Подскажите какая существует интегральная оценка качества дискретного транзистора?
Давайте пройдемся по типам транзисторов:
1. FET
2. JFET
3. MOSFET
4. Multi Gate
Например: Для MOSFET параметры R(DS)ON и QG (заряд затвора) противостоят друг другу.
MOSFET с низким сопротивлением включенного состояния имеет больше заряд затвора, и наоборот.
Поэтому результат произведения этих параметров хорошо характеризует транзистор MOSFET, для него придумали специальное название
- Figure Of Merit (FOM), метрика качества FOM = R(DS)ON * QG . Еще одна метрика качества самоочевидная это частота единичного усиления F1.
А можно так FOM= ( R(DS)ON x F1) / QG ???
А какие FOM-ки Вы знаете для открытия FET ???
Транзисторы Лучшие из лучших
Транзисторы Лучшие из лучших
"Every profession is a conspiracy against the uninitiated" (B. Shaw)
"A textbook can be defined as a book unsuitable for reading" (B. Shaw)
Tautology is humor in "this" place (Vigo Carpathian)
"A textbook can be defined as a book unsuitable for reading" (B. Shaw)
Tautology is humor in "this" place (Vigo Carpathian)
- Реклама
- Реклама
Re: Транзисторы Лучшие из лучших
Не надо мне Ваших отсылок к потенциальным противникам да еще Афромериканцам
Si2306 555pF*0.046 Om = 25,53 FOM
Si2307 565pF*0.064 Om = 36,16 FOM
BF862 10pF*60 Om = 600 FOM
2N7002 25pF*3,5Om = 88 FOM
BF998 1,05pF*10 Om = 10 FOM
Значит ли это, что BF998 произведенный NXP в 1991 году превосходит по технологии ПП Si2306 произведенным позже в 2003 году?
То получается, что JFET BF862 отстает с его f1= 715 MHZ и, находиться на уровне отечественных транзисторов, отставая на порядок (10 раз) от NXP 1991 года.
У BF998 выходит эквивалентная f1~8GHZ
А у Si2306 выходит эквивалентная f1~4GHZ если его использовать как усилительный а не переключатель, вместе к комплиментарной парой Si2307.
2N7002 выходит эквивалентная f1~2,2 GHZ ограниченно годиться.
А диоды использовать PIN типа BAR64 6GHZ.
FOM чем меньше тем лучше.
Хочу промоделировать инструментальный усилитель с плоской вершиной АЧХ и ФЧХ до 300 MHZ.
Si2306 555pF*0.046 Om = 25,53 FOM
Si2307 565pF*0.064 Om = 36,16 FOM
BF862 10pF*60 Om = 600 FOM
2N7002 25pF*3,5Om = 88 FOM
BF998 1,05pF*10 Om = 10 FOM
Значит ли это, что BF998 произведенный NXP в 1991 году превосходит по технологии ПП Si2306 произведенным позже в 2003 году?
То получается, что JFET BF862 отстает с его f1= 715 MHZ и, находиться на уровне отечественных транзисторов, отставая на порядок (10 раз) от NXP 1991 года.
У BF998 выходит эквивалентная f1~8GHZ
А у Si2306 выходит эквивалентная f1~4GHZ если его использовать как усилительный а не переключатель, вместе к комплиментарной парой Si2307.
2N7002 выходит эквивалентная f1~2,2 GHZ ограниченно годиться.
А диоды использовать PIN типа BAR64 6GHZ.
FOM чем меньше тем лучше.
Хочу промоделировать инструментальный усилитель с плоской вершиной АЧХ и ФЧХ до 300 MHZ.
"Every profession is a conspiracy against the uninitiated" (B. Shaw)
"A textbook can be defined as a book unsuitable for reading" (B. Shaw)
Tautology is humor in "this" place (Vigo Carpathian)
"A textbook can be defined as a book unsuitable for reading" (B. Shaw)
Tautology is humor in "this" place (Vigo Carpathian)
Re: Транзисторы Лучшие из лучших
BF998R Испытал в Микрокап
Теперь попробую каскодно включить BF998R + BFR93.
"Every profession is a conspiracy against the uninitiated" (B. Shaw)
"A textbook can be defined as a book unsuitable for reading" (B. Shaw)
Tautology is humor in "this" place (Vigo Carpathian)
"A textbook can be defined as a book unsuitable for reading" (B. Shaw)
Tautology is humor in "this" place (Vigo Carpathian)
- Реклама
