база-эмиттер и база-коллектор, плюс(здесь и везде - алгебраическая сумма, т.е. с учетом знаков) ток, который создан электронной состовляющей тока эмиттер-база). Теперь представим, что схема у нас с общей базой. Тогда, входной ток - ток эмиттера. Это большой ток, который резко меняется при изменении входного напряжения(прямая ветвь ВАХ диода). Соответственно, малым приращениям входного напряжения соответствует большое изменение входного тока - маленькое сопротивление(сопротивление дифференциальное, т.е. переменному току. Параметр H11). А теперь посмотрим на каскад с общим эмиттером. Здесь входной ток - ток базы! А ведь он создан всего лишь теми пятью дырками, которые не дошли до коллектора и рекомбенировали в базе. Т.е. при изменении напряжения на ЭП ток базы меняется значительно на меньшую велечину, чем меняется сам ток эмиттера. Большим приращениям напряжения на ЭП соответствует малое изменение тока базы - высокое входное сопротивление.
aen писал(а):
Его выходное сопротивление выше чем у каскада с ОЭ при условии, что сопротивление генератора намного выше входного сопротивления каскада с ОБ.
Если сопротивление генератора маленькое, то выходное сопротивление каскада с ОБ не отличается от выходного сопротивления каскада с ОЭ.
Здесь я не совсем понял, что Вы имели ввиду. Прошу прощения.
Любой усилитель управляется током - если сопротивление генератора на порядки больше входного сопротивления усилителя(в нашем случае - транзистора). И управляется напряжением, если наоборот - входное сопротивление на порядки больше сопротивления генератора. Может я чегой-то не допонимаю на ночь глядя - прошу объяснить. Какая разница чем перемещать рабочую точку на входных характеристиках транзистора в схеме с общей базой?
С утра еще подумаю над этим вопросом.
aen писал(а):
Моё личное мнение это то, что нужно всем знать и как это объяснить с помощью дырок-электронов?
Знаете, сейчас все идет к тому, что бы сделать первым разделом физики - квантовую. Так как именно из неё вытекают классические для нас законы механики, термодинамики.. Любой эффект можно обосновать на уровне атомов, вопрос в другом - нужно-ли? Я согласен, можно и не знать всех этих премудростей сроения атомов, перемещения носителей заряда, распределений фермионов. Но если человеку интересно узнать - почему бы и нет?
aen писал(а):
...
А может я в чём то и не прав.
В чем у Вас сомнения?
