Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

[MagicianT]

Идём сюда http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/I/R/F/6/IRF630.shtml и Fairchild Semiconsuctor
на фигуре 7 смотрим, что для тока 9А на затвор надо мин. 6В , а желательно больше.
Вообще транзистор не очень, на первой странице rDS(ON) = 0.400Ω , т.е потери мощности всегда больше чем P = I^2 х R = 9^2 x 0.4 = 32.4 Bt.

[КРАМ]

Первое что пришло на ум после этой статьи — IRF630

Так кто же виноват, что у Вас на ум приходят глупости?

При выборе МОСФЕТа нужно не ток брать за основу, а допустимое напряжение на стоке, сопротивление канала при выбранном напряжении управления и общий заряд затвора (для расчета тока управления при переключении).

[креазот]

MagicianT, спасибо за ответ.
не пойму, тоесть 32 ватта это минимум? во всех остальных случаях потери составят еще больше?

транзистор от Fairchild Semiconsuctor несколько иной чем в статье, у автора статьи сопротивление канала 0.35 Ом и выходные характеристики иные. те что на рисунке 6 в даташите

[креазот]

Так кто же виноват, что у Вас на ум приходят глупости?

нее.. это не мне они пришли на ум, это он так рассуждает в собственной статье. это цитата из его статьи

а как узнать сопротивление канала при выбранном напряжении управления?

[КРАМ]

Сопротивление канала указано в даташите. И в этой же строке указано при каком напряжении затвор-исток оно измерено.
Для высокопороговых транзисторов это напряжение равно 10 вольтам, а для низкопороговых указывается пара сопротивлений канала - для двух значений напряжения управления.
Пример:

[просто КОТ]

В таком случае, если логического МОСФЕТа под рукой нет, может проще взять тот же КТ819? У него падение составит 1...2 вольта.

[креазот]

КРАМ, а Вы не могли бы назвать какой бы Вы поставили мосфет для этого примера из статьи, для нагрузки с током 8ампер 12 вольт.
чтобы я понял как надо делать правильно выбор

[КРАМ]

При токе в 8 ампер и 2 вольтах падения на коллекторе будет рассеиваться 16 ватт.
Это соответствует МОСФЕТу с сопротивлением канала 0,25 Ом.
Это очень посредственный МОСФЕТ.

[просто КОТ]

Я про случай, если ну нет совсем под рукой логического МОСФЕТА. А так -- да. Вариант не лучший.

[КРАМ]

КРАМ, а Вы не могли бы назвать какой бы Вы поставили мосфет для этого примера из статьи, для нагрузки с током 8ампер 12 вольт.
чтобы я понял

У Вас статическое управление или ШИМ?
Кроме того, раз Вы отказались от драйвера и если у Вас статическое управление, то среди продукции IR нужно искать транзисторы с первыми буквами IRL. Это транзисторы с низким порогом включения.
Например: http://www.irf.com/product-info/datashe ... 05spbf.pdf
При 5 вольтах затвор-исток сопротивление канала у него всего 10 мОм. То есть при токе в 8 ампер на нем будет рассеиваться всего 640 мВт.
То есть при тепературе окружающей среды 25 градусов температура корпуса без радиатора (но с пайкой к нормативному полигону в 1кв.дюйм платы) составит 40*0,64+25=51 градус.

[креазот]

КРАМ, меня интересует вариант со статическим управлением.
вообще я читал статью просто чтобы немного понять о мосфетах,я на них планирую сделать Н- мост для блока питания который буду использовать для гальванопластики.
до статьи я думал что у мосфетов потери гораздо меньше чем у биполярных транзисторов. поэтому так удивили результаты расчетов из статьи

[креазот]

КРАМ. большое спасибо за науку

[креазот]

а вообще в статье сами расчеты правильные? VDS на графике по оси Х это падение напряжения на транзисторе?

[КРАМ]

Лень вчитываться в статью, если честно.
Но по выходным характеристикам Вы легко найдете падение на транзисторе, зная ток стока. Выбираете из семейства ту кривую, которая соответствует напряжению затвор-исток в Вашей схеме и находите на ней точку с Вашим током. Получаете падение на исток-сток.

[креазот]

(но с пайкой к нормативному полигону в 1кв.дюйм платы) составит 40*0,64+25=51 градус.

а число 40 оно откуда берется? что это?

[КРАМ]

Из даташита.
Это тепловое сопротивление кристалл-среда при пайке корпуса на 1 кв. дюйм металлизации платы. Измеряется в градусах на 1 ватт и означает перегрев кристалла относительно среды при рассеивании на кристалле 1 ватта. Но так как тепловое сопротивление кристалл-корпус много меньше, я пренебрег им и указал 51 градус как температура корпуса, на самом деле корпус будет немного холоднее.

[креазот]

КРАМ, спасибо. Junction-to-Ambient, это оно самое?

этот коэффициен предназначен только для транзисторов в этом корпусе предназначенном для пайки на плату?

[КРАМ]

Для каждого транзистора в определенном корпусе существует этот параметр. Как и параметр тепловое сопротивление кристалл-корпус для расчета корпуса с радиатором.

[baghear]

Вот тут как-то читал как выбрать мосфет
https://hubstub.ru/electronics/89-kak-v ... osfet.html

[креазот]

Например: http://www.irf.com/product-info/datashe ... 05spbf.pdf
При 5 вольтах затвор-исток сопротивление канала у него всего 10 мОм. То есть при токе в 8 ампер на нем будет рассеиваться всего 640 мВт.

КРАМ, скажите, а как у Вас получилась цифра 640мВт?

у меня вышло 512мВт. но я наверно не правильно считал. я умножил сопротивление канала 0.008 Ом на ток 8А получил значение падения напряжения 0.064 Вольта и еще раз умножил на ток 8 А =0.512 Вт.

я не правильно считал?

baghear, спасибо.