Мелкие вопросы по радиотехнике
В начале жизнь мучает вопросами, в конце - ответами...
- Реклама
Щербаков В.И., Грездов Г.И. Электронные схемы на операционных усилителях
Полезная книжка
Полезная книжка
Всем привет.
Можно ли использовать формулу r >= 2 * D^2/Lambda для определения дальней зоны ФАР (плоскости излучателей 3*3) ?
D - наибольший габаритный размер антенны, Lambda - длина волны.
Можно ли использовать формулу r >= 2 * D^2/Lambda для определения дальней зоны ФАР (плоскости излучателей 3*3) ?
D - наибольший габаритный размер антенны, Lambda - длина волны.
"Ленивый человек в бесчестном покое сходен с неподвижною болотною водою, которая, кроме смраду и презренных гадин, ничего не производит". М.В. Ломоносов
Какими способами обеспечивается высокое входное сопротивление у эмиттерного (или истокового) повторителя на высоких частотах (до 100 МГц)?
Спасибо.
Спасибо.
На высоких частотах, как правило, не делают устройств с высоким входным сопротивлением.
Скажем, частотомер на 100 МГц будет иметь входное сопротивление 100 кОм, а у кабеля , которым он будет подключаться к цепи, емкость 20 пФ, параллельное реактивное сопротивление его 80 Ом. Все пропало!
Скажем, частотомер на 100 МГц будет иметь входное сопротивление 100 кОм, а у кабеля , которым он будет подключаться к цепи, емкость 20 пФ, параллельное реактивное сопротивление его 80 Ом. Все пропало!
- Реклама
- Сообщения: 970
- Зарегистрирован: Ср июн 27, 2007 17:09:12
На таких высоких частотах только один выход, это увеличивать ток эмиттера, поэтому иногда делают на мощных СВЧ транзисторах.Chettuser писал(а):максимизировать
В этом случае можно достигнуть единиц килоом.
Chettuser
В общем случае стараются уменьшать паразитные емкости (и индуктивности), насколько возможно. Применением компонентов с высокими характеристиками (высокочастотных) и правильным монтажом.
Например, входную емкость активных щупов осциллографов делают 0,5...2пФ (при активном 1МОм). Как? 1.Истоковый повторитель на JFET (получают входную емкость порядка 5пФ); 2.Компенсированный делитель напряжения перед ним, снижающий емкость в несколько раз; 3.Усилитель после истокового повторителя, компенсирующий потери в делителе напряжения.
В общем случае стараются уменьшать паразитные емкости (и индуктивности), насколько возможно. Применением компонентов с высокими характеристиками (высокочастотных) и правильным монтажом.
Например, входную емкость активных щупов осциллографов делают 0,5...2пФ (при активном 1МОм). Как? 1.Истоковый повторитель на JFET (получают входную емкость порядка 5пФ); 2.Компенсированный делитель напряжения перед ним, снижающий емкость в несколько раз; 3.Усилитель после истокового повторителя, компенсирующий потери в делителе напряжения.
А эффект Миллера для повторителей?SmarTrunk писал(а): 1.Истоковый повторитель на JFET (получают входную емкость порядка 5пФ);
http://www.skilldiagram.com/gl3-8.htmlв схеме истокового повторителя, как и в эмиттерном повторителе, эффект Миллера отсутствует.
В начале жизнь мучает вопросами, в конце - ответами...
Ну, эффект Миллера же имеется для каскадов ОЭ и ОИ. Поскольку там на коллекторе (стоке) имеется противофазный усиленный сигнал, что дает эффект виртуального увеличения емкости Б-К (З-С). А в эмиттерных и истоковых повторителях он, теоретически, отсутствует.
Хотя если брать СВЧ, там разные чудеса могут быть.
Хотя если брать СВЧ, там разные чудеса могут быть.
А если такой вариант - повторитель на BF998, его нагрузка 50 Ом (всё равно у микрухи входное маленькое ~1,1 кОм). На входе резистивный делитель 1МОм.
ЕМНИП, сопротивление каскада повторителя равно Эр нагрузки на К.ус. транзистора. При нагрузке 50 Ом, даже транзистор с бешенным усилением сделает максимум 50кОм и это на постоянном токе. на ВЧ вроде как похуже будет.
Ну, если сток или коллектор действительно хорошенько закорочены по ВЧ (R=0), то Миллеровому эффекту взяться неоткуда на любых частотах (напряжение - то на стоке = const...).
Нагрузка где, в истоке? Так ООС, практически 100-процентная, не даст увеличиваться току затвора и Rвх. будет куда по-более 1Ком.
Нагрузка где, в истоке? Так ООС, практически 100-процентная, не даст увеличиваться току затвора и Rвх. будет куда по-более 1Ком.
В начале жизнь мучает вопросами, в конце - ответами...
Т.е. играет роль входная ёмкость повторителя транзистора?
Rвх для транзистора с изолированным затвором типа BF998 на постоянном токе будет большим - только утечки.просто КОТ писал(а):При нагрузке 50 Ом, даже транзистор с бешенным усилением сделает максимум 50кОм и это на постоянном токе.
Емкость б-к даже у СВЧ-транзистора около 1 пФ, на частоте 100 МГц Хс=1600 Ом.
Во-вторых, h21 на частоте 100 Мгц = 10...20 для СВЧ транзисторов. Значит, Rin=50*(10...20)=500-1000 Ом.
В третьих, ЭП на СВЧ транзисторах склонны к самовозбуждению.
Вот тебе теоретические характеристики ЭП на транзисторе с Ft=8 GGz:
Во-вторых, h21 на частоте 100 Мгц = 10...20 для СВЧ транзисторов. Значит, Rin=50*(10...20)=500-1000 Ом.
В третьих, ЭП на СВЧ транзисторах склонны к самовозбуждению.
Вот тебе теоретические характеристики ЭП на транзисторе с Ft=8 GGz:
Подъём в области верхних частот. i(C1) гораздо нагляднее.
Как я понял полевик BF998 применять не рекомендуется?
Как я понял полевик BF998 применять не рекомендуется?
Подъем получается не за счет С1, она очень велика и обеспечивает полосу от десятков Гц.
На СВЧ за счет индуктивностей выводов, внутренних емкостей транзистора получается ПОС, которая часто приводит к самовозбуждению. Не раз сам сталкивался. Поэтому на частотах в сотни МГц каскады ЭП практически не применяют, или ставят всякие противовозбудные цепи.
На полевике, как видно из даташита, входное сопротивление с ОИ получится 30 кОм || -j700 Ом.
Емкость можно скомпенсировать индуктивностью, но тогда это будет узкополосная система.
На СВЧ за счет индуктивностей выводов, внутренних емкостей транзистора получается ПОС, которая часто приводит к самовозбуждению. Не раз сам сталкивался. Поэтому на частотах в сотни МГц каскады ЭП практически не применяют, или ставят всякие противовозбудные цепи.
На полевике, как видно из даташита, входное сопротивление с ОИ получится 30 кОм || -j700 Ом.
Емкость можно скомпенсировать индуктивностью, но тогда это будет узкополосная система.
Chettuser писал(а):уже что то
30 кОм - это АКТИВНАЯ компонента импеданса, а параллельно ей еще 700 Ом ЕМКОСТНОЙ.
Приводим к последовательной схеме: 16-j700 Ом
Итого, модуль получается 700,2 Ом




