Когда ссылаетесь на книгу, оформляйте ссылку правильно: указывайте год издания.MrResitor писал(а):Добрый вечер, помогите разобраться с комплексным представлением синусоидальных величин, стр. 39-40.
В книге ошибка/опечатка, которая, кстати, тянется с издания 81-го года. Это Х.Х, а не учебник по матану, привыкайте к ошибкам и неточностям.В примерах умножается j на j, j*j=-1, получается, действительная часть должна быть со знаком минус, но берут её почему-то по модулю.
При выборе резистора Rb для этой схемы предположили, что коэффициент h221э имеет определенное значение (100), оценили величину тока базы и предположили, что падение напряжения на Re составит 7 В. Расчет схемы выполнен плохо; коэффициент h221э не следует брать за основу расчета, так как его значение может существенно изменяться. Если напряжение смещения задать с помощью делителя напряжения, как в рассмотренном выше примере, то точка покоя будет нечувствительна к изменениям коэффициента β. Например, в предыдущей схеме напряжение на эмиттере увеличится всего на 0,35 В (5%), если вместо номинальной величины h221э = 100 будем иметь величину h221э = 200.
jdex писал(а):Вопрос заключается в следующем: на чем основаны расчеты, что если в "хорошей" схеме заменить транзистор с β = 100 на β = 200, то напряжение на эмиттере возрастет на 0,35 В. Это какие-то конструктивные особенности транзистора с β = 200, или это вытекает из самой схемы?
Николай_С писал(а):Это невнимательное прочтение книги.
Речь только о "плохой" схеме, для "хорошей" схемы это не актуально.
вытекает из схемы.Это какие-то конструктивные особенности транзистора с β = 200, или это вытекает из самой схемы?
И то и другое. Попробуйте просчитать самим изменение напряжения на эмиттере в общем случае (без уточнения номиналов сопротивлений и коэффициента β).jdex писал(а):Это какие-то конструктивные особенности транзистора с β = 200, или это вытекает из самой схемы?
Как раз это актуально для "хорошей" схемы.Николай_С писал(а):Речь только о "плохой" схеме, для "хорошей" схемы это не актуально.
Это ерунда. И в "неправильной" рабочую точку можно выставить в любое положение.Hand-Maker писал(а):Качество схем не в этом. В "плохой" на полезный сигнал практически не остается никакого запаса. П "правильной" -- почти половина питания.
Alek Lem писал(а):И то и другое. Попробуйте просчитать самим изменение напряжения на эмиттере в общем случае (без уточнения номиналов сопротивлений и коэффициента β).
И будет она у нас болтаться как ........ в зависимости от экземпляра транзистора, от температуры, от погоды на Марсе. И накой она такая?И в "неправильной" рабочую точку можно выставить в любое положение.
Alek Lem писал(а):И то и другое. Попробуйте просчитать самим изменение напряжения на эмиттере в общем случае (без уточнения номиналов сопротивлений и коэффициента β).
Alek Lem писал(а):важно не само напряжение на базе или на эмиттере, а его изменение.
Hand-Maker писал(а):В "плохой" на полезный сигнал практически не остается никакого запаса.
Hand-Maker писал(а):И накой она такая?
Смещение - это задание рабочей точки на выходной характеристике транзистора на постоянном токе. Для усилителя класса А это означает задать такой ток коллектора Iк, при котором Uкэ ≈ Eпит/2. В обеих схемах это возможно сделать.jdex писал(а):Вы могли бы полнее раскрыть суть сказанного пожалуйста? Просто мне не совсем понятно, как изменение напряжения увязывается со смещением на базе, что вы здесь имели в виду. Смещение оно же идет по постоянному току/напряжению.
Все модели, используемые при расчетах - это в той или иной степени упрощенная модель Эберса-Молла.jdex писал(а):А можно где-то почитать про модель, приведенную вами?
Iк+ Iб - Iэ = 0
Iк = β⋅Iб
Iк = Iэ - Iб ≈ Iэ
Iб = I₀⋅[exp(Uбэ/Vt) - 1]
Iб₀⋅Rб + Uбэ + Iэ₀⋅Rэ = Eпит
Iк₀⋅(Rб/β +Rэ) + Uбэ = Eпит
ΔIк₀⋅(Rб/β +Rэ) - Iб₀⋅Rб⋅Δβ/β + ΔUбэ = 0
ΔIк₀ = Iб₀⋅Rб⋅Δβ/(Rб+β⋅Rэ) - ΔUбэ⋅β/(Rб+β⋅Rэ)
Учебник по электронике, авторы Опадчий и Глудкин. Там, в главе 6 методы стабилизации рабочей точки усилителя с ОЭ.В частности хотелось бы почитать про исходную функцию Iк₀ = f(Uбэ₀, β) и рассуждения при ее выводе. Спасибо.
