Усилитель для токового зеркала

[-=Женек=-]

Господа, есть микросхема - драйвер лазерного диода для лазерного принтера.
Вот схема http://www.mirpu.ru/images/stories/Prin ... _dr_10.png

Вот вся статья про микросхему http://www.mirpu.ru/print/38-laserprint ... b199cef8d8

Хочется поставить диод помощнее.
Реально ли это сделать, если питать диод не через транзисторы токового зеркала, находящиеся в микросхеме, а через внешние, базы которых подсоединить соответственно к выводам 18 и 19 на схеме?

Почему я спрашиваю, реально ли? Микросхема очень хитрая, хитро контролирует ток, постоянно корректирует мощность изучения. РУлил я этой микросхемой, отключал функцию контроля мощности - яркость лазерного диода постепенно уплывала.

Так вот, можно ли как-то обмануть эту микросхему внешними транзисторами, или же для этого необходимо вмешательство в саму микросхему (что в рпинципе нереализуемо). Ведь собирают же на основе 1-амерных импульсных микросхем регуляторов более мощные преобразователи добавлением внешнего транзистора. Очень хотелось бы рулить мощным диодом именно этой микросхемой, так как она - идеал по функциям и быстродействию.

Зачем надо? Хочу повторить проект одного немца, который осуществлять прямую засветку фоторезиста. У меня уже практически получилось - без юстировки диаметр пятна 0.1 мм (250 dpi), а вот время засветки от 30 мВт диода - уж очень большое.

[El-Eng]

Реально ли это сделать, если питать диод не через транзисторы токового зеркала, находящиеся в микросхеме, а через внешние, базы которых подсоединить соответственно к выводам 18 и 19 на схеме?

По-другому надо делать. RL (вывод 19) трогать не надо. Надо отразить ток с вывода 18 микросхемы (LD) токовым зеркалом на p-n-p транзисторах в сторону земли (можно с коэффициентом передачи тока меньше единицы), а этот отраженный ток еще раз отразить, в сторону питания, токовым зеркалом на ОУ и MOSFET, обеспечив нужный суммарный коэффициент передачи тока. ЛД поставить в цепь стока MOSFET. Цепочку Cd и Rd нужно поставить параллельно ЛД.

[-=Женек=-]

шо то сложно для моего понимания... Нельзя ли схемку?

[-=Женек=-]

....

[El-Eng]

Нельзя ли схемку?

Вот как-то так:

LD.png

(3.88 КБ) 1403 скачивания

[-=Женек=-]

Попробовал. Не работает.
Транзистор Q4 не открывается....

[El-Eng]

Вы шунтируете цепь резистором R3. Он там не нужен вовсе. Весь ток коллектора Q1 должен течь через Q5. R9 тоже не нужен. Q1 и Q2 нужно включить как чистое токовое зеркало, структура внутри микросхемы показана условно. Значения резисторов в единицы ом не очень практичны, их нужно увеличить раз в 10-100.

[-=Женек=-]

Переделал. Вроде работает. Менять Q1 и Q2 не хочу - с ними модель работает как в реале. Склонен все-таки верить схеме производителя.

[-=Женек=-]

El-eng,
кстати.. совет насчет убрать R3 внес определенные проблемы. Микросхема должна думать, что с выхода 18 течет 100 мА. Стало течь 25 мА.
Поставил R4 на 10 ом, но от этого уменьшился максимальный ток диода и стабилизационные способности схемы, кобминацией остальных резисторов ничего исправить не удалось.

[El-Eng]

Вы пишете про реальную работу или про симулятор? R4 нужно было не уменьшать, а увеличивать. Советую внимательно изучить принцип работы токового зеркала.

Cледите, чтобы наряжение на коллекторе Q4 относительно земли было меньше, чем на базе. IRF520 не лучший MOSFET для вашей цели, желательно подобрать что-нибудь с пороговым напряжением около 1В (чем меньше, тем лучше). ОУ нужно взять Rail-to-Rail по выходу, по входу - Rail-to-Rail или Negative Includes Ground.

[-=Женек=-]

Посоветуйте доставаемый ОУ, подходящий для этой задачи.

[El-Eng]

Например, MCP601.

[-=Женек=-]

Вот шайтан... у меня как раз одна MCP601 завалялась...
IRLL3303 http://www.irf.com/product-info/datashe ... ll3303.pdf
Пойдет?

Биполярники какие лучше взять?

[El-Eng]

IRLL3303 пойдет?

Да. Возможно, понадобится теплоотвод. Биполярные - любые кремниевые эпитаксиально-планарные (современные ), выдерживающие, с некоторым запасом, рабочий ток и способные рассеять рабочую мощность. Лучше, чтобы h21e был порядка 100 или более. Не дарлингтоны!

[-=Женек=-]

Cледите, чтобы наряжение на коллекторе Q4 относительно земли было меньше, чем на базе.

А это зачем?

[El-Eng]

Это условие (с небольшим запасом) работы транзистора в активном режиме (эмиттерный переход открыт, а коллекторный - закрыт). Токовое зеркало потеряет свою функцию при несоблюдении этого условия. Следить, здесь, означает проверить при отладке, что условие соблюдается.