nossudak писал(а):я вас что-то не понимаю:)
Это своё, микроэлектронное.
Дисциплина у нас называлась "Физические основы конструирования и технологии".
Преподаватель объясняет зависимость подвижности неосновных зарядов в полупроводнике от температуры. Доска ( около 3-4 кв.метров ) уже исписана довольно длинным и нудным выводом, почему именно так получается, исходя из физики процессов. Под конец кто-то особо наблюдательный замечает, что исходя из полученной формулы подвижность с ростом температуры падает
Преподаватель: - "Вот #ля, пятый раз пытаюсь вывести эту гребаную формулу, и каждый раз где-то ошибаюсь! Хорошо, пару последних страниц конспекта смело зачёркивайте!"
Некоторое замешательство в зале
Преподаватель : "А вот вам эмпирическая формула ( пишет довольно простую полиноминальную функцию, у которой, правда, целая туча довольно странных коэффициентов типа 1.2345*10-5), которая очень хорошо согласуется с экспериментальными данными..."
И вот так почти везде, если дело касается полупроводников. Теория теорией, а реально расчёт конструкции полупроводниковых приборов идёт с применением "эмпирических формул, которые хорошо согласуются с экспериментальными данными". А то и вообще делается на глазок. В свою очередь, теоретики не в состоянии построить, к примеру, "зависимость напряжения пробоя коллекторного перехода транзистора КТ315 от температуры", хотя они вроде как бы владеют всем необходимым для этого набором формул, которые описывают процессы в этом самом коллекторном переходе.