точно! из 100мка со входа в эмиттер, часть уйдёт виэмиттерный резистор, часть в базу и распределится там, от того что осталось и вышло на коллекторе часть отщепится на Rк и только остаток пойдёт в нагрузку... (резистор, он и для постоянки резистор и для переменки резистор! ).
Для тех, кто не учил магию мир полон физики
Безграмотно вопрошающим про силовую или высоковольтную электронику я не отвечаю, а то ещё посадят за участие в (само)убиении оболтуса...
Между тем, входное сопротивление ОБ-каскада будет рассчитываться так:
Rвх = Rбэдиф / h21э
То есть фактически КЗ по переменке. Логические и математические рассуждения, стоящие за этой формулой такие:
1) Входное переменное напряжение прикладывается к переходу база-эмиттер (вверх ногами причём), поэтому Uвх = - Iб Rбэдиф
2) Входной ток равен току коллектора с обратным знаком Iвх = - Iк
3) Ток коллектора связан с током базы всем известно как: Iк = h21э Iб
4) Подставляем все эти соотношения в формулу для входного сопротивления Rвх = Uвх / Iвх и получаем искомую формулу.
Надо заметить, что через эмиттерный резистор переменный ток не течёт с точностью до величины 1/h21э (вернее даже с точностью до величины Rвх / Rэ, которая может быть ещё меньше).
Rбэдиф — это дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер. То есть отношение небольшого приращения напряжения к вызванному им приращению тока.
Rдиф = dU / dI
Используется при малосигнальном анализе нелинейных цепей, коим является транзистор.
Например, если некая нелинейная система имеет ВАХ, описываемую формулой квадратичной параболы:
I = k U^2
то дифференциальное сопротивление будет рассчитываться так:
dI = 2 k U dU
Rдиф = dU / dI = 1 / (2 k U)
Надо заметить что дифференциальное сопротивление является функцией напряжения на нелинейном элементе (или функцией тока — как удобнее).
Добавлено after 37 minutes 37 seconds:
И раз уж зашёл разговор про дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер, то неплохо было бы его прикинуть исходя из соображения, что этот переход является идеальным диодом.
Уравнение Шокли для идеального диода:
I = Is (exp(U / Uт) - 1)
где I и U — ток и напряжение диода, соответственно; Is — ток насыщения (ток, текущий через диод, при приложении запирающего напряжения обратной полярности); Uт — температурный потенциал. Дифференцируя получаем:
dI = Is exp(U / Uт) dU / Uт
Пренебрегая единицей в уравнении Шокли (которая имеет значение только при нулевых и отрицательных напряжениях, когда диод закрыт) и деля второе уравнение на первое получим:
dI / I = dU / Uт
При этом экспонента и неизвестный нам ток насыщения удачным образом сокращаются. Выражаем:
Rдиф = dU / dI = Uт / I
Температурный потенциал диода Uт выражается формулой, в которой только температура не является фундаментальной постоянной (на самом деле там ещё есть коэффициент неидеальности, но забьём на него):
Uт = k T / e
где k — постоянная Больцмана, T — абсолютная температура (которая в Кельвинах) и e — заряд электрона в кулонах. Для комнатной температуры температурный потенциал равен приблизительно 26 мВ. Так что дифференциальное сопротивление диода равно:
Rдиф = 26мВ / I
При токе базы 10 мкА это будет 2,6 кОм, что довольно много. Сам удивляюсь.
Надо заметить, что при достаточно больших токах полученное сопротивление будет мало, и в игру вступит последовательное активное сопротивление областей диода, связанное с тем, что полупроводник имеет конечную проводимость. Это сопротивление не будет зависеть от напряжения или тока, но будет экспоненциально (полупроводник же!) зависеть от температуры, причём с ростом температуры будет падать.
Ну нифигасе, физико-математическая выкладка, а я тут со своей криво-убогой формулой лезу. Мне аж свои примитивные вопросы задавать перехотелось
Добавлено after 9 hours 9 minutes 37 seconds:
Из 100мкА через базу пройдё 1мкА именно этот ток вызовет падение напряжение на переходе Б-Э и именно по этому усиление по напряжению будет не большим?
нет, усиление по напряжению в этой схеме какраз большое.
Для тех, кто не учил магию мир полон физики
Безграмотно вопрошающим про силовую или высоковольтную электронику я не отвечаю, а то ещё посадят за участие в (само)убиении оболтуса...
Вход 100мкА. Когда транзистор приоткроется он вытянет из коллектора (99мкА) ток почти такой же как и в эмиттере, но поскольку сопротивление Rк больше чем Rэ, усиление по напряжению будет равно Кu=Rк/Rэ?
[uquote="Ivanoff-iv",url="/forum/viewtopic.php?p=3430410#p3430410"]не мы инжектируем, а транзистор сам тянет сколько ему надо чтобы накормить Rэ[/uquote]
Что то эта фраза... "тянет" это же направление тока от коллектора к эмиттеру имеется введу?не стыкуется с изображением? запутался нафиг?!
[uquote="Defl",url="/forum/viewtopic.php?p=3432497#p3432497"]не стыкуется с изображением[/uquote]Тянуть можно и отрицательный ток. Стрелкой на схемах указывают лишь положительное направление.
C напряжением то понятно. А вот с током... А ток покоя коллектора случаем не равен току покоя базы???
Если токи покоя равны тогда всё складывается, тогда понятно отсутствие усиления по току!
Ндаа, меня предупреждали что ОБ самый проблемный для понимания...
Ток коллектора 2мА, ток базы 200мкА, входной сигнал 100мкА, проходя через коллектор "что один и тот же ток полезного сигнала течёт как через вход, так и через нагрузку" через нагрузку потечёт сумма тока 2мА плюс что было на входе 100мкА и того в нагрузке 2,1мА... На входе 100мкА на выходе 2,1мА ну нифигасе нет усиления?!
из 100мка со входа в эмиттер, часть уйдёт виэмиттерный резистор, часть в базу и распределится там, от того что осталось и вышло на коллекторе часть отщепится на Rк и только остаток пойдёт в нагрузку... (резистор, он и для постоянки резистор и для переменки резистор! 
).
