ibiza11 писал(а):Где "Изображение", земляк?:)
2N5401 - в открытом состоянии падение напряжения на переходе э-к транзистора при токе 50мА, составляет 0.5 В. т.е. сопротивление около 10 Ом. Мощность рассеяния корпуса 350mW, тогда ток = корень(0,35/10) = 0,187 А = 187мА. максимальный ток через транзистор при tокр.возд.=25 Градусов. при этом температура кристалла будет около 125 градусов. думаю для такого транзистора этот режим отнюдь не щадящий. я бы поставил на каждые 3-4 светодиода по транзистору.
поправьте, если я где то ошибаюсь.
Господа, не мудрите лукаво!
Пример: нужно подключить к транзистору 30 светодиодов (падение напряжения на светодиоде 2В, ток 20 мА), итого сумарный ток 600мА. Предположем напряжение питания ключа 5В. => 5В(Uпит)-2В(падение на светодиодах)-0,6В(падение на коллекторном переходе) = 2,4В (напруга, которую нужно просадить на транзисторе). => P= 2,4В*0,6А = 1,44Вт (естественно транзистор обкакается, т.к. в доке написано 0,6Вт макс! Если уменьшить напругу питания до порога насыщения транзистора V(sat) - это и есть!, то транзистор будет сильно греться но работать будет - здесь будет работать параметр по макс. току (лучше запас минимум 30% от максимума).

