Мелкие вопросы по теории

[Gudd-Head]

Блеать, почему нельзя было сразу это написать?
Откуда схема?

[rit.aux]

Схему выдал преподаватель. Все что знал - озвучил уже.

[neon]

МОСФЕТы придуманы дыли как КЛЮЧИ, для состояний открыт/закрыт. они не созданы, в большинстве свом, для того чтоб играться с усилением.

это вы сами придумали?

[noise1]

Нет, это не сами придумали, это исходя из топологии и назначения данных транзисторов. В АТТ не применяют транзисторы с изолированным затвором. НЕ аттенюация, а ЗАТУХАНИЕ, грамматей!!! В АТТ применяют или диоды 2Д413 или транзисторы 2П302, 2П903.
" Регулируемые аттенюаторы на полупроводниковых приборах" Читайте. Гнать вашего препода надо. Идиот.

[neon]

Нет, это не сами придумали, это исходя из топологии и назначения данных транзисторов.

есть MOSFET, которые оптимизированы для работы в ключевом режиме, а есть в линейном режиме. Хотя и тот и тот можно использовать в любом режиме, но эффективность может быть ниже.

В АТТ не применяют транзисторы с изолированным затвором.

вы ошибаетесь.

[rit.aux]

Собрал схему в ADS: источник напряжения 1В, транзистор и последовательно 500 Ом. На затворе напряжение 1.8 В. С делителя снял около 0.8 В. Получается, что сопротивление транзистора около 70 Ом. Но так же не может быть! Что я делаю не так?

[alkarn]

Вопрос не так задаешь. По твоему описанию даже самый крутой экстрасенс не поймет, что у тебя за схема. Нарисовать надо. Можно на бумаге и сфоткать, но лучше в одной из программ: Пикад, Автокад, Мультисим (сложно, но профессионально), в Сплане-7.0 (просто и красиво), можно даже в Ворде или Пайнте (долго и некрасиво).
А так получается: "У меня мотор не работает. В чем дело?", а какой мотор, бензиновый или электрический - не сказал.

[noise1]

Применялись только 2П301 с изолированным затвором. Для того, что бы не было неразберихи, надо использовать термины, которые приняты в России. В общем случае MOSFET, это МДП транзистор, если по русски. Но почему то среди начинающих укрепилось название MOSFET, применительно к ключевым транзисторам. Сколько пытался достучаться, что надо пользоваться терминами, оговоренными в ГОСТ, а не пытаться выглядеть умней, от применения терминов, которые даже не понимают.
В АТТ современные транзисторы плохо работают, у них сложная структура и из за этого большая нелинейность регулировки.

[rit.aux]

Итак. Соббрал схему в мультисиме. Взял реальный транзистор, который попался мне в мультисимовской базе.

Код: Выделить всё

2N7000RLRAG
N CHANNEL MOSFET, 60V, 200mA, 
Transistor Polarity	N Channel
Continuous Drain Current Id	200mA
Drain Source Voltage Vds	60V
On Resistance Rds(on)	5ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	10V
Threshold Voltage Vgs Typ	3V

Вот даташит http://pdf.datasheetcatalog.com/datashe ... zpji3y.pdf

Как я понял из того, что написано на стр.2, при напряжении затвор-сток 10V и токе 0.5A, сопротивление тра-ра 5 Ом.
При Vgs 10V напряжение на истоке 7V (т.к. Vth = 3V) отсюда R = 7/0.5 = 14 Ом. Как можно видеть на скриншоте, выходное напряжение не 45V, а гораздо меньше. Vin*14/19 (Vin = 60V).
А если посмотреть значение на омметре, так и вообще не понятно что такое.
Что я делаю не так?
Скрин и схема мультисима прилагается.

[Rtmip]

Попробуйте оставить один источник напряжения, из него через делитель получите 10 В для затвора.
Мультиметр переведите в режим измерения напряжения и посмотрите, что получится...

[RadmirT]

Всем привет,
подскажите пожалуйста, как рассчитываться емкость конденсатора который используется для отсечения постоянной составляющей.

[rit.aux]

Ничего не изменилось:

2014-10-27_084605.jpg

(170.38 КБ) 256 скачиваний

[Slabovik]

У вас мультиметр 2 показывает вполне адекватные показания, полностью соответствующие вашей схеме. А мультиметр 3 показать что-то в таком режиме не в состоянии. Переведите его в режим измерения напряжения. Затем, изменяя соотношение резисторов в затворном делителе, обнаружите взаимосвязь между показаниями всех приборов.

p.s. В момент, показанной на вашей картинке, сопротивление канала транзистора составляет ~165 Ом.

[rit.aux]

Тогда еще один тупой вопрос. Если у меня пороговое напряжение Vth=3V, то на истоке должно быть Vg-Vth = 10-3=7. И зная, что падение напряжения на резисторе истока 7В, зная что ток должен быть 0,5А, резистор определим как 14 Ом. Но на схеме мультиметр говорит, что там падение аж 5.2. А по даташиту max 3 V. Как же это так, что у транзистора плавает пороговое напряжение?

----------------------.jpg

(213.29 КБ) 201 скачивание

[Slabovik]

Совсем нет. Разгадка кроется в определении "пороговое напряжение". Грубо говоря, это такое напряжение, при котором транзистор только начинает открываться. Чтобы его открыть сильнее, напряжение З-И нужно дальше увеличивать. В итоге как раз ваши показания и получатся (будут варьироваться в некоторых пределах в зависимости от типа транзистора для низковольтных это напряжение будет ниже, для высоковольтных - заметно выше)

p.s. Если бы вы собирали схему в реале, вы бы уже сожгли транзистор из-за а) превышения допустимой рассеиваемой мощности на переходе; б) превышения тока С-И. Транзистор-то маломощный. Потому и З-И нужно такое большое, чтобы в режиме истокового повторителя обеспечить ток в нагрузке. Увеличьте сопротивление нагрузки, раз так хотя бы в 10 (а потом в 100), и посмотрите, что получится...

[neon]

Как же это так, что у транзистора плавает пороговое напряжение?

изменяется напряжение на затворе, а не пороговое напряжение.

[rit.aux]

б) превышения тока С-И. Транзистор-то маломощный. Потому и З-И нужно такое большое, чтобы в режиме истокового повторителя обеспечить ток в нагрузке.

Вы имеете ввиду, чтобы обеспечить ток нагрузки, мы подаем такое большое напряжение З-И с целью открыть как можно сильнее канал?
Поменял нагрузку на 140 и 1400 Ом. Ток падает, напряжение на затвор-исток уменьшается, а на резисторе увеличивается.
Т.е. я был не прав, полагая, что у напряжение истока = Vg-Vth? Оно будет равно падению напряжения на резисторе. Т.е. если я хочу, чтоб в истоке было 20 В при токе 150мА => сопротивление 133 Ом и на затворе будет 23 В?

Вот это вот здесь не работает?

Также, для того чтобы посчитать ток базы, необходимо знать напряжение база-эмиттер VBE. Между базой и эмиттером располагается один PN-переход. Получается, что ток базы «встречает» на своем пути полупроводниковый диод. Напряжение, при котором полупроводниковый диод начинает проводить - около 0.6V. Не будем вдаваться в подробности вольт-амперных характеристик диода, и для простоты расчетов возьмем приближенную модель, согласно которой напряжение на проводящем ток диоде всегда 0.6V. Значит, напряжение между базой и эмиттером VBE = 0.6V. А поскольку эмиттер подключен к земле (VE = 0), то напряжение от базы до земли тоже 0.6V (VB = 0.6V).

И последнее. А как измеряли rds на реальном транзисторе, если по даташиту ток был 0,5А? Он должен же был сгореть?
И опять же, как мне получить эти 5 Ом?

[Gudd-Head]

как измеряли rds на реальном транзисторе

В импульсе.

[rit.aux]

В импульсе.

Ну в импульсе, это чтоб он не сгорел. Т.е. моделировать можно без этого, я думаю.

Т.е. если положить Vs = 50 В, I=500 mA, => R=100 Ом.
Отсюда напряжение затвора 53 В.
Собираю схему, на истоке получаю 47В. =>rds = 27 Ом.
Но как получили что-то похожее при Vgs=10В и I=500мА?

[Slabovik]

если я хочу, чтоб в истоке было 20 В при токе 150мА => сопротивление 133 Ом и на затворе будет 23 В?

На затворе будет 20В (что на нагрузке) + Vgs, необходимое для обеспечения такого тока. Необходимое Vgs зависит от параметров экземпляра транзистора, напряжения на стоке. При этом Vgs не будет ниже порогового (см. Figure 5 в даташите, да и другие не помешают).

Вот это вот здесь не работает?

Нет, т.к. для биполярного транзистора первичен ток, и на выходе у него тоже ток. Для полевого - первично напряжение, но на выходе у него (как параметр) вообще проводимость/сопротивление.

И опять же, как мне получить эти 5 Ом?

Перенесите нагрузку в цепь стока. Исток поставьте на землю. Снимите характеристику (напряжение на стоке) для Vgs от 0 до 10 вольт (интересный участок будет от 3 до 5 вольт).

p.s. 5 Ом - это минимально достижимое сопротивление канала при Vgs = 10 вольт.