, поэтому проходные, переходные и пр.характеристики транзюков, таких как я, интересуют крайне редко
GP1 писал(а):Открою страшный секрет.
"цифровиков" у транзистора интересуют два состояния:
насыщения и отсечки. Для n-p-n первое (в 95%) достигается при Iб=Iк/(2..3*h21э), второе при Iб=0 (0V на делителе)
GP1 писал(а):...достигается при Iб=Iк/(2..3*h21э)...
А не перегорит ли база при таких условиях Iб=Iк? В справочнике, например, на КТ815 написано, что максимальный ток базы равен 0,5 А, а максимальный ток коллектора 1,5 А
KT608B писал(а):Как я сам полагаю, входное сопротивление Т2 будет изменяться в сторону уменьшения сопротивления при возрастании напряжения на его базе,
значит нагрузочная характеристика Т1 будет тоже изменяться приблизительно так, как показано на второй фотографии.
Вот правильная схема и называется она "тандемная схема включения" (схема Дарлингтона)
Вопрос все-таки остается. В выше показанной схеме нагрузкой первого транзистора является переход "б-э" следующего активного элемента. Может быть и первая схема правильная, но я по неопытности не знаю.
Барсик писал(а):Что первая схема, что вторая. Исход должен быть одинаковым. Оба транзистора, скорее всего сгорят как спички.
GP1 писал(а):Если мне память ни с кем не изменяет, то если на схеме graf10 соединить к-Vt1 c к-VT2 то получится схема Дарлингтона, но могу и ошибаться (давно это было - в смысле изучал)
GP1 писал(а):Уважаемый КТ608В, Вам как человеку пытливому я бы рекомендовал почитать 4-х томник "Искусство схемотехники" автор, по-моему, Хоровиц (если ошибаюсь пусть поправят коллеги), думаю многие вопросы прояснятся
GP1 писал(а):Доброго времени суток!
Что-то давно Вас не видно в форуме.
По схеме:
в наше время там обычно стоял электролит а уж его шунтировали керамикой. Возможно это схема из ОЧЕНЬ старого журнала (тех когда не было керамики на 0,1) и на фильтрацию ставили бумажные, меалло-бумажные кондеи и шинтировали их керамикой
А вот для чего пятый конденсатор, который 0.01 мкФ? Я могу пока догадываться, что в конденсаторе 0.01 мкФ размеры пластин, их количество, расстояние меньше чем в том же конденсаторе, но емкостью 0.1 мкФ. Из этого следует, что токи ВЧ будут протекать через 0.1 мкФ, а для токов СВЧ будет сказываться индуктивность конструкции, поэтому и ставят еще один конденсатор емкостью 0.01 мкФ через который за счет низкой конструктивной индуктивности и уходят токи СВЧ. Получается так.
KT608B писал(а): видимо потому, что в планарном исполнении керамики больше чем 0.1 мкФ нет, по крайней мере для того типоразмера, что применен в приборе.
KT608B писал(а):Четыре конденсатора по 0.1 мкФ соединены параллельно для достижения емкости 0.4 мкФ
Они соединены не для увеличения ёмкости. Просто так выделили, что их должно быть много. А много их для того, чтобы ставить в разных точках схемы - как группы микросхем шунтируют по питанию, там на каждые несколько корпусов один конденсатор.
Паятель писал(а):KT608B писал(а): видимо потому, что в планарном исполнении керамики больше чем 0.1 мкФ нет, по крайней мере для того типоразмера, что применен в приборе.
Почти наверняка это не так.KT608B писал(а):Четыре конденсатора по 0.1 мкФ соединены параллельно для достижения емкости 0.4 мкФ
Они соединены не для увеличения ёмкости. Просто так выделили, что их должно быть много. А много их для того, чтобы ставить в разных точках схемы - как группы микросхем шунтируют по питанию, там на каждые несколько корпусов один конденсатор.
KT608B писал(а):Теперь сам вопрос: где и в чем я допустил ошибку?
