Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

[Gudd-Head]

Rds_on vs Vgs

[baghear]

Хотелось бы подытожить, при выборе полевика порядок следующий:
1.Сначала смотрим в таблицу Rds vs Vgs, и находим сопротивление канала при
напряжении, которое хотим подать на gate.
2. Считаем общее сопротивление цепи, слаживая сопротивление канала и нагрузки, затем зная напряжение питания и сопротивление, находим ток drain.
3.В заключении смотрим в таблицу Id vs Vgs, в которой указывается максимальный ток drain при данном Vgs. Если этот ток не превышает рассчитанный в предыдущем пункте транзистор будет работать, если превышает: либо ищем способ увеличить напряжение Vgs и снова производим рассчет, либо ищем другой транзистор.
Если где-то не прав поправьте пожалуйста.

[КРАМ]

при выборе полевика порядок следующий:

Этот порядок зависит от ПРИМЕНЕНИЯ полевого транзистора.
Можно его применять как статический ключа можно делать линейный ВЧ усилитель.
И требования при выборе будут совершенно разные.

[baghear]

При выборе полевика в качестве ключа, правильно расписал?

[КРАМ]

Статического - да. Если речь идет о переключениях с некоторой частотой, то нужно посчитать потери динамического режима.

[baghear]

Опишите пожалуйста как их посчитать?

[КРАМ]

Нужно посчитать скважность активного режима. Ключ будет находится в активном режиме и рассеивать на себе половину мощности нагрузки ключа во время переключения. Время переключения определяется как отношение полного заряда затвора (Total Gate Charge) к току драйвера затвора (фактически току короткого замыкания драйвера). Нужно проверить допустимый ток затвора для выбираемого транзистора в сравнении с приемлемым для скорости переключения током от драйвера.
Пример.
Заряд затвора 50 нКл. Ток драйвера - 10 мА. Частота переключения 10 кГц. Мощность в нагрузке - 10 Ватт.
Переключение будет происходить 50нКл/10мА=5 мкс дважды за период - всего 10 мкс.
Период - 100 мкс. Значит скважность активного режима составит 10. А динамическая мощность рассеиваемая на ключе - 0,5 ватта.

[baghear]

Почему скважность активного режима равна 10?
Если 10 мкс надо для переключения, а период 100, то максимальная скважность активного режима 90. Где я ошибся?
А как Вы посчитали динамическую мощность рассеиваемую на ключе?

[КРАМ]

Потому что скважность - это ОТНОШЕНИЕ периода повторения ко времени некоего действа в этом периоде, скважность которого мы и считаем. Скважность меандра равна 2.
Как я ранее написал, мощность в активном режиме выделяемая на самом ключе будет равна ПОЛОВИНЕ мощности выделяемой в нагрузку при полностью открытом ключе. На самом деле расчет немного сложнее, но для большинства практических расчетов вполне достаточно.
Если в нагрузке выделяется 10 ватт, то при скважности активного режима равной 10 динамическая мощность составит 0,5 ватта.
0,5*10 ватт/10 = 0,5 ватт

[baghear]

Потому что скважность - это ОТНОШЕНИЕ периода повторения ко времени некоего действа в этом периоде, скважность которого мы и считаем. Скважность меандра равна 2.

Согласен.

Как я ранее написал, мощность в активном режиме выделяемая на самом ключе будет равна ПОЛОВИНЕ мощности выделяемой в нагрузку при полностью открытом ключе. На самом деле расчет немного сложнее, но для большинства практических расчетов вполне достаточно.

Это в случае если скважность равна 2 ?

[КРАМ]

Причем тут скважность?
В АКТИВНОМ РЕЖИМЕ половина мощности рассеивается в нагрузке, а половина на самом ключе.
Если скважность активного режима 10, то средняя мощность динамических потерь за период составит 1/10 от мощности активного режима.

[baghear]

В АКТИВНОМ РЕЖИМЕ половина мощности рассеивается в нагрузке, а половина на самом ключе.

Если правильно понял, то это приблизительное значение, которое получается из-за того, что в активном режиме половина напряжения приложена к нагрузке, другая половина к транзистору.
Тогда всё становится на свои места, спасибо!!!

[rus084]

что если подложку в mosfet не подключать к истоку , а вывести наружу или совсем оставить неподключенной?

[kaetzchen]

обратите внимание, что как минимум в ЛТ-спайсе есть модель 4-х терминального ФЕТа ("explicit substrate connection" type (Monolithic) MOSFET.)
почитайте про body effect, типа можно использовать как дополнительный почти затвор. полагаю поэтому истоки распространенных ФЕТов и "заземляют" на субстрат, что бы там ничего не плавало не стекало и не звенело, хотя во множестве приложений может оказаться полезным. погуглил: их делали и делают ограниченно,

[Evan]

Когда проверяю полевик мультиметром - последний показывает от 500 до 700 ом в открытом состоянии, хотя сопротивление в открытом состоянии транзистора IRF 740 - 0.55 Ом
В чем причина таких показаний ?

[baghear]

А какое напряжение было подано на затвор?
Обычно сопротивление канала указывается при опр напряжении на затворе, напряжение на щупах мультиметра врядли хватает чтобы нормально открыть полевик

[baghear]

Добрый день надо коммутировать питание подсветки дисплея, можно ли это делать так или надо поставить в сток резистор?
http://prntscr.com/9etscr
Напряжение подсветки должно быть 3.3V или около того.

[Evan]

А какое напряжение было подано на затвор?

Стандартный метод проверки полевиков- плюсовой щуп на сток, потом на затвор, минус на исток ,плюс на сток- мультиметр показывает некоторое сопротивление- полевик исправен.
Что если при испытании применять батарейку в 1.5В?

[просто КОТ]

Полевик нормирован на 10 вольт. Так что... думайте.

[Gudd-Head]

Что если при испытании применять батарейку в 1.5В?

Очевидно, надо смотреть на пороговое напряжение. Если оно меньше 1,5 В то полевик тупо не откроется
Ну и надо понимать, что батарейка можеть выдать 1 А, а тестер — нет.