p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Если гепотетически предположить, что кол-во подвижных электронов в P-области увеличилось до числа как в проводнике, при этом не трогая параметры самого PN-перехода, в этом случае - обратный ток остался бы таким же небольшим ?
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
"Это фантастика" (С)
Количество свободных электронов определяется количеством примесей-доноров и температурой.
Электроны несут заряд, котороый создает поле, больше чем может вместить кристалл (нейтрализовать заряд полем ионов) ты туда запихать не сможешь, т.к. электроны создадут объемный заряд поле которого будет сдерживать поступление в кристалл новых электронов.
Количество свободных электронов определяется количеством примесей-доноров и температурой.
Электроны несут заряд, котороый создает поле, больше чем может вместить кристалл (нейтрализовать заряд полем ионов) ты туда запихать не сможешь, т.к. электроны создадут объемный заряд поле которого будет сдерживать поступление в кристалл новых электронов.
- peg
- Нашел транзистор. Понюхал.
- Сообщения: 165
- Зарегистрирован: Чт дек 09, 2010 19:47:18
- Откуда: г. Армавир Краснодарского края
- Контактная информация:
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Lander писал(а): значит электроны из минуса источника двигаются и "заходят" в P-область, "толкая" уже сущесвующие подвижные электроены в P-области, которые проходят черех PN-переход и далее на плюс источника питания, но что мешает большому кол-ву электронов войти в P-область, а не только кол-ву пропорциональному кол-ву сущесвующих неосновных подвижных электронов P-области ?
Ужас какой!
Ваша ошибка в том, что на самом деле в p-области нет электронов, только дырки.
Аналогично, в n-области носители заряда только электроны, дырок нет. А вы все в кучу мешаете.
Собственная проводимость полупроводника в диодах и транзисторах вредна, ее уменьшают (а вернее увеличивают примесную проводимость) насколько возможно. Поэтому на начальном этапе ее вообще надо игнорировать, и только когда придет понимание механизма проводимости, работы запирающего слоя, инжекции неосновных носителей и т.д., можно будет рассматривать вредную собственную проводимость в виде обратных токов и токов утечки.
-
Vendein_RaZoR
- Сверлит текстолит когтями
- Сообщения: 1158
- Зарегистрирован: Ср июн 22, 2011 21:14:17
- Контактная информация:
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Вопрос теперь у меня по контакту металл-полупроводник :
Для начала хотелось бы уточнить по работе выхода электрона с уровня Ферми при контакте металл - полупроводник n типа :
Какие силы совершают работу по выходу электрона с уровня Ферми в n ? Некоторые электроны в металле свободно смогут перейти в зону проводимости конечно при комнатной , но если даже они там будут , то они разве не будут оказывать влияния на выход электронов в n материале ? Металл это же не материал p типа . Получается положительный ион металла при работе выхода металла большей работе выхода электрона притянет электрон сильнее чем образовавшийся положительный ион в ПП n типа ?
В итоге получается так что ли ? : Работа выхода по-другому характеризуется силой притяжения положительного иона материала (силой электрического поля) , если поле притягивает электрон больше - работа меньше и наоборот . То есть тот кто притягивает сильнее сумеет совершить меньшую работу по выходу электрона с уровня Ферми , который на запрещенной зоне ,на границу перехода и следовательно образовать потенциальный барьер ? Так что ли ?
Тогда получается работа выхода также определяется порядковым номером таблицы Менделеева того вещества которое создает поле которое сильнее поля того вещества у которого работа выхода больше ?
Для начала хотелось бы уточнить по работе выхода электрона с уровня Ферми при контакте металл - полупроводник n типа :
Какие силы совершают работу по выходу электрона с уровня Ферми в n ? Некоторые электроны в металле свободно смогут перейти в зону проводимости конечно при комнатной , но если даже они там будут , то они разве не будут оказывать влияния на выход электронов в n материале ? Металл это же не материал p типа . Получается положительный ион металла при работе выхода металла большей работе выхода электрона притянет электрон сильнее чем образовавшийся положительный ион в ПП n типа ?

В итоге получается так что ли ? : Работа выхода по-другому характеризуется силой притяжения положительного иона материала (силой электрического поля) , если поле притягивает электрон больше - работа меньше и наоборот . То есть тот кто притягивает сильнее сумеет совершить меньшую работу по выходу электрона с уровня Ферми , который на запрещенной зоне ,на границу перехода и следовательно образовать потенциальный барьер ? Так что ли ?

Тогда получается работа выхода также определяется порядковым номером таблицы Менделеева того вещества которое создает поле которое сильнее поля того вещества у которого работа выхода больше ?
- peg
- Нашел транзистор. Понюхал.
- Сообщения: 165
- Зарегистрирован: Чт дек 09, 2010 19:47:18
- Откуда: г. Армавир Краснодарского края
- Контактная информация:
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Vendein_RaZoR писал(а):Вопрос теперь у меня по контакту металл-полупроводник :
Для начала хотелось бы уточнить по работе выхода электрона с уровня Ферми при контакте металл - полупроводник n типа :
Какие силы совершают работу по выходу электрона с уровня Ферми в n ? Некоторые электроны в металле свободно смогут перейти в зону проводимости...
Вы прикалываетесь?
Зачем все это?
Там просто омический контакт. Просто маленькое сопротивление, никаких переходов.
Или вы диод Шоттки имеете в виду?
Так может, вначале с обычным разобраться?
-
Vendein_RaZoR
- Сверлит текстолит когтями
- Сообщения: 1158
- Зарегистрирован: Ср июн 22, 2011 21:14:17
- Контактная информация:
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Или вы диод Шоттки имеете в виду?
Ну допустим даже так
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
peg писал(а):Вы прикалываетесь?
Блин, знакомый рассказывал историю.
Если кто помнит, в Советское время с хорошими книгами тогда была ситуация сложная,
фиг чё купишь, только на мукулатуру или по блату...
Поехал он как то в то время в среднюю азию, и зашел в книжный магазин, а там чего только нет,
хочешь Дюма, хочешь Жульверн... типа программа насаждения культуры у узбеков...
Он на радостях набрал целую телегу книг а кассирша интересуется "вы по узбекски хорошо читаете?".
У чела непонятки - на всех книжка всё по русски написано, автор, название...
Открывает, а внутри всё русскими буквами, но слова все не русские.
Расстроился он и вернул все книги назад, только "Три мушкетёра" одну книгу оставил, в качестве сувенира.
Вобщем вернулся домой в Россию и подарил приятелю на день рождения.
Тот на следующий день звонит с матюками.
Говрит "встаю с утра с легкого похмела, думаю надо подарочек почитать, открываю, и впадаю в ступор, все буквы русские, а прочитать ни слова не могу, всё думаю - белочка пришла"
Вот и у меня от некоторых сообщений в этой теме такое же ощущение как у того приятеля,
вроде слова все русские, и даже в предложения складываются иногда,
а чего спросить то хотят ну убей не понимаю! Пичалька однако!
-
Vendein_RaZoR
- Сверлит текстолит когтями
- Сообщения: 1158
- Зарегистрирован: Ср июн 22, 2011 21:14:17
- Контактная информация:
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Ну это хотя бы понятно ?
Просто в данном случае речь идет не про омический переход , а как раз таки про выпрямляющий
Работа выхода по-другому характеризуется силой притяжения положительного иона материала (силой электрического поля между ионом и электроном) , если поле притягивает электрон больше - работа меньше и наоборот . То есть тот кто притягивает сильнее сумеет совершить меньшую работу по выходу электрона с уровня Ферми (который на запрещенной зоне) на границу перехода и следовательно образовать потенциальный барьер ?
Просто в данном случае речь идет не про омический переход , а как раз таки про выпрямляющий
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
peg писал(а):Lander писал(а): Ваша ошибка в том, что на самом деле в p-области нет электронов, только дырки.
И за счет чего тогда обратный ток получаеться ??
-
Vendein_RaZoR
- Сверлит текстолит когтями
- Сообщения: 1158
- Зарегистрирован: Ср июн 22, 2011 21:14:17
- Контактная информация:
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Обратный ток - это прежде всего ток дрейфа . Он получается из за того что из p области выгоняются основные носители n области тобишь электроны (ну и наоборот) . Если допустим повышается температура или попадает свет , то обратный ток увеличивается - это следствие перехода электронов из p области в n . А происходит это за счет того что под действием температуры и света электрон срывается с уровня Ферми в зону проводимости (энергии тепла и света ему достаточно для этого) и возвращается обратно в n под воздействием электрического поля 
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Vendein_RaZoR ты прикалываешся ?
Этот вопрос я задал Peg`у.
peg писал(а): Ваша ошибка в том, что на самом деле в p-области нет электронов, только дырки.
то обратный ток увеличивается - это следствие перехода электронов из p области в n
Этот вопрос я задал Peg`у.
-
Vendein_RaZoR
- Сверлит текстолит когтями
- Сообщения: 1158
- Зарегистрирован: Ср июн 22, 2011 21:14:17
- Контактная информация:
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Ох блин
, он имел ввиду изначально при температуре 0 К
А так электроны из n переходят в p и там уже ионизируют атомы которым не хватает электрона для связи , всё это происходит пока не установится так называемое равновесие
Вы хотя бы понимаете что такое собственная и примесная проводимость ? Это вы походу путаете тоже
Вы хотя бы понимаете что такое собственная и примесная проводимость ? Это вы походу путаете тоже
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Конечно понимаю.
Видимо он подумал, что я имею ввиду под электронами P-области - основные заряды, хотя конечно же имел ввиду неосновные, те, что формируют обратный ток.
Видимо он подумал, что я имею ввиду под электронами P-области - основные заряды, хотя конечно же имел ввиду неосновные, те, что формируют обратный ток.
- peg
- Нашел транзистор. Понюхал.
- Сообщения: 165
- Зарегистрирован: Чт дек 09, 2010 19:47:18
- Откуда: г. Армавир Краснодарского края
- Контактная информация:
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Lander писал(а):Видимо он подумал, что я имею ввиду под электронами P-области - основные заряды, хотя конечно же имел ввиду неосновные, те, что формируют обратный ток.
Чет я уже потерялся, что мы тут обсуждаем?
Уровень Ферми, кто-то там что-то ионизирует или иронизирует, нулевая температура, зоны - ничего не понимаю.
Вроде речь шла об обычном p-n переходе?
Vendein_RaZoR писал(а):А так электроны из n переходят в p и там уже ионизируют атомы которым не хватает электрона для связи , всё это происходит пока не установится так называемое равновесие
Ничего они там не ионизируют, а просто рекомбинируют с дырками.
Vendein_RaZoR'у: а Вы в одном вопросе столько всего намешать умудряетесь, что непонятно, как это вообще разгребать. Проще надо быть.
Я вот вижу, не надо вам пока во все эти зоны, ферми и прочее... лезть.
Разберитесь пока с дырками и электронами. Примесной проводимости. Не трогайте основную, пусть пока она вас не касается.
А уже когда прояснится, тогда можно и тонкостями заняться.
-
Vendein_RaZoR
- Сверлит текстолит когтями
- Сообщения: 1158
- Зарегистрирован: Ср июн 22, 2011 21:14:17
- Контактная информация:
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Разберитесь пока с дырками и электронами. Примесной проводимости. Не трогайте основную, пусть пока она вас не касается.
А уже когда прояснится, тогда можно и тонкостями заняться.
Да вроде и так разобрался с основами ...
Ничего они там не ионизируют, а просто рекомбинируют с дырками.
Ну да .... Сперва то до рекомбинации в ковалентной связи же атом нейтрален , а потом прилетает электрон на вакантное место и атом уже имеет отрицательный заряд , я что то путаю ???
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Это типа такой сарказм?!
Вообщето, дырка - она как бы несет положительный заряд, т.е. является в некотором смысле ионом.
А прилетевший электрон, компенсирует положительный заряд отрицательным,
и в результате рекомбинации получается нейтральный атом.
Вообщето, дырка - она как бы несет положительный заряд, т.е. является в некотором смысле ионом.
А прилетевший электрон, компенсирует положительный заряд отрицательным,
и в результате рекомбинации получается нейтральный атом.
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
peg писал(а):Чет я уже потерялся, что мы тут обсуждаем?
Уровень Ферми, кто-то там что-то ионизирует или иронизирует, нулевая температура, зоны - ничего не понимаю.
Вроде речь шла об обычном p-n переходе?
Уважаемый Peg, привидите пожалуйста мое сообщение где я пишу про уровень ферми
Я же обсуждаю обычный PN-переход.
Продублирую мое сообещение с дополнениемм в скобках, на которое Вы написали ужас какой
Значит электроны из минуса источника двигаются и "заходят" в P-область, "толкая" уже сущесвующие подвижные (неосновные) электроены в P-области, которые проходят черех PN-переход и далее на плюс источника питания, но что мешает большому кол-ву электронов войти в P-область, а не только кол-ву пропорциональному кол-ву сущесвующих неосновных подвижных электронов P-области ?
- peg
- Нашел транзистор. Понюхал.
- Сообщения: 165
- Зарегистрирован: Чт дек 09, 2010 19:47:18
- Откуда: г. Армавир Краснодарского края
- Контактная информация:
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Lander писал(а):Значит электроны из минуса источника двигаются и "заходят" в P-область, "толкая" уже сущесвующие подвижные (неосновные) электроены в P-области, которые проходят черех PN-переход и далее на плюс источника питания, но что мешает большому кол-ву электронов войти в P-область, а не только кол-ву пропорциональному кол-ву сущесвующих неосновных подвижных электронов P-области ?
Ничего не мешает. Так и бывает. Это называется инжекция неосновных носителей и инверсия проводимости.
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Для меня, например, никогда не была
наглядной зонная теория проводимости. Она оперирует состояниями в пространстве энергетических уровней, что весьма абстрактно. А образование/движение электронов-дырок в электрическом поле представить очень легко.
Это называется инжекция неосновных носителей и инверсия проводимости.
Спасибо
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
А как учавствует паразитная емкость PN-перехода ? Я как понял, емкость PN-перехода влияет только при обратном подключении ?