универсальный тестер для всех электронных компонентов

Здесь принимаются все самые невообразимые вопросы... Главное - не стесняйтесь. Поверьте, у нас поначалу вопросы были еще глупее :)
Ответить
Родился
Сообщения: 15
Зарегистрирован: Ср сен 21, 2011 21:46:27

Сообщение nigyl »

появилась такая идея, сделать универсальный тестер для всех электронных компонентов от резистора до контроллера.
делать планирую на основе PC, ибо есть ацп-цап. ды и программист я не плохой.
подскажите пожалуйста теорию.. т.е. как это все тестировать? какие тесты бывают для каких схем или компонентов? и алгоритмы этого тестирования..
Реклама
Мудрый кот
Аватара пользователя
Сообщения: 1772
Зарегистрирован: Пт июл 08, 2011 14:06:26
Откуда: DC

Сообщение KaRaTeL »

Про резисторы все должно быть ясно. К конденсаторам бы еще добавить измерение esr и потерь. Диоды - прямое падение при 2х вариантах тока (малый, большой), и обратное напряжение до 40В - для стабилитронов. Измерение времени восстановления на заметном токе. Биполярные транзисторы - h21, мб напряжения лавинного пробоя. Полевые - вах или какую-либо зависимость сопротивления от напряжения на затворе при хотябы небольшом токе, можно еще время восстановления обратного диода. Для igbt - временные характеристики, и параметры встроенного диода(если есть). С мк уже сильно сложнее, уж очень их много и разные корпуса.
Вот такое устройство хотелось бы видеть мне, но вот реализовывать его мягко говоря затрахаешься.
Дежурный экзорцист
Реклама
Родился
Сообщения: 15
Зарегистрирован: Ср сен 21, 2011 21:46:27

Сообщение nigyl »

а можно по подробнее?
кстати..и контроллер, если скажите как тестировать,я реализую..

ситуация в том, что на программном уровне я могу реализовать что угодно..так что расскажите мне:
по каждому из элементов электроники, что снимать в какой последовательности, и каким образом рассчитывать?

пример приведу:
........ - подавать напряжение, снимать его же, рассчитывать ..., проверять на пробой..и как это делать.
Мудрый кот
Аватара пользователя
Сообщения: 1772
Зарегистрирован: Пт июл 08, 2011 14:06:26
Откуда: DC

Сообщение KaRaTeL »

На вскидку скажу - аппаратная часть должна иметь пару-тройку ацп, и пара цап, один с мощным (до 500ма бы неплохо) выходом.
Про методику проверки конденсаторов особо не знаю (ну а как емкость измерить, наверное, ясно, или мерить сопротивление на некоторой частоте, или замерять фронт-спад при заряде известным током).
Диод - подать в одном направлении ток в 1ма, если падение напряжение меньше единиц вольт - вывести его на экран, увеличить ток и не большем токе и его тоже отобразить. Можно повышать плавно с небольшим шагом и построить график (вах). Если падение напряжение больше единиц вольт, то подать в другой полярности и провести те же действия. Далее, в другой полярности подать ток в 1ма, измерить падение напряжения (если получится). Время обратного восстановления измерять можно по-разному. Например, схема в 9м рисунке http://www.irf.com/product-info/datashe ... 15tb60.pdf .
Биполярные транзисторы - измерителей h21 полно, найти не проблема. Грубо говоря, подавать ток в базу и сравнивать его с коллекторным.
Для полевых транзисторов - сток исток - источник тока в (100-500ма), на затво-исток подавать напряжение от нуля с шагом 0.1-0.5В и замерять падение напряжения на переходе (да и ток, в начале сопротивление канала может быть значительным). Построить график, отдельно вывести напряжение начала открытия и сопротивление при 5 и 15 В на затворе. Конечно, такие данные не будут точны, т.к. сопротивление с большим током увеличится, но оценить порядок можно будет. Измерителем емкости замерить емкость затвора при 5 и 15(10)В, пересчитать в кулоны и вывести (а можно и не пересчитывать).

Igbt - также как и для полевого построить вах, вывести падение напряжения при 15В. Затем замерить временные параметры - очень быстро зарядить затвор и сделать за токов (транзистор кормить источником тока). Время задержки включения - время от начала заряда затвора до достижения тока 10% от номинального, время фронта - нарастание от 10 до 90%. Разряжаем затвор (драйвер немалый импульсный ток выдавать должен), замеряем время задержки - со 100% до 90 и время спада - с 90% до 10.

Мк - запрос на чтение фьюз битов, или еще что-нибудь. На разных семействах эти дела по-разному.

Может где ошибся, под вечер уже не так соображаешь.
Дежурный экзорцист
Реклама
Эиком - электронные компоненты и радиодетали
Сверлит текстолит когтями
Аватара пользователя
Сообщения: 1292
Зарегистрирован: Сб апр 21, 2007 10:40:53

Сообщение Maks »

nigyl писал(а):ситуация в том, что на программном уровне я могу реализовать что угодно
Мы не здесь не один раз про это говорили.
Программирование само по себе мертвые знания. Кроме программирования нужно быть специалистом в какой либо отрасли знаний и не важно в какой. Вот тогда Вам цены не будет.
Вот и здесь про это говорили уже.
http://www.radiokot.ru/forum/viewtopic. ... 0#p1031560
Поэтому учитесь. Чем раньше начнете учиться, тем лучше.
А измерительная техника это довольно сложная наука и её нельзя постигнуть вот так задавая вопросы на форуме.
Контактная информация:
Реклама
Друг Кота
Аватара пользователя
Сообщения: 16545
Зарегистрирован: Вт сен 07, 2010 03:01:06
Откуда: Moscow-Izmaylovo

Сообщение m.ix »

типа такого?
Изображение

Изображение

Изображение

Его давно придумали
Для стабилитронов тоже есть
а вод для микросхем - это полная бредятина - тут БЭСМ с роботроном минимум надо
Лечу лечить WWWашу покалеченную технику.
Контактная информация:
Реклама
Родился
Сообщения: 15
Зарегистрирован: Ср сен 21, 2011 21:46:27

Сообщение nigyl »

ну в каком то месте может такой же.. тока намного интересней..

а на счет придумали.. ды в мире много че придумали, но не все и не везде нейдешь..

а есть от этой штуки алгоритмы или формулы расчетов?
Мудрый кот
Аватара пользователя
Сообщения: 1732
Зарегистрирован: Сб окт 10, 2009 17:16:58
Откуда: Россия.

Сообщение Jemchug »

nigyl писал(а):алгоритмы или формулы расчетов?
Конкретно для транзисторов для начала нужно почитать здесь.
http://www.google.ru/search?sclient=psy ... m=&gs_upl=
Там прописаны все методики измерения параметров транзисторов.
Для других радиоэлементов соответственно.
Контактная информация:
Ответить

Вернуться в «Теория»