Форум РадиоКот

[uquote="КРАМ",url="/forum/viewtopic.php?p=3921543#p3921543"]Экстраполировать можно семейство графиков:
10 мс - 100 Вт
1 мс - 180 Вт
0,1 мс - 800 Вт
0,01 мс - 1440 Вт
0,001 мс - 6400 Вт [/uquote]
Экстраполировать можно всё что угодно и как угодно. Вопрос в том, какое это отношение имеет к ...

[uquote="КРАМ",url="/forum/viewtopic.php?p=3921349#p3921349"](ПОЛСЕКУНДЫ, Карл!!!)[/uquote]
Скорость срабатывания предохранителя, зависит от тока проходящего через него, внезапно.
Открываем даташит https://www.bourns.com/pdfs/mfmsmf.pdf, ищем табличку Fault Current / Time To Trip, и смотри значение ...

Полторы МИКРОсекунды? Вы ничего не напутали? Какой предохранитель у вас срабатывает за 1,5 мкс? Вы вообще о чем?
Выброс мощности при переходном процессе (начале открытия транзистора) длится полторы микросекунды. Потом мощность падает (за счет того, что транзистор продолжает очень медленно ...

[uquote="КРАМ",url="/forum/viewtopic.php?p=3920423#p3920423"][uquote="MeAssert",url="/forum/viewtopic.php?p=3919651#p3919651"]Потому, что смотрю я в даташит, и кроме Power Dissipation...[/uquote]
В даташите есть самая важная диаграмма регламентирующая импульсные режимы работы.
Называется она SOA ...

Посмотрите MIC29302, падение меньше 0.4В. Но от 3В SIM800C или что там у вас работать не будет, там пики по 2А очень широкие, и без больших емкостей, будет просаживать даже такой LDO, очень желательно на вход дать ему 4В минимум.

Почему то, тут все хором утверждают, что чем быстрее открывается MOSFET, чем больше ток затвора, тем меньше выделяется тепловой мощности при переключении, и вообще, открывать MOSFET быстро, это всегда хорошо. А вот и нет. Потому, что затвор MOSFET, это не ёмкость, а три связанные емкости, затвор ...

Спроектировал я значит цепь защиты от КЗ и перегруза током для некого N полевика. Схему не привожу, тк суть не в ней. Драйвер без встроенной защиты от КЗ. Защита внешняя, трех уровневая: тиристор, предохранитель, компаратор + МК. Проверил все переходные процессы в симуляторе, с учетом тепловой ...