Никак не могу въехать в самые элементарные вопросы.

[rl55]

Эти диоды работают в полупериоды закрытого состояния соответствующего транзистора, когда ток нагрузки включенного транзистора создает на токовом резисторе отрицательное напряжение для закрытого перехода.

Да, согласиться можно.
Разовью мысль дальше - я усматриваю еще и ограничение тока.
Например, открываем до упора верхний транзистор, а на выходе к.з. Тогда потенциал базы VT4 будет на четыре перехода (VD1, VD2, VD6, VD5) выше точки выхода, грубо 0,7*4=2,8 В. Исходя из этого, считаем ток выходного транзистора: (2,8-0,7)/0,43=4,9 А.
Принимается?

[jast321]

Спасибо, но можно чуток подробней разобрать,я не совсем понимаю о чем вы.
Например: на выходе кз. Сигнал по максимум открывает верхние транзисторы и закрывает нижние. Получается при протекании тока возникает падение на r12 и r15 (в точке соединения r12, r13, r14, r15).
Вы говорите, что это напряжение будет воздействовать на нижний транзисторы(в данном случае, т.к. верхние открыты).
Не пойму как это может повлиять на диоды?
Рассуждаю так, На базе Вт4 напряжение будет выше, чем падения на резисторах(т.к. наоборот он был бы закрыт), значит диоды d3, d4 будут включены в обратном направлении.
Аналогично , d5, d6 никак не воздействуют на базу нижнего вт5.
Не пойму

К тому же, я вижу так, что большое падение напряжения на r15 (асоответственно на эмитере нижнего)может приводить к приоткрывает нижнего.

[fedyaok]

Принимается?

Очень даже принимается!!!!

[rl55]

Получается при протекании тока возникает падение на r12 и r15

R15 зашунтирован "низкоомной" индуктивностью и на постоянном токе и токах низкой частоты падение напряжения на нем в расчет не берется (считай, перемычка...), да и не повлияло бы, если бы оно было, на суть рассматриваемых процессов. R12 для рассмотренной ситуации является датчиком тока.

Вы говорите, что это напряжение будет воздействовать на нижний транзисторы(в данном случае, т.к. верхние открыты).

В первую очередь я говорю, что в описанной мной ситуации, возникшее напряжение на R12 будет воздействовать на верхние открытые транзисторы, призапирая их. Простейший генератор тока на транзисторе знаком? Вот там такой режим получается.

А нижние при этом просто закрыты. И закрывающее напряжение для VT5 фиксируется диодами VD5, VD6 на уровне 1,4 В. Такая вот двойная их игра - участвовать совместно с VD1, VD2 в создании образцового напряжения для ограничения тока верхнего транзистора и попутно создавать фиксированное запирающее напряжение для нижней пары в случаях перегрузки по току (я рассмотрел к.з. на выходе).

[jast321]

Получается при протекании тока возникает падение на r12 и r15

R15 зашунтирован "низкоомной" индуктивностью и на постоянном токе и токах низкой частоты падение напряжения на нем в расчет не берется (считай, перемычка...), да и не повлияло бы, если бы оно было, на суть рассматриваемых процессов. R12 для рассмотренной ситуации является датчиком тока.

Все, уловил суть.

Еще, для чего включают индуктивность таким образом-шунтируя ее низкоомный резистором?
Ведь через этот резистор пройдут все высокие частоты, в обход индуктивности, или все же какое влияние и в таком включении она на них оказывает?

[rl55]

Еще, для чего включают индуктивность таким образом-шунтируя ее низкоомный резистором?

Да это противовозбудная индуктивность и её шунтирование устраняет паразитные резонансы за пределами звукового диапазона. Сложный импеданс нагрузки у АС, в том числе и емкость кабеля имеется. Может и "завестись" усь на какой-нить сверхзвуковой частоте...
Вот и цепочка R14, C8 в этом участвует.

Ведь через этот резистор пройдут все высокие частоты, в обход индуктивности,

Для ВЧ токов звуковой частоты индуктивность слишком мала, чтобы оказывть существенное влияние. Считай - перемычка...

[jast321]

Спасибо.

[$$ur4ik$$]

Здравствуйте. Мучает вот меня один вопросик по поводу полевых транзисторов с управляющим p-n переходом, а именно включение их по схеме с общим затвором. Так вот, во всех источниках пишут, что у него маленькое входное сопротивление. Вопрос: почему оно так мало? При том, что преподаватель мне говорит, что сопротивление перехода затвор-исток большое.

[El-Eng]

Если вы внимательно посмотрите на схему с общим затвором (ОЗ), то легко увидите, что от источника входного напряжения отбирается ток истока, а напряжение затвор-исток просто регулирует этот ток. Входное сопротивление, по определению, Rвх=dUвх/dIвх. В схеме ОЗ dIвх равно dIистока, которое, в свою очередь, равно dIстока. Но мы знаем, что dIстока=S*dUвх, где S - крутизна. Подставим это в первую формулу и получим Rвх=1/S. Для типовых значений S 1-10 мА/В входное сопротивление будет 100 Ом - 1 КОм, что, конечно, значительно меньше сопротивления затвор-исток.

[rl55]

$$ur4ik$$, отсоедини сток, и будешь иметь огромное входное сопротивление...
Это, чтобы тебе понять смысл вышесказанного...

[jast321]

Добрый день. Подскажите пожалуйста ,
Если на полевой транзистор с управляющим p-n переходом подать напряжение на сток и исток, то потечет по каналу ток.
В разных источниках написано, что при подаче напряжения на затвор(например отрицательного, если рассматривать n- канальный) канал будет перекрываться.
Но нигде не сказано, об обратном , т.е. если подать + на затвор, то расшириться ли канал, или нет?

И второй вопрос, если он все-таки расширяется, то в таком случае в чем отличие его от транзистора MDP со встроенным обедненным каналом?

[El-Eng]

... если подать + на затвор, то расширится ли канал, или нет?

Если под термином "расширение" подразумевается увеличение количества носителей заряда в подзатворной области, то да, расширится.

... если он все-таки расширяется, то в таком случае в чем отличие его от транзистора MDP со встроенным обедненным каналом?

С точки зрения работы собственно полевого транзистора - ни в чем. Главное отличие в том, что при подаче на затвор положительного напряжения у n-канального транзистора с p-n переходом, этот самый p-n переход откроется, и транзистор перестанет быть транзистором. Поэтому на затвор можно подавать только отрицательное (или небольшое положительное (меньше примерно 0.4-0.5В), пока переход еще закрыт) напряжение. Для МДП транзистора такого ограничения, естественно, нет.

[rl55]

Режим с положительным потенциалом на затворе чем-то напоминает работу лампы с положительным потенциалом на сетке и возникновением в ней сеточных токов.
Но если не доходить до открывания p-n перехода (при малых уровнях сигнала), то возможно применение схемы с нулевым смещением с заходом сигнала в небольшой плюс на затворе. При этом будет максимальная крутизна. Таких схем я видел много.
При большом уровне будет происходить отсечка тока стока за счет "затворных" токов, подзаряжающих входную емкость в запирающей полярности. Такое вот одностороннее ограничение получается. Можно применять в селекторе импульсов, например.

[jast321]

Спасибо. Я все понял.

[jast321]

Подскажите, как в данном случае может срабатывать стабилитрон, если напряжение на базе не может привысить 0.7в из за того что на база-эмитер оно будет падать. Нет ли тут ошибки в виде недостающего резистора в цепи эмитера?

[*Trigger*]

Диод VD2 и конденсатор C2 образуют однополупериодный выпрямитель, на выходе которого - отрицательное напряжение. Именно к нему (в точку соединения VD2 и С2) и подключен анод стабилитрона. Поэтому напряжение на стабилитроне будет равно напряжению на базе (0,7 В) минус напряжение на выходе выпрямителя (-4,4 В в этой схеме). Это всё нужно для стабилизации выходного напряжения. На выходе выпрямителя будет поддерживаться напряжение 0,7-5,1 = -4,4 В.

[jast321]

Понял. Спасибо .

[fedyaok]

jast321, вы правы. Без токового резистора в цепи эмиттера в этой схеме нельзя

[rl55]

jast321, вы правы. Без токового резистора в цепи эмиттера в этой схеме нельзя

Не вижу необходимости наличия резистора в этой схеме. Полно дежурок так сделано.

[jast321]

jast321, вы правы. Без токового резистора в цепи эмиттера в этой схеме нельзя

Не вижу необходимости наличия резистора в этой схеме. Полно дежурок так сделано.

rl55, получается ведь так, когда транзистор начинает открываться, то на нижней обмотке на верхнем выводе наводится плюс, на нижнем минус. Этот плюс начинает заряжать с1 через база-эмитер, тем самым открывая транзистор еще сильней. При этом стабилитрон никакого участия не принимает.
Далее, с1 зарядился, ток баз-эмитер уменьшился. Транзистор начинает призакрываться. Теперь наводится на нижней обмотке на верхнем выводе минус, на нижнем плюс.
Эта ЭДС начинает перезаряжать с1, и тем самым транзистор еще быстрее закрывается. Но вместе с тем и заряжается с2 так, что на верхней обкладке отрицательное напряжение.
И вот теперь, когда напряжение на с2 становиться достаточно для срабатывания стабилитрона, он открывается.
Теперь на конденсатор с2 поступает и плюс, а значит , что он не может сильнее зарядиться отрицательным напряжением и оно будет в районе -4,5в, и закрытие транзистора в этот момент прекращается.

Т.е. получается,смысл стабилизации заключается в том, что транзистор не может запереться до конца,а остается в определенном приоткрытом состоянии. или я ошибаюсь ?