У полевых транзисторов, в т.ч. МОСФЕТов (и у радиоламп, т.к. они чем-то похожи), есть некий параметр, обозначающий усиление. Называется "крутизна" (я не шучу!). Или по-иностранному "Forward Transconductance", или Gfs. Равна отношению изменения тока стока к изменению напряжения на затворе (исток-затвор). Измеряется в А/В или в Сименсах. Чем крутизна больше, тем лучше (меньшим напряжением затвора можно открыть и закрыть транзистор). В справочных параметрах указывается, обязательно, но с указанием, при каком напряжении Исток-Сток и Токе Стока снимался. Поскольку крутизна зависит от напряжений и токов, обычно приводится полезный график (вернее, серия графиков) выходных характеристик (ток затвора от напряжения исток-сток, при разных напряжениях исток-затвор). А также график передаточной характеристики (ток стока от напряжения исток-затвор при фиксированном напряжении исток-сток).
Cybermouse писал(а):Нашел Gfs для IRF740, написано 5.8, как это понимать? Больше ли это чем h21э равное 4 у моего КТ812А? И если больше то во сколько раз?
Это как "теплое" и "мягкое", и их сравнивать, что из них лучше. Если идея состоит в тупой замене KT812A на IRF740, то лучше сразу похоронить эту идею. Грубо говоря, биполярные транзисторы усиливают ток, а у полевых ток затвора ничтожен ( если не учитывать ток заряда паразитных ёмкостей ) и управление происходит напряжением. Кроме того, IRF740 - мощный MOSFET, у которого очень сильная ( и совершенно ненормированная) нелинейность передаточных характеристик, поскольку он предназначен только для импульсных режимов (либо полностью открыт, либо полностью закрыт)
In theory, theory and practice are the same. In practice, they're not.
Tolmi писал(а):Кроме того, IRF740 - мощный MOSFET, у которого очень сильная ( и совершенно ненормированная) нелинейность передаточных характеристик, поскольку он предназначен только для импульсных режимов (либо полностью открыт, либо полностью закрыт)
Это большая неправда.
От VGS(th) = 4 В, максимального порога проводимости, до 6 В на затворе у него идеально линейная зона. В этой области MOSFET можно воспринимать как управляемый напряжением резистор.
И только при 8 Вольтах этот транзистор(IRF740) полностью откроется до минимального значения RDS(on) = 0.55 Ом.
<= Жалобная кнопка в правом нижнем углу... )
