Вы издеваетесь? Человек учится в 8 классе! Ему нужен простой ответ, а не книги, книги он и сам найдет, если не потеряет интерес. А ответ таков. Для схемы ОЭ на обычных современных кремниевых транзисторах, в практических применениях можно использовать следующие формулы.
Входное сопротивление.
Входное сопротивление примерно равно произведению коэффициента передачи тока базы (h21э) на сопротивление эмиттерной цепи, состоящее из последовательного соединения внешнего резистора Rэ и сопротивления тела эмиттера (rэ), которое, в свою очередь, равно отношению температурного потенциала (Ut=26 мВ) к току коллектора (Iк).
Другими словами, Rin = h21э*(Rэ+Ut/Iк)
Откуда берется этот температурный потенциал и как он связан с постоянной Больцмана и зарядом электрона - вопрос, ответ на который можно найти в тех самых книгах, правда, не во всех.
Для практических расчетов достаточно брать h21э порядка 100, это позволит оценить реально достижимую величину входного сопротивления.
Выходное сопротивление.
Выходное сопротивление примерно равно величине сопротивления параллельного соединения внешнего резистора в коллекторной цепи (Rк) и сопротивления, равного отношению напряжения Эрли (Uy) к току коллектора (Iк).
Получается, что Rout = Rк||(Uy/Iк)
Для практических расчетов можно брать напряжение Эрли равным 60-80 В для p-n-p транзистора и 100-120 В для n-p-n транзистора.
Учитывая оценочный характер расчетов (точный не имеет смысла из-за разброса параметров отдельных транзисторов и зависимости их от температуры и рабочего тока) можно считать ток коллектора равным току эмиттера.
Интересным следствием этих формул является то, что предельный коэффициент усиления схемы ОЭ не зависит от тока коллектора и равен отношению напряжения Эрли к температурному потенциалу (порядка 4000).
Like the eyes of a cat in the black and blue...