danger3466 писал(а):ти параметры я вижу, Uкбо 450В, Iбэ 3A, я же запитываю 315В и 0.5A.
я ему про фому, он про ерему
вот это что?
Slabovik выручай, братуха, я щас матом ругаться начну......

danger3466 писал(а):ти параметры я вижу, Uкбо 450В, Iбэ 3A, я же запитываю 315В и 0.5A.

oleg63m писал(а):danger3466 писал(а):ти параметры я вижу, Uкбо 450В, Iбэ 3A, я же запитываю 315В и 0.5A.
я ему про фому, он про ерему
вот это что?
Slabovik выручай, братуха, я щас матом ругаться начну......
oleg63m писал(а):для оу надо зачастую 2полярное питание, ну и еще не все они R2R/
Компараторы, конечно рулят. но они тоже не все работают с однополярным питанием.
можно применить усилитель на логике.
Slabovik писал(а):Напряжение эмиттер-база (Vebo) - это напряжение, приложенное к переходу эмиттер-база. А не база-эмиттер. Т.е. для перехода оно является обратным. Для NPN транзистора это означает, что на эмиттере плюс относительно базы. И когда напряжение превысит 7 вольт, произойдёт пробой перехода. При небольших токах этот пробой обратим и аналогичен пробою стабилитрона на обратной (!) ветви.
Для работы же транзистора как усилительного прибора, необходимой ток по переходу база-эмиттер. Напряжение при этом на переходе составляет 0.6~0.7 вольта...
oleg63m писал(а):вобщем дело обстоит так: биполярный транзюк открывается током. базовый переход как правило 0,7 вольт. ставится последовательно резюк, чтобы ограничить ток базы на рекомендуемом уровне
Slabovik писал(а):Переход база-эмиттер при работе транзистра смещён в прямом направлении. Для тока базы со стороны базы это равнозначно тому, что ток течёт как будто через диод (так и есть, P-N переход - это диод).
Вопрос на засыпку: какое напряжение при этом на прямосмещённом P-N переходе? Можно ли сделать так, чтобы там стало 30 вольт? Если станет, то что при этом будет?
Хинт: для правильного ответа необходимо рассмотреть ВАХ P-N перехода, а также использовать понятия "источник тока" и "источник напряжения".
Мощность резисторов при любом сопротивлении складывается тогда, когда нужно вычислить эквивалентную активную мощность схемы. Складывается не номинальная мощность, а расчётная.Virtue писал(а):СКАЗОЧНИК
Ну в том и вопрос: как складываются мощности резисторов? Где-то помню читал, что при любом соединении они складываются, хотя могу и ошибаться.
Serg-G писал(а):В том случае, если резисторы одинаковые, как по мощности, так и по сопротивлению. И соединение только либо параллельное, либо последовательное.
ты что, собрался загнать загнать в базу постоянный ток и ждать чуда?danger3466 писал(а):P(база)-N(эмитер), если на базе +, а на эмитере -, то по идее диод подключен в прямом направлении и ток течет себе без проблем, да?
oleg63m писал(а):danger3466 писал(а):P(база)-N(эмитер), если на базе +, а на эмитере -, то по идее диод подключен в прямом направлении и ток течет себе без проблем, да?
ты что, собрался загнать загнать в базу постоянный ток и ждать чуда?
oleg63m писал(а):в базу засылаются отркывающие импульсы, которые на некоторое время отурывают транзистор, а потом закрывают. при трансформаторной развязке (так-же как и при конденсаторной) эти импульсы могут принимать как положительное так и отрицательное значение.
oleg63m писал(а):причем, если в прямом смещении эти импульсы шунтируются открывшимся переходом, то в обратном для них почти не существует преград. исходя из этого, нельзя просто так взять и совать прямо в базу выход от другого источника тока.
oleg63m писал(а):надо согласовывать уровни и токи. иначе на резисторе получишь печку
oleg63m писал(а):а при случайном включении-отключении нагрузки пробитый транзистор.
oleg63m писал(а):и еще. токи и напряжения протекающие по коллекторно-эмиттерном переходу не влияют(почти) на токи и напряжения базы, если, конечно эмиттер надежно сидит на общем проводе.(опять таки, это касается ключевого режима, а не линейного)
Аминь!!!
нужно только ограничить ток:
R = (Uб - 0.7) / Iбэ
В моем случае: (30В - 0.7) / 0.5А желаемый Iб = ~58 Ом
Т.к. максимальном Iбэ = 3А все останутся живы, и не чего страшного что при этом Uкэ 315В
Верно?
владислав костенков писал(а):или другие транзисторы PNP структуры
oleg63m писал(а):да включай уже. хочется услышать праздничный фейерверк в твою честь
считаешь вроде правильно, а насчет понятий сомнения имеются
Наверняка заработает и так, и вот почему. Питание 4.5 В, напряжение на базе кремниевого 0.6 В, германиевого 0.2 В. То есть напряжение на базовых резисторах будет соответственно 3.9 и 4.3 В, разница десять процентов, несущественная. Разброс коэффициента передачи по току у транзисторов даже одного типа обычно гораздо больше.oleg63m писал(а):может понадобиться резисторы r1, r2 подобрать, так как напряжение падения на кремниевых переходах выше чем на германиевых, и базовый ток может оказаться заниженным. хотя это и не обязательно. может заработать и так.
mickbell писал(а):Наверняка заработает