Я не пойму, простите, почему Вы упёрлись в Дарлингтон?
Я бы сделал так:
Проще - некуда! Единственный(секрет) - транзистор прямой, а не обратный! Усё!
Добавлено after 13 minutes 35 seconds:
P.S.Если Вы развернёте свою схему зеркально(как у меня), то поняли, что у Вас получается бред! В таком включении Дарлингтон работать не будет!
ApTu(T писал(а):А для Дарлингтона сколько нужен резистор?
Можно вообще без резистора. Он нужен для повышения скорости выключения. Может достигать нескольких сотен ом для мощных транзисторов. Обычно 100..200 Ом. 100к это много.
Ну это так для общего развития.
ptr128 писал(а):У Вас при замыкании SW1 через оптрон закрывается дарлингтон на Q1-Q2. А при размыкании - тока в цепи нет.
Мне и надо чтобы при открытом оптроне транзистор был закрыт, а при закрытом оптроне - открыт.
Оптрон с открытым каналом, просто в протеусе нет такого, рисую закрытый...
ptr128 писал(а):D1 в любом случае не будет гореть.
Он и не горит. ))
ptr128 писал(а):Зачем здесь дарлингтон при нагрузке в один светодид? Почему ток через светодиод ничем не ограничен?
alexradio1103 писал(а):Я не пойму, простите, почему Вы упёрлись в Дарлингтон?
Ну тык:
musor писал(а):там написан транзюк кт972 годится любой дарлинктон(ну или его аналог га дискрете)
Я просто делаю из тех деталей, что у меня есть:
СпойлерЭто все маломощные.
Название транзистора, количество, тип, коэффициент передачи тока.
И никак не могу определиться какой нужно ставить.
Раз напряжения тут не важны, остаётся только h21э(hFE).
alexradio1103 писал(а):Я бы сделал так:
Проще - некуда! Единственный(секрет) - транзистор прямой, а не обратный! Усё!
Спасибо, буду пробовать.
alexradio1103 писал(а):P.S.Если Вы развернёте свою схему зеркально(как у меня), то поняли, что у Вас получается бред! В таком включении Дарлингтон работать не будет!
Если честно, я вообще не понимаю почему ток не течет на базу транзистора при открытом фотодиоде:
Я просто заменил фотодиод на фототранзистор(и видимо вообще не правильно, к и э нужно перевернуть, наверное)...
Последний раз редактировалось ApTu(T Вт дек 13, 2016 15:10:24, всего редактировалось 1 раз.
Достаточно и 100, 200 будет за глаза.
Hfe, для ключевого режима работы, надо смотреть по минимуму, т.е. BC557 125.
КТ315 отлично работают в качестве слаботочных ключей, я динамическую индикацию на них делал.
Какой коэффициент усиления? В единственной здесь рабочей схеме от alexradio1103 ток светодиода никогда не превысит 12ма. То есть, при Hfe даже 20, ток базы потребуется меньше одного миллиампера. В чем проблемы?
Вот если бы кто-то озвучил задачу, которую пытается решить...
Не ошибается только то, кто ничего не делает.
Тот, кто признает свои ошибки, на них учится.
Глупец же, упорствуя в своих заблуждениях, остается глупцом.
Правильно, но ток базы для ключевого режима вообще выбирается из условия гарантированного насыщения транзистора. А не тока светодиода. Иначе можно и в активный режим попасть.
Не ошибается только то, кто ничего не делает.
Тот, кто признает свои ошибки, на них учится.
Глупец же, упорствуя в своих заблуждениях, остается глупцом.
База насыщается током. Ключевой режим это когда тока в базу подается больше, чем нужно для полного открытия перехода КЭ. Т.е. пропускания максимального тока коллектора.
Напряжение же на базе есть пороговое меньше которого транзистор вообще закрыт.
Последний раз редактировалось Gisteresis Вт дек 13, 2016 16:03:12, всего редактировалось 1 раз.
Gisteresis писал(а):База насыщается током. Ключевой режим это когда тока в базу подается больше, чем нужно для полного открытия перехода КЭ. Т.е. пропускания максимального тока коллектора.
Вы путаете коэффициент передачи тока и напряжение насыщения.
При достаточно большом Hfe, если напряжение БЭ, при любом токе, превышает напряжение насыщения БЭ перехода, то через время Т, прямо пропорциональное току, БЭ переход окажется в режиме насыщения.
В случае недостатка Hfe, в насыщение не попадет КЭ переход, так как количество зарядов, инжектируемых в базу окажется не достаточно для поддержания тока КЭ, превышающего ток базы более чем в Hfe раз.
А так как я учел Hfe и ток КЭ у меня точно меньше тока базы умноженного на минимальный Hfe, то количество зарядов инжектируемых в базу у меня достаточно для обеспечения насыщения КЭ перехода при насыщении БЭ перехода.
То есть, если Ube>Ube(sat) то Uce=Uce(sat) при любом Ib>Ic/Hfe
Gisteresis писал(а):Напряжение же на базе есть пороговое меньше которого транзистор вообще закрыт.
Если вы про напряжение насыщения БЭ, то опять мимо. Транзистор в усилительном режиме как раз и работает при напряжении БЭ меньше напряжения насыщения.
Не ошибается только то, кто ничего не делает.
Тот, кто признает свои ошибки, на них учится.
Глупец же, упорствуя в своих заблуждениях, остается глупцом.
для работоспособности даной схемы я писал выще нужен ДАРЛИНГТОН и неважно кт972 или другой....
просто приоткрытом оптроне падение напряжения на типовом ОТКРЫТОМ оптроне превысит 0.6в и ваш ключик всегда будет открыт
кстати ставить туда PNP вовсе не нужно годится и NPN но оптопару надо перевернуть
ZМудрость(Опыт и выдержка) приходит с годами.
Все Ваши беды и проблемы, от недостатка знаний.
Умный и у дурака научится, а дураку и ..
Алберт Ейнштейн не поможет и ВВП не спасет.и МЧС опаздает
Отнюдь!
Еще раз повторяю, биполярный транзистор управляется током.
То, что вы говорите про напряжение это напряжения насыщения переходов. Но они не управляются этим напряжением. Управляется все током базы.
Напряжение переходов зависит от тока базы, но не наоборот.
Зачем тогда в даташитах пишут токи коллектора и базы для этих напряжений насыщения?
В своем расчете вы ставите цель открыть транзистор для того чтобы он пропустил 12мА, ток светодиода. А нужно рассчитывать на полный ток коллектора если мы хотим гарантированно иметь ключевой режим.
Т.е. у вас может быть активный режим а может и ключевой.
Gisteresis писал(а):
Еще раз повторяю, биполярный транзистор управляется током.
А с этим никто не спорит. Читайте мое сообщение. Вот насыщается он только не током, а напряжением.
Gisteresis писал(а):
А нужно рассчитывать на полный ток коллектора
А смысл? То есть, если у меня ток нагрузки 50ма, но максимальный ток коллектора 500ma, то я что, схему должен на десятикратно больший ток считать?
Gisteresis писал(а):Напряжение же на базе есть пороговое меньше которого транзистор вообще закрыт.
ptr128 писал(а):Если вы про напряжение насыщения БЭ, то опять мимо.
Gisteresis писал(а):Отнюдь!
То есть Вы готовы спорить, что при напряжении БЭ меньше напряжения насыщения ток БЭ будет нулевым?
Не ошибается только то, кто ничего не делает.
Тот, кто признает свои ошибки, на них учится.
Глупец же, упорствуя в своих заблуждениях, остается глупцом.
- транзистор прямой, а не обратный! Усё! 
