Вопрос по транзистору IGBT

[спящий]

Что-то я совсем запутался( У меня транзистор IRGS8B60K.
в низу даташит ,написано Н-канальный, тоесть поидее нужно между затво(gaid) и землей(drain) подать + и чем больеше тем лутше до 20,по схемам тоже в даташите стр.8 показан положительный импулься.
Хотя по графику 5стр. график 10 видно видно наоборот ,чем меньше тем лутше. В итоге закорачиваю Затвор и землю лампа загораеться.
Можно сразу и про Mosfet пояснить. Где надо +, где надо к земле притянуть затвор.

И возможно подсоединить микросхему ULN2003

[neon]

вы очень сильно запутались и запутали остальных. У вас IGBT, а не MOSFET. Какая стоит в итоге задача? Управление IGBT и MOSFET имеет свои особенности. В IGBT до определенной мощности можно использовать однополярные импульсы управления. После определённого предела вводить активное подавление эффекта Миллера, использовать биполярные импульсы или комбинацию этих вариантов. Максимальное напряжение на затворе для IGBT ещё определяет порог выхода из насыщения в открытом состоянии. На этом свойстве может быть построена защита от превышения тока или КЗ. Для MOSFET не желательно использовать биполярные импульсы управления (есть соответствующий документ, но есть и исключения, для тех, кто в теме) и даже при большой мощности можно обойтись активным подавлением эффекта Миллера.

Если у вас мощность не больше нескольких сотен Вт, то можете использовать +15 В. Это относится и к IGBT и к MOSFET. В подавляющем большинстве случаев этого вам хватит. Хотя вы не описали многого и остаётся только гадать. Если схема низковольтная, то ищите MOSFET. Есть и такие, которые способны управляться низким напряжением (логическое управление).

Использовать микросхему ULN2003 не самое лучшее решение, т. к. она представляет из себя набор нижних ключей.

[спящий]

Я просто непойму на счет N и P каналов,а точнее их управляемости - для IGBT.Читал статью про мосфеты затвор надо подтянуть либо к питанию,либо к земле для открытия(собственно в зависимости от канала),наверно от этого и зависит драйвер,верхнего или нижнего ключа?)

[Martin76]

IGBT все N канальные

Читал статью про мосфеты затвор надо подтянуть либо к питанию,либо к земле для открытия(

Нужно не к земле или питанию притягивать, а подавать определенное напряжение между затвором и истоком, а питание у мосфета и 400В и более может быть, да и к земле в полумосте например верхний ключ не притянуть особо.

[neon]

наверно от этого и зависит драйвер,верхнего или нижнего ключа?

это совсем другое. Не смешивайте тип MOSFET, с особенностью управления верхним ключом. Вам необходимо подать сигнал управления относительно истока. Теперь посмотрите где находится исток верхнего ключа и какой там может быть потенциал относительно земли.

[спящий]

Можете нарисовать схему подключение igbt через транзистор чтобы я понял лутше. В инете много информации -но в основном это с драйверами!