Транзистор с управляющим p-n переходом. (Rвх макс = 10 000 000...1 000 000 000 Ом)
Схема включения:
Устройство транзистора:
Двухзатворный транзистор:
Комментарий: Из рисунков вы видите, что полярность стока-истока значения не имеет. Потому что канал полевого транзистора униполярен в отличии от биполярности p-n-p или n-p-n транзистора.
Транзистор с изолированным затвором. МДП-транзистор (МОП-транзистор)* (Rвх макс = 10 000 000 000…100 000 000 000 000 Ом)
Полевой транзистор с изолированным затвором — это полевой транзистор, затвор которого отделён в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика.
В кристалле полупроводника с относительно высоким удельным сопротивлением, который называют подложкой, созданы две сильнолегированные области с противоположным относительно подложки типом проводимости. На эти области нанесены металлические электроды — исток и сток. Расстояние между сильно легированными областями истока и стока может быть меньше микрона. Поверхность кристалла полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем (порядка 0,1 мкм) диэлектрика. Так как исходным полупроводником для полевых транзисторов обычно является кремний, то в качестве диэлектрика используется слой двуокиси кремния SiO2, выращенный на поверхности кристалла кремния путём высокотемпературного окисления. На слой диэлектрика нанесён металлический электрод — затвор.
Получается структура, состоящая из металла, диэлектрика и полупроводника. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором часто называют МДП-транзисторами.
Существуют две разновидности МДП-транзисторов: с индуцированным каналом и со встроенным каналом.
В МДП-транзисторах с индуцированным каналом (Обогащенный тип) проводящий канал между областями истока и стока отсутствует и, следовательно, заметный ток стока появляется только при определённой полярности и при определённом значении напряжения на затворе относительно истока, которое называют пороговым напряжением (Uзи пор).
МДП-транзистор с индуцированным каналом:
В МДП-транзисторах со встроенным каналом (Обедненный тип) у поверхности полупроводника под затвором при нулевом напряжении на затворе относительно истока существует канал, который соединяет исток со стоком.
МДП-транзистор со встроенным каналом:
Изображённые структуры полевых транзисторов с изолированным затвором имеют подложку с электропроводностью n-типа. Поэтому сильнолегированные области под истоком и стоком, а также индуцированный и встроенный канал имеют электропроводность p-типа. Если же аналогичные транзисторы созданы на подложке с электропроводностью p-типа, то канал у них будет иметь электропроводность n-типа.
*МДП - металл-диэлектрик-полупроводник, или, что тоже самое МОП - металл-окисел-полупроводник.
