Я тут продолжаю ковыряться с теорией блокинг-генератора. Непонятно из википедии вот что. Момент перед тем как транзистор схлопнется может быть вызван несколькими событиями и один из которых режим насыщения транзистора.
Однако, в первом случае (малого сопротивления), ключ в конце концов не сможет выдавать всё больше тока, что означает что его выходное сопротивление повысится настолько сильно, что падение напряжения на ключе станет равным напряжению питания; в этом случае ключ называется «насыщенным» (например это определяется коэффициентом усиления транзистора hfe или бетой).
И вот тут сразу возникает вопрос: почему написано что в случае насыщения падение напряжения на ключе(видимо переход коллектор-эммитер) станет равно напряжению питания? Я весь интернет обыскал и нашел что в режиме насыщения падение напряжения наоборот минимально, т.к. оба переходы смещаются в прямом направлении. Объясните пожалуйста как это все-таки работает?
