[uquote="HochReiter",url="/forum/viewtopic.php?p=3945735#p3945735"]Как оно влияет? Входное сопротивление схемы с общей базой от него зависит слабо.[/uquote]
Оно меняет нагрузку в коллекторе нижнего транзистора в сторону увеличения.
[uquote="HochReiter",url="/forum/viewtopic.php?p=3945735#p3945735"]Я сейчас нарисовал в LTC твою схему каскода c другими, наугад взятыми напряжениями, токами и транзисторами NPN - усиление единица. Что я не так делал?[/uquote]
Тут подвох в том, что нужно брать не наугад. Обратите внимание, насколько большое сопротивление стоит в нагрузке верхнего транзистора (300 кОм!).
Для иллюстрации рисую эквивалентную малосигнальную схему типа T:
и составляю соответствующую ей модель:
Спойлер
Код: Выделить всё
# https://lumped.network
R_L 1 0
F_H 1 2 V_A beta
V_A 0 2 0
r_e 2 3
r_0 1 3
F_L 3 4 V_i beta
r_e 4 0
V_i 0 4
T V_i
Для упрощения считаю, что внутренние сопротивления эмиттеров re равны (в силу практически одинакового тока, протекающего через тразисторы), беты тоже равны (беру одинаковые транзисторы), а выходное сопротивление нижнего транзистора не учитываю (так как он нагружен на сопротивления существенно меньшие чем r0). Иначе получаются совершенно непроходимые выражения.
Решаю, сокращаю малозначимые величины и получаю, что напряжение на коллекторе нижнего транзистора равно v3=Vi*(1+RL/r0), а общее усиление равно v1=Vi*RL/re, как и должно быть. Входное сопротивление нижнего транзистора ZVi=re*(1+beta) не зависит от RL и r0.
Признаю свою ошибку. Действительно, нижний транзистор может усиливать напряжение, но при условиях, на мой взгляд, достаточно экзотических. Оправдано ли ставить такую большую нагрузку RL? Ведь выигрыша в усилении всё равно не получается. Насколько нижний транзистор усиливает напряжение, ровно на столько же верхний транзистор теряет усиление из-за ответвления своего тока через r0. И при этом ещё и емкость Миллера начинает ограничивать полосу. Непонятно.
