Как же эта схема много десятков лет работала то?[/uquote]
Не знаю, какие у General_Blackbird-а стоят, у меня "первые попавшиеся" КТ502ЕAlexS4 писал(а):а транзисторы то какие?
А зачем у вас аж 4 светодиода?[/uquote]General_Blackbird писал(а):Да. Перепроверил. Почему то точка была не там.
ну да, у мелких транзисторов пробой эмиттера (Vebr) обычно в диапазоне 6..10VKrismi70 писал(а):на 9 В пробойчик наступает, поэтому растёт только до 9
тут вроде только диоды аля Krismi70 , чтоб обойти пробой (их можно и в цепь эмиттера, в случае если не нужен макс размах напряжения на выходе) или резисторы (в любом месте контура) чтоб ограничить ток. или снижать Vcc ниже VebrАлександрЛ писал(а):Нужно с этим что-то делать.
другими словами под действием тепловых импульсов в эмиттере (от которого отвод тепла хуже обычно) транзистор постепенно деградирует по h21e и видимо это может продолжаться до момента когода макс ток коллектора снизится настолько что импульс в эмиттер соседнего транзистора станет уже не-деструктивным, тогда дальнейшая деградация видимо прекратится и схема будет работать 100500 лет ...если не сломается2. Деградация коэффициента усиления (βbeta):
Если ток пробоя не ограничен и процесс повторяется часто (как в автоколебательном мультивибраторе), происходит постепенная деградация кристалла. Основной эффект — необратимое снижение статического коэффициента передачи тока (
[/uquote] Дочитайте файл до конца, измените точку зрения. остается только прверить это экспериментально2. Масштаб падения hFE (конкретные цифры)
Практики отмечают следующую динамику при токах пробоя около 1–5 мА:
• Через 1 минуту: hFE может упасть с исходных 250–300 до 100–120 (падение в 2-3 раза).
• Через 1 час: усиление может снизиться до 30–50.
• Особенность: сильнее всего деградация проявляется при малых токах коллектора (микроамперы). При больших рабочих токах (десятки мА) падение усиления будет менее заметным, но всё равно существенным.
както трудно заставить себя доверять неизвестным источникам ... подтверждаю, замечал такое явление (для 315), но не обращал на это внимание.Масштаб падения hFE (конкретные цифры)
• Через 1 минуту: hFE может упасть с исходных 250–300 до 100–120 (падение в 2-3 раза).
а зачем шунтировать тоАлександрЛ писал(а):Получилось вот так:
.
.[/uquote]. в защиту этой простейшей схемки скажу что энергия импульса обратного пробоя эмиттера там ничтожно маленькая, на многие порядки ниже чем в мультивибраторе, а дальше - запускается лавинообразный процесс (почти) нормальной работы jbt в результате которого транзистор шунтирует электрический пробой своего перехода. а единственное плохое в реверсном включении - это использование эмиттерного перехода (с плохим теплоотводом) в качестве коллектора , при этом макс допустимая мощность коммутируемая транзистором на ~порядок меньше. ну и еще, для реверсного режима подходят не все транзисторы, кроме 2222 должен норм работать 5551 , еще какието из кт502/503/209/208/ (не помню точно)
. 
