Пытаемся регулировать усиление ОУ

Nikolays2809

electroget, Уровень умения "Скрытность" повышен!

Реклама

HochReiter

Nikolays2809, я экзамен сдал уже давно, второй раз рассказывать всё подробно мне лень, поэтому буду краток. JFET, он же "полевой транзистор с p-n переходом" в первом приближении можно считать резистором, сопротивление которого зависит от напряжения затвор-исток. На моей картинке делитель напряжения из R1 и J1. Vвых = V1*Rj/(Rj+R1)
На затворе сумма двух напряжений: постоянного V2 и переменного V3, в результате оно меняется в пределах 1.8-0.15 ----- 1.8+0.15 вольт. Это изменение и приводит к изменению сопротивления сток-исток полевого транзистора. Почему выбраны эти пределы, а не 135 вольт - см. ВАХ.

Реклама

Nikolays2809

HochReiter, А понял, я сначала не понял, где у вас переменное напряжение

HochReiter

Там подписано: V1 - синус 5 мВ 300 Гц, V3 - синус 150 мВ 10 Гц, V2 - постоянное напряжение 1.8 В. (обратите внимание на полярность) Когда разберётесь с V1 и V2, вопрос по V1: почему я выбрал такое маленькое напряжение, всего 5 мВ?

Реклама

Nikolays2809

HochReiter, Ну если смотреть даташит то там есть график, который говорит о том что чем меньше мы подаем напряжение на сток, тем больше ток. Я могу и ошибаться, но график по идее говорит об этом:

Я тут построил Т-образный усилитель посчитал и понял, что сопротивление на полевике должно изменяться от 30000 до 50Ом. Я посмотрел даташит полевика, который у меня стоял 2N3819 и понял, что он такое сопротивление выдать не может. Надо будет найти с более подходящими ВАХ

Реклама

electroget

2N3819 - N-Channel JFET.

Реклама

Nikolays2809

electroget, Ну да, просто в самом начале у меня вообще другой транзистор стоял, а потом я заменил на 2N3819

electroget

Nikolays2809,
То есть, в вашей схеме вообще без разницы канальность JFETа?

Nikolays2809

electroget, Канальность важна! От нее зависит какое напряжение я буду подавать на затвор + или -

HochReiter

Спойлер

Тут интереснее картинка справа, левая её часть. Знаете, что такое "дифференциальное сопротивление"? Не то, которое U/I, а которое dU/dI ? Трудно что-то рассказывать человеку, о котором не знаешь, что он знает

Nikolays2809

HochReiter, HochReiter, нет, но сейчас пойду изучать эту тему

HochReiter

Nikolays2809, а в каком заведении вы учитесь?
Что до дифференциального сопротивления, то тут как со скоростью. Есть средняя: автомобиль проехал 100 км за 2 часа, средняя скорость 100/2=50 км/час. А есть мгновенная скорость, скорость в такой-то момент времени. Дифференциальное сопротивление можно сравнить с мгновенной скоростью.

Nikolays2809

HochReiter, Не важно, где я учусь, а важно на кого я учусь. На биотехнолога, а говоря проще недоинженер+недоврач. Так сказать дилетант широкого профиля

Ну если честно, то проблема в том что нам хотят дать все и сразу, это приводит к тому, что часть информации нормально не усваивается. Мы вот только со всеми компонентами разобрались, а нас уже ардуином пугают

mickbell

[uquote="Nikolays2809",url="/forum/viewtopic.php?p=4373959#p4373959"]проблема в том что нам хотят дать все и сразу, это приводит к тому, что часть информации нормально не усваивается.[/uquote]"От сессии до сессии живут студенты весело..."
А перед сессией, при подготовке к экзамену все отрывки сведений, что были получены в семестр, как-то вдруг чудесным образом выстраиваются в стройную систему. Сначала меня это несколько, скажем так, удивляло, а потом я привык к таким чудесам. Может быть, и у вас так будет.

Nikolays2809

HochReiter, Я понял, что мне нужно работать в омической области ВАХ, поскольку в этой области транзистор ведет себя как резистор.

Добавлено after 3 minutes 15 seconds:
mickbell, У нас в универе популярна другая фраза: "Я рисую в деканате, вазелином, слово "ХВАТИТ!"". Ну может быть на старших курсах у меня все сойдется в единое целое

HochReiter

Да, в омической, по этой самой причине. Тут пора повторить вопрос: почему на транзистор я подавал такое маленькое напряжение - 5 мВ ?
И на всякий случай вопрос об образовании: ваша цель - разобраться в схемотехнике или сдать и забыть? Оба варианта имеют право на существование, мне только хочется знать, как отвечать на ваши вопросы, чтобы не тратить своего и вашего времени зря.

Nikolays2809

HochReiter, Вы подаете маленькое напряжение на транзистор чтобы получить мин. ток. Вы же подаете напряжение на затвор 1,8В и если вы на исток подадите большое напряжение то вы попадете в область насыщения. Все верно?
Моя цель понять, как это работает, как это применять и в дальнейшем это использовать. Сдать и забыть не прокатит, я когда буду делать прибор на ардуине(нас предупредили, что мы будем это делать), мне надо будет использовать все полученные знания. Ну еще, это может пригодится мне в будущем на работе. Мне еще, если честно, хочется это все на практике сделать, поскольку на таком замечательном предмете, как "Метрология" нам дали четко понять, что теория, иногда, с практикой имеет мало общего.
Ну вернемся к моему заданию. Я решил сделать так, я проверю в симуляторе какое максимальное сопротивление возможно получить при 2В и мин. сопротивление при 0.1В. Просто, в даташите одна информация, а в симуляции выходит немного по другому.

HochReiter

Nikolays2809 писал(а):Вы подаете маленькое напряжение на транзистор чтобы получить мин. ток.

А чем нам мешает большой ток?

Дело в другом. ВАХ резистора - I = U/R - прямая линия, проходящая через начало координат, наклон которой определяется сопротивлением R. А теперь посмотрите на пучок кривых на приведённом мной рисунке. Возле нуля их с хорошей точностью можно считать прямыми. И наклон разный при разных управляющих напряжениях, что и требуется. (Вы помните, что напряжений два - V1,сигнал, который мы будем автоматически регулировать и V2+V3, управляющее напряжение?) Большие напряжения будут вылезать за линейную область, появятся искажения входного сигнала. Но подробнее об этом потом.

Nikolays2809 писал(а):нам дали четко понять, что теория, иногда, с практикой имеет мало общего.

У меня другое мнение. См. подпись. Плохая теория - да, мало общего.

Nikolays2809 писал(а): Я решил сделать так, я проверю в симуляторе какое максимальное сопротивление возможно получить при 2В и мин. сопротивление при 0.1В.

Почему именно 2В ? В семействе кривых нижняя лежит на горизонтальной оси, что соответствует бесконечному сопротивлению. Кстати, вы до сих пор не привели ни одного параметра: в каких пределах меняется входное напряжение, насколько при этом может меняться выходное, какое быстродействие требуется и т. д.
ЗЫ: когда кончится сессия и появится свободное время, попробуйте почитать "Искусство схемотехники" Хоровица и Хилла.

Nikolays2809

HochReiter, Ну я об этом и говорил, что при подаче большего напряжения мы вылезем в область насыщения, а нам надо остаться в линейной области.
Параметры я приводил, но я их еще раз напишу. Мне же надо схему АРУ сделать с вх. сигналом 0,1-2В, а у выходного сигнала должна быть амплитуда 4, частота 100кГц и на этом все. Про быстродействие ничего не сказано в задании.
Еще хочу задать такой вопрос. У транзистора есть внутренние сопротивление(выходное), которое мы находим с помощью напряжения сток-исток и тока стока, а есть еще входное, которое находят с помощью напряжения затвор-исток и тока затвора.Мне же нужно посчитать внутр. сопротивление. Я прав?

HochReiter

2/0.1 = 20. двадцатикратное изменение можно получить и на одном транзисторе. Иначе пришлось бы ставить несколько схем одну за другой.
Ток затвора настолько мал, что о нём можно забыть.
Пора определиться с транзистором, диапазоном напряжений затвор-исток и вставлять транзистор в схему.