Как управлять p-канальным MOSFET-ом

Seleron

Не подскажете, нужно ли ставить дополнительный ключ на биполярном транзисторе перед р-канальным MOSFET-ом типа IRF7314, IRL6302 и т.п., с учетом того, что MOSFET управляется МК (0-5В) и нагрузка к нему подключена тоже от 5В. Знаю, что при подключенной нагрузке, больше 5В - надо (как год назад я схемку делал, мне все завсегдатые помогали

).
За это время забыл уже как открывается и закрывается р-канальный транзистор.

Реклама

YAA · Сообщение **YAA** » Пт дек 11, 2009 16:37:00

Seleron писал(а):Не подскажете, нужно ли ставить дополнительный ключ на биполярном транзисторе перед р-канальным MOSFET-ом типа IRF7314, IRL6302 и т.п., с учетом того, что MOSFET управляется МК (0-5В) и нагрузка к нему подключена тоже от 5В. Знаю, что при подключенной нагрузке, больше 5В - надо (как год назад я схемку делал, мне все завсегдатые помогали ).
За это время забыл уже как открывается и закрывается р-канальный транзистор.

Если напряжения питания и управления равны, то можно напрямую без дополнительных транзисторов...
Управляется он так же, как N-канальный - относительно своего истока (подложки). Разница только в том, что отпирающее напряжение должно быть отрицательным (относительно истока).

Реклама

Seleron

Спасибо за ответ, думал не дождусь. Отрицательным - это приложенному в обратном направлении? Что-то типа этого?

gecube

Да, что-то типа такого.
Только не понимаю зачем нужен R1.
И лучше было бы:
- подписать G/D/S-контакты полевика
- IRF7314, а не IRF73141 (видимо, подразумевается половинка от всего у-ва). И где встроенный диод?

Реклама

YAA · Сообщение **YAA** » Сб дек 12, 2009 15:45:26

gecube писал(а):Да, что-то типа такого.
Только не понимаю зачем нужен R1.
И лучше было бы:
- подписать G/D/S-контакты полевика
- IRF7314, а не IRF73141 (видимо, подразумевается половинка от всего у-ва). И где встроенный диод?

Если выход - нормальный, пушпульный, то R1 не нужен. Вот если выход - открытый коллектор (сток), то нужен.

Контакты полевика обозначены в самОм УГО транзистора - вывод затвора рисуется напротив вывода истока.

Встороенный диод, в принципе, есть всегда - это связано с технологией изготовления полевых транзисторов. Поэтому часто его не изображают на схемах... Хотя, в некоторых транзисторах встраивают специально дополнительный обратный диод. Что из этого в IRF73... не знаю, а смотреть лень...

Реклама

gecube

YAA
1) обозначать ноги - хороший тон. Тем более это удобно, когда нужно схему воплощать в реальность
2) В полевом транзисторе наблюдается определенная симметричность. К тому же можно встретить такое обозначение:

3) Полевых транзисторов не один тип. Есть JFET, есть MOSFET. Остальные же встречаются на практике гораздо реже.

Что из этого в IRF73... не знаю, а смотреть лень...

Реклама

YAA · Сообщение **YAA** » Сб дек 12, 2009 16:59:30

gecube писал(а):YAA
1) обозначать ноги - хороший тон. Тем более это удобно, когда нужно схему воплощать в реальность
2) В полевом транзисторе наблюдается определенная симметричность. К тому же можно встретить такое обозначение:
3) Полевых транзисторов не один тип. Есть JFET, есть MOSFET. Остальные же встречаются на практике гораздо реже.

Схем можно встретить много и разных...
На Вашей схеме и обозначения резисторов какие-то странные - похожи на индуктивности...

Лично я предпочитаю обозначения УГО по нашему ГОСТу. Тогда не возникает необходимости подписывать где эмиттер, а где исток, где база, а где затвор.... Кроме того полевые транзисторы с затвором из PN перехода, с встроенным каналом и индуцированным каналом, с отдельным выводом подложки и т.п. - тоже обозначаются по разному... Вот это, по-моему, хороший тон - пользоваться стандартами при составлении документации. Вот смотришь на схему Seleron, и сразу понятно, что нарисован P-канальный МОП транзистор с индуцированным каналом, причём видно где исток, где сток, а где затвор (единственное, чего не хватает - кружочка вокруг транзистора, обозначающего корпусной элемент).

Seleron

Спасибо еще раз.
R1 оставил по привычке (для n-канальных он нужен, то ли для быстрого переключения, то ли для защиты - на помню уже). Судя по схеме (прикреплена) для n-канального MOSFET-а МК прошит не с пуллапнутыми ножками - там стоят м/у выходами МК и затворами транзисторов резисторы (их номинал тока не указан). А уж по-поводу корпуса и обозначений - рисовал в sPlane на скорую руку.

El_Dinamita

Всем доброго времени суток!

Есть необходимость управления довольно мощной лампой с помошью кнопки. Для этого используется р-канальный мощный полевик. Скажите, правильно ли я подключил его для управления и помогите разобратся с номиналами резисторов. Я в этом не силен просто. И объясните, пожалуйста для чего эти резисторы и как высчитываются.

Заранее спасибо!

Барсик

Нарисовано правильно. Для 12 вольт резистор R1 вообще не нужен. Кнопку подключайте между затвором и общим проводом. Резистор R2 можно взять 10 - 20 кОм.
Резистор R2 нужен, чтобы транзистор был закрыт при разомкнутых контактах кнопки. В принципе, может быть любым. Но не может быть слишком маленьким - будет большой ток через кнопку. И не может быть слишком большим - транзистор будет слишком медленно закрываться из-за ёмкости затвора.
Резистор R1 нужен, если коммутируемое напряжение превышает допустимое напряжение затвор-исток (20 вольт). Вмести с резистором R2 образует делитель напряжения, чтобы ограничить напряжение затвор-исток на уровне 8 - 15 вольт.

El_Dinamita

Спасибо! Сегодня соберу

Alex Li

Не подскажете, где ошибка в Н-мосте? Верхние по схеме - р-канал, нижние - n-канал, управляемые лог. уровнем. При включении даже без нагрузки р-канальные транзисторы начинают греться вплоть до пробоя (сгорело 3 шт). Без нагрузки на Source обоих P-канальников по 2,7-3в - они не совсем закрыты. На каждый полевик ставил биполярник, чтобы увеличить скорость срабатывания, т.к. с частотой ШИМа не определился.

Alter Ego

В схеме много ошибок.
Т3 и Т4 только на схеме подключены неправильно или в железе тоже?
Напряжение на затворах Т1 и Т2 равно напряжению питания МК минус падение напряжения
Б-Э Т6 (Т7), т.е. около 4 В, а этого мало для полного открывания Т1 и Т2.
Зачем там Т9 - непонятно.
10 кОм между затворами и стоками может быть слишком много - зависит от частоты
и длительности паузы.

Alex Li

T3 и T4 на схеме просто забыл развернуть. На плате правильно.
T1 и Т2 работают нормально - не греются даже до 100 гр., хотя потом, возможно, займусь и ими.
T9 - аппаратная "защелка", не позволяющая подать лог. единицу одновременно на обе пары транзисторов. Перестраховка, ведь это моя первая схема на микроконтроллере.
Насчет 10кОм - учту, когда дойдет до испытания ШИМа, а пока Т3 с Т4 греются даже без нагрузки, предположительно, не закрываясь полностью. Вот и ломаю голову - почему?

Alter Ego

Вероятно, из-за резисторов З-И. Надо все-таки уменьшить их сопротивление до 300...500 Ом.
Верхние транзисторы управляются бОльшим напряжением, чем нижние и поэтому
в этой схеме закрываются медленнее.

Alex Li

Медленнее - не знаю, я мост пока включал, как реле, но после замены 10кОм на 1,5 кОм (просто уже был распечатан), напряжение действительно стало 0! Полностью испытать пока не могу (второй транз докуплю завтра), но, похоже, именно тут собака и порылась.
Спасибо, Alter Ego, за подсказку!

Alter Ego

И еще, если оставить Т9, то надо включить резистор между его коллектором и массой.

Gudd-Head

Тема про H-мост: http://radiokot.ru/forum/viewtopic.php?f=2&t=11504

Alex Li

И еще, если оставить Т9, то надо включить резистор между его коллектором и массой.

А для чего? Чтобы на базу биполярников не подавать все 5в? Так по даташиту 5в - допустимый максимум Vebo для ВС817 , если я правильно понял. А если нет, какой номинал подойдет?

Тема про H-мост: viewtopic.php?f=2&t=11504

Спасибо.

Alter Ego

Чтобы транзисторы запирались быстрее.
А Vebo - это обратное напряжение.