Просто желательно понимать границы возможного и достоверность моделирования. Особенно аналоговых и силовых вещей.
Симулятор в расчетах использует модели с определенным набором параметорв.
Иногда эти параметры соответствуют сильно усредненному даташитному описанию, от которого реальные экземпляры отличаются довольно сильно и примерно одинаково в обе стороны.
Чаще всего -- нечто средне-потолочное, как например "биполярный транзистор с бетой 100, коллекторным напряжением 100В и граничной частотой 300 МГц."
Или. к примеру, "полевой н-канальный транзистор с напряжением открывания 5 вольт, максимальным напряжением 60 В и сопротивлением канала 0,01 Ом".
НО: например в микрокапе есть прибамбаска, позволяющая взять реальный полупроводниковый прибор, реально измерить его параметры и на основе этих измерений создать модель. И тогда расчетные значения и поведение схемы совпадут с реальными с точностью до единиц процентов.
Есть живой опыт. Задача относилась к военке -- наведение снарядов с помощью лазерного указателя. Замерили транзисторы на матричном кристалле, создали модели, просимили схему. Когда потом повторяли в железе, все прошло как и было посчитано. Даже изменения частотного диапазона в зависимости от температуры (напомню -- военка, а это от минус 60 до плюс 80), даже изъяны формы импульсов повторились.
Просто надо понимать, что такое симулятор, а не кидаться такими пафосными заголовками, тупо не справившись с инструментом.
Так-то можно и молоток обвинить, уронив его на ногу.
