Для того, чтобы биполярный транзистор открылся нужно к его переходу БЭ приложить открывающее напряжение, равное для кремниевых транзисторов 0.4...0.6 В. Проволока выкорачивает этот переход, напряжение БЭ равно нулю и транзистор закрыт. При обрыве проволоки ток, создаваемый резистором R1 откроет транзистор и подключит нагрузку.
А вообще, для подобного есть соответствующий раздел - обучалка.
«Еще я хотел бы, чтобы наши ученые изобрели какой-то новый источник энергии, чтобы мы на коленях не ползали даже перед нашими братьями, умоляя их и выпрашивая тонну нефти или кубометр газа», — рассказал белорусский президент.
dr.doc писал(а):Для того, чтобы биполярный транзистор открылся нужно к его переходу БЭ приложить открывающее напряжение, равное для кремниевых транзисторов 0.4...0.6 В. Проволока выкорачивает этот переход, напряжение БЭ равно нулю и транзистор закрыт. При обрыве проволоки ток, создаваемый резистором R1 откроет транзистор и подключит нагрузку.
А вообще, для подобного есть соответствующий раздел - обучалка.
Спасибо! в Обучалку обязательно загляну. Про то что для открытие эмитер-коллекторного перехода нужно открывающее напряжение это понятно. Но извините, один хрен непонятно что такое "выкорачивает этот переход"? от длины параллельно подключенной проволоки после резистора зависит напряжение на базе ? но здесь ведь нет делителей и пр.
«Еще я хотел бы, чтобы наши ученые изобрели какой-то новый источник энергии, чтобы мы на коленях не ползали даже перед нашими братьями, умоляя их и выпрашивая тонну нефти или кубометр газа», — рассказал белорусский президент.
непонятно что такое "выкорачивает этот переход"? от длины параллельно подключенной проволоки после резистора зависит напряжение на базе ? но здесь ведь нет делителей и пр.
Сопротивление контура охраны мало. Поэтому Uб-э близко к 0. Это понятно.
Если контур охраны оборвать, то ток потечет по цепи +Uбат, R1, переход база-эмиттер транзистора. Этот ток на р-n переходе создаст падение напряжения 0,7В. Транзистор откроется.
В коллекторной цепи через нагрузку потечет ток, величина которого может достигать величины, равной току через базу, умноженную на коэффициент усиления транзистора по току (h21).