С дополнительной обмоткой напряжение на ключе можно сделать меньше, да и эффективность будет больше, т.к. энергия не будет рассеиваться на резисторе, а возвращаться обратно в накопительный конденсатор.
Разница между теорией и практикой на практике гораздо больше, чем в теории.
Ну, с конденсатором тогда яснее. Просто на схеме по Вашей ссылке его нет, вот меня и смутило, куда там размагничивающий ток девается, хотя теперь понимаю, что там указан просто принцип.
Можете пояснить, почему напряжение на ключе не превысит удвоенного питания? Для меня это пока не очевидно.
Я вижу, что в момент размыкания ключа, размагничивающая обмотка оказывается последовательно подключенной через диод с первичной и напряжения на них должны сложиться. Но почему удвоенное питание?
Наличие ограничительной обмотки на Рис. 5.10 (a) гарантирует, что напряжение на ключе при снижении намагничивающего тока не превысит величины удвоенного входного напряжения.
Ну, с конденсатором тогда яснее. Просто на схеме по Вашей ссылке его нет, вот меня и смутило
Разумеется, конденсаторы всегда предполагаются. На демонстрационных схемах многое не указывают, чтобы не загромождать их. Цепь подавления выброса (клампер/снаббер) тоже часто не рисуют.
Я вижу, что в момент размыкания ключа, размагничивающая обмотка оказывается последовательно подключенной через диод с первичной
Упаси боже, не оказывается. Потенциал катода диода задан источником питания, и он постоянен. Там вообще не может быть больше напряжения питания (в предположении, что паразитные параметры подводящих цепей пренебрежимы).
Итак, в момент обратного хода потенциал размагничивающей обмотки задан источником питания, не больше и не меньше, и через нее течет ток. При этом на коллекторной обмотке индуцируется напряжение, определяемое коэффициентом трансформации обмотки размагничивания к коллекторной обмотке. И вот именно напряжение, наводимое в коллекторной обмотке, складывается с напряжением питания и лупит в коллектор/сток транзистора.
Очевидно, если в обмотке размагничивания меньше витков, чем в коллекторной, то и напряжение на коллекторной обмотке будет больше. Но это, конечно, никому не надо. Если в обмотке размагничивания витков больше, то напряжение на коллекторной обмотке будет меньше. Но мотать больше вроде как лень. Если количество витков совпадает, то напряжение на коллекторной обмотке будет равно напряжению на обмотке размагничивания, то есть, напряжению питания, и в итоге на транзисторе окажется двойное питание.
Разница между теорией и практикой на практике гораздо больше, чем в теории.
YS писал(а):Итак, в момент обратного хода потенциал размагничивающей обмотки задан источником питания, не больше и не меньше, и через нее течет ток.
Ну вот тут и не понятно.. Там на схеме, вариант (а) у начала размагничивающей обмотки стоит диод. Значит потенциал этой обмотки, чтобы ток пошёл, должен быть больше питания минимум на 0,4 .. 0,6 Вольт (иначе диод закрыт). Вот как, как всё это понять?
Значит потенциал этой обмотки, чтобы ток пошёл, должен быть больше питания минимум на 0,4 .. 0,6 Вольт (иначе диод закрыт).
А, ну это, разумеется, да. Просто я полагал диод идеальным. В реальности потенциал на размагничивающей обмотке действительно будет больше питания ровно на падение на диоде. Но если питание, например, 12 В, половиной Вольта можно пренебречь и считать потенциал на обмотке равным питанию.
Разница между теорией и практикой на практике гораздо больше, чем в теории.
Так.. Ну, соответственно, размагничивающей ток идёт в конденсатор, который стоит параллельно питанию, полагаю? И до какого потенциала он его заряжает? До питания? А почему он тогда был не заряжен от самого питания? Я никак не могу понять, как всё это происходит. Если ток идёт, то должна быть разность потенциалов. Значит потенциал на размагничивающей обмотке априори выше питания. Ведь только в этом направлении может идти ток через диод. Ну, а дальше, раз количество витков на обмотках одинаково, то и наведённое на первичку ЭДС должно быть равным ЭДС на размагничивающей (>питания). А раз оно складывается, то и сумма должна быть больше чем двойное питание. Вот где тут косяк в рассуждениях?
Скачок напряжения будет пропорционален энергии импульса.
∆U = ∆q/C
∆q = I*∆t
Если ток идёт, то должна быть разность потенциалов.
Она будет, будет потому, что сопротивление подводящих проводов не равно нулю, и внутреннее сопротивление источника тоже ненулевое.
Вот где тут косяк в рассуждениях?
В сущности, вы рассуждаете верно, только упускаете тот факт, что это приращение напряжения будет очень мало, и потому мы им пренебрегаем. Ну да, например, питание 12 В, а на коллекторе за счет всех этих эффектов будет не 24 В, а, например, 26. Ну и что? Порядок один, транзистор все равно не менее чем на 50 В допустимого напряжения "коллектор-эмиттер" брать надо.
Разница между теорией и практикой на практике гораздо больше, чем в теории.
