все доброго времени суток,вот есть задумка собрать хороший фонарь на хорошем светодиоде,..
но не нашел драйвера,подходящего мне,.. и знаю,что тут люди отзывчивые очень, всегда погогут
вот собственно надо чтоб выдерживал напряжение до 35 вольт и давал ток 3 ампера.
заранее очень благодарен за любые советы и ссылочки!!!
[img]http://radiokot.ru/forum/download/file.php?id=93376[/img][i][color=#000080][size=85]Между людьми возникает напряжение, если у них разный потенциал...[/size][/color][/i]
denislichko писал(а):
надо чтоб выдерживал напряжение до 35 вольт и давал ток 3 ампера.
Вот нафига, а? Сейчас для светодиодного фонаря стандартный источник питания - литиевая аккумуляторная батарея с напряжением 4,2В. Пока напряжение на ней не достигнет 3,1-3,2В, светодиод запитывается через понижающую схему, которая при разряде аккумулятора переходит в режим прямого питания.
надо чтоб выдерживал напряжение до 35 вольт и давал ток 3 ампера
Однажды я столкнулся с такой же проблемой. Пришлось экспериментировать с разными контроллерами, пока не остановился на TPS40211 (http://www.ti.com/lit/ds/symlink/tps40211.pdf). На рис.36 (Figure 36) почти твой вариант: 35V, но 2А. Так как в Даташите приведены подробные формулы для расчетов и дан пример, легко пересчитать под твой вариант. Стоит обратить внимание на то, что в схеме на рис.36 (Figure 36) есть расхождения значений номиналов элементов с расчетами, которые я объяснить не могу. Например: по расчетам дроссель должен быть на 33uH, а в схеме указан на 10uH. Cебе я делал согласно расчетов. Проблем никаких, все работает сразу и хорошо. С номиналами из Даташита экспериментировать не рискнул. Для себя занес формулы в Excel, так что на расчеты теперь время тратить не надо.
На схеме все номиналы указаны под твой вариант согласно расчетов. Частоту я задал в 200kHz, если задать меньше, уменьшатся динамические потери в MOSFET-транзисторе, но увеличатся размеры дросселя, если задать больше, уменьшатся размеры дросселя, но увеличатся динамические потери в MOSFET-транзисторе. Дроссель должен быть на рабочий ток не менее 9,84А и ток насыщения не менее 10,7А как можно с наименьшим сопротивлением. На резисторе R7 будет рассеиваться 0,34W, на резисторе R8 будет рассеиваться 0,8W, на MOSFET-транзисторе будет рассеиваться около 2,5-3W (если использовать показанный для примера IRFR1018EPbF). MOSFET-транзистор необходимо подобрать с наименьшим сопротивлением канала открытого MOSFET транзистора R(DS) и наименьшей величиной заряда затвора Q(G) для уменьшения статических и динамических потерь соответственно. Следует отметить, что подобрать транзистор с наименьшими R(DS) и Q(G) одновременно не всегда получается, а при напряжении на транзисторе более 30V вообще невозможно. Поэтому необходимо искать компромисс. И еще: через контакт выключателя будет протекать большой ток, поэтому лучше питание подать на схему напрямую, а включать/выключать через 3 ножку согласно Даташита. Источником питания выбран свинцовый аккумулятор. http://s019.radikal.ru/i614/1203/64/668c840a162f.gif
Последний раз редактировалось Starichok51 Вс мар 25, 2012 23:11:03, всего редактировалось 1 раз.
Причина:удалил слишком большой рисунок из текста
