Я где-то читал, что электронов нет и земля плоская...
Но мы на техническом форуме, так что следует изучать научно-техническую базу.
А база у транзистора есть. И физически, и логически.

Оказывается, и сто лет назад назад Тормоз занимался своим привычным делом - тормозил.

Так это давно было щас то я круче стал, теперь знаю как коллектор от эмиттера отличить...

В режиме двойной инжекции именно это и происходит.



Разница есть. Эмиттер меньше физически и степень легирования также разная.

Открывается ссылка - это типовая лаба в PDF по исследованию BJT, но там хорошая преамбула по энергетическим уровням и носителям зарядов. Не знаю, что там придумали для простоты, возможно, надо искать и смотреть англоязычный патент в оригинале. Заодно замечу, что полевой транзистор изобретён "в теории" в 1926 году (практически не изготовлен ввиду отсутствия технологии обработки соответствующих материалов), а биполярник был презентован в 1947 году, то есть, двадцать лет понадобилось учёным, чтобы вообще въехать в ситуацию как оно там работает, и фактически все работы были основаны именно на направлении, заданном при работе над полевым транзистором.

Энергетические уровни и носители зарядов - это любопытно, но бесполезно. Я когда-то сдавал экзамен, кое-что из курса помню до сих пор, но зачем - неизвестно. У Хоровица и Хилла хорошо сказано о диоде, всего две строки: "Вольт-амперная характеристика диода показана на рис. 1.67. (Придерживаясь принятого нами подхода, не будем объяснять физику явлений, определяющих функционирование этого элемента.)" И никаких дырок-электронов.

Зачёт, поддержал, нефиг лазить так глубоко.

Это не глубоко, а далеко. В сторону.

Хорошее оправдание заблуждений, годное. С опорой на авторитеты.

Ну, водила, например, оправдывает свои заблуждения относительно кристаллического строения стали на разных участках коленчатого вала,
опираясь на авторитет диспетчера, который указал маршрут в путёвке.

Для сборки схем на транзисторах необязательно влезать в дырки или электроны...
Достаточно знать, как оно всё работает на уровне токов.