EMiq писал(а):Использование конденсатора большой емкости для разрыва ОС при анализе стабильности с разомкнутой ОС не совсем корректно. Не учитываются местные ОС для коррекции усилителя. При этом ошибка расчета запаса по фазе может быть более 10 градусов..
..вы не совсем прАвы..или не правЫ...

...местные ООС как раз учитываются, в качестве аргумЕнта (или аргУмента) могу привести график УМ по ТП Лина, где УН охвачен местной ООС...хорошо видно не только реакцию на изменение глубины ООС, но так же и параметры каскада УН, в частности, уменьшение его выходного сопртивления, что косвенно отражается в увеличении частоты первого полюса из-за ускорения разрядки диффузионных емкостей через выходное сопротивление этого каскада...сейчас ну просто лень вставлять...
EMiq писал(а):Более корректна схема с индуктивностью и емкостью очень больших номиналов и генератором в цепи ОС. Подробнее в модели ниже.
..ну вот опять вы шутите...

...так тоже можно, но о корректности снятия ЛАФЧХ тут, по большому счету, речи совсем нет, и даже не потому, что в цепь общей ООС вводится элемент с собственным импедансом, и даже не потому, что ФВЧ имеет конечную частоту среза, и даже не потому, что не учитывается тот факт, что импеданс ООС и входа (со стороны источника сигнала) различны и, кроме того, на вход (со стороны источника сигнала) действует еще и параллельная ООС, которой он оказывается охвачен через внутреннее сопротивление источника сигнала...да много чего еще...
..."- не читайте перед обедом советских газет .."
..."- так других ведь нет..."
..." - никаких не читайте.."
...
.................
...если хотите снять математически точную ЛАФЧХ, то вспомните свойства усилителя и сделайте это чисто математическим способом, без отключения общей ООС, так тоже можно, и результаты в этом случае будут наиболее полно соответствовать действительности..и, кстати, слабо отличаются от того варианта, как если бы ООС была отключена при помощи конденсатора большой емкости...
EMiq писал(а):От себя добавил в схему SSC выходной источник тока для повышения линейности выходного каскада на низкоомную нагрузку.
..я, конечно, полностью согласен с тем, что транзистор греть престижнее, чем резистор...

..хотя, кстати, если с точки зрения трассировки ПП подойти к этому вопросу, то может быть, такой подход и обоснован - два транзюка, один из которых мелкий, и один из которых стоит на общем HS + мелкий резюк занимают места меньше, чем 5-и ваттный резистор..
