PVD stm32f4

Кто любит RISC в жизни, заходим, не стесняемся.
Ответить
Родился
Сообщения: 7
Зарегистрирован: Пт сен 22, 2017 08:16:53

Сообщение Arthur_1990 »

хочется успеть сохранить данные(пару байт буквально) в момент выключения.

void setting_PWR(void)
{
RCC->APB1ENR|=RCC_APB1ENR_PWREN;
PWR->CR|=PWR_CR_PVDE;
PWR->CR|=PWR_CR_PLS_0| PWR_CR_PLS_1;

NVIC_EnableIRQ (PVD_IRQn);

}
int main()
{
while(1){}
}

void PVD_IRQHandler(void)
{

{ FLASH_Unlock(); //эта вещь
FLASH_ProgramWord(0x08008004,0x122); // рабочая
FLASH_Lock(); //проверил в main
}

}

собственно что не так?

P.S. бегло посмотрел RM0090 скорей всего пропустил чтото. но может кто делал что то подобное))
Реклама
Прорезались зубы
Аватара пользователя
Сообщения: 240
Зарегистрирован: Пн июл 04, 2016 16:51:22
Откуда: Россия, Омск

Сообщение AlanDrakes »

Что именно не работает?

1. Перезаписывать данные поверх старых - нельзя.
2. Вы можете просто не успеть записать слово в память во время пропадания питания.
По тому же даташиту (смотрю на STM32F407) время записи слова - 16...100us. При этом напряжение питания должно быть не ниже 2.1V (крайний нижний порог для записи слова), иначе программирование либо не удастся, либо будет запрещено автоматикой. Судя по Вашему коду, PVD должен сработать когда напряжение опустится до ~2.5V. В этот момент программирование ещё не запрещено, но остаётся очень мало времени.

upd.
Да, перепроверил даташиты снова.
Всё именно так и есть.
Советы:
1. Ставьте конденсаторы по-толще рядом с кристаллом, либо в цепи основного питания. Хотя бы 20-30uF.
2. Напряжение питания -> 3.3V
3. Порог срабатывания PVD -> 3.1V
4. Вообще не писать во Flash память. Это не слишком удачное решение. Поставьте внешнюю батарейку на 3V и храните нужные данные в BackUP SRAM.
Реклама
Друг Кота
Сообщения: 3092
Зарегистрирован: Пн апр 06, 2015 11:01:53
Откуда: москва, уфа

Сообщение arkhnchul »

а setting_PWR() где вызывается?
Ответить

Вернуться в «ARM»