Eggi писал(а): Пн июн 15, 2026 09:54:09
у этих (\(V_{GS}\) Max): ±12 В. , надо на 3.2в и на 2.1в
То есть, разницы между Gate-Source Voltage и Gate Threshold Voltage вы не знаете?
Видимо, поэтому вы и спрашивали:
Eggi писал(а): Пн июн 15, 2026 08:44:14
мосфет с VGS 3.2 в и 2.1 в. А также подскажите, если я подам на них напряжение чуть выше, например 3.5в и 2.3в они от этого перегорят?
Gate-Source Voltage это максимально допустимое напряжение на затворе относительно истока, оно бывает от 10 и до 20, и больше вольт,
любой полярности.
Gate Threshold Voltage это напряжение, при котором мосфет полностью открывается, что вас, собственно, и должно интересовать.
А почему такие значения "точные"- "с VGS 3.2 в и 2.1 в."
Вот, например:
100N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А 105Вт 0.0038Ом [DPAK / TO-252.]
https://www.chipdip.ru/product/100n03a- ... 9001106013
Даташит:
https://static.chipdip.ru/lib/303/DOC021303755.pdf
Таблица- "Absolute Maximum Ratings"
Gate-Source Voltage ±20V - то есть, затвор транзистора выдерживает подачу на него от минус 20 вольт до плюс 20 вольт.
Таблица Electrical Characteristics раздел ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage Min. 1.0V Typ. 1.7V Max 2.5V
Это означает, что, некоторые транзисторы могут открыться при напряжении на затворе 1,0 вольта, большинство транзисторов откроется при напряжении на затворе 1,7 вольта, и все исправные транзисторы откроются при напряжении на затворе >2,5 вольта.
Заходите на сайт чипдипа (там неплохие фильтры, и, большинство деталей сопровождаются даташитами), выбираете нужный раздел:
https://www.chipdip.ru/catalog/tranzist ... ceup&ps=x3
и смотрите даташиты на транзисторы
