Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Gudd-Head

Rds_on vs Vgs

Реклама

baghear

Хотелось бы подытожить, при выборе полевика порядок следующий:
1.Сначала смотрим в таблицу Rds vs Vgs, и находим сопротивление канала при
напряжении, которое хотим подать на gate.
2. Считаем общее сопротивление цепи, слаживая сопротивление канала и нагрузки, затем зная напряжение питания и сопротивление, находим ток drain.
3.В заключении смотрим в таблицу Id vs Vgs, в которой указывается максимальный ток drain при данном Vgs. Если этот ток не превышает рассчитанный в предыдущем пункте транзистор будет работать, если превышает: либо ищем способ увеличить напряжение Vgs и снова производим рассчет, либо ищем другой транзистор.

Если где-то не прав поправьте пожалуйста.

Реклама

КРАМ

baghear писал(а):при выборе полевика порядок следующий:

Этот порядок зависит от ПРИМЕНЕНИЯ полевого транзистора.
Можно его применять как статический ключа можно делать линейный ВЧ усилитель.
И требования при выборе будут совершенно разные.

baghear

При выборе полевика в качестве ключа, правильно расписал?

Реклама

КРАМ

Статического - да. Если речь идет о переключениях с некоторой частотой, то нужно посчитать потери динамического режима.

Реклама

baghear

Опишите пожалуйста как их посчитать?

Реклама

КРАМ

Нужно посчитать скважность активного режима. Ключ будет находится в активном режиме и рассеивать на себе половину мощности нагрузки ключа во время переключения. Время переключения определяется как отношение полного заряда затвора (Total Gate Charge) к току драйвера затвора (фактически току короткого замыкания драйвера). Нужно проверить допустимый ток затвора для выбираемого транзистора в сравнении с приемлемым для скорости переключения током от драйвера.
Пример.
Заряд затвора 50 нКл. Ток драйвера - 10 мА. Частота переключения 10 кГц. Мощность в нагрузке - 10 Ватт.
Переключение будет происходить 50нКл/10мА=5 мкс дважды за период - всего 10 мкс.
Период - 100 мкс. Значит скважность активного режима составит 10. А динамическая мощность рассеиваемая на ключе - 0,5 ватта.

baghear

Почему скважность активного режима равна 10?
Если 10 мкс надо для переключения, а период 100, то максимальная скважность активного режима 90. Где я ошибся?
А как Вы посчитали динамическую мощность рассеиваемую на ключе?

КРАМ

Потому что скважность - это ОТНОШЕНИЕ периода повторения ко времени некоего действа в этом периоде, скважность которого мы и считаем. Скважность меандра равна 2.
Как я ранее написал, мощность в активном режиме выделяемая на самом ключе будет равна ПОЛОВИНЕ мощности выделяемой в нагрузку при полностью открытом ключе. На самом деле расчет немного сложнее, но для большинства практических расчетов вполне достаточно.
Если в нагрузке выделяется 10 ватт, то при скважности активного режима равной 10 динамическая мощность составит 0,5 ватта.
0,5*10 ватт/10 = 0,5 ватт

baghear

Потому что скважность - это ОТНОШЕНИЕ периода повторения ко времени некоего действа в этом периоде, скважность которого мы и считаем. Скважность меандра равна 2.

Согласен.

Как я ранее написал, мощность в активном режиме выделяемая на самом ключе будет равна ПОЛОВИНЕ мощности выделяемой в нагрузку при полностью открытом ключе. На самом деле расчет немного сложнее, но для большинства практических расчетов вполне достаточно.

Это в случае если скважность равна 2 ?

КРАМ

Причем тут скважность?
В АКТИВНОМ РЕЖИМЕ половина мощности рассеивается в нагрузке, а половина на самом ключе.
Если скважность активного режима 10, то средняя мощность динамических потерь за период составит 1/10 от мощности активного режима.

baghear

В АКТИВНОМ РЕЖИМЕ половина мощности рассеивается в нагрузке, а половина на самом ключе.

Если правильно понял, то это приблизительное значение, которое получается из-за того, что в активном режиме половина напряжения приложена к нагрузке, другая половина к транзистору.
Тогда всё становится на свои места, спасибо!!!

rus084

что если подложку в mosfet не подключать к истоку , а вывести наружу или совсем оставить неподключенной?

kaetzchen

обратите внимание, что как минимум в ЛТ-спайсе есть модель 4-х терминального ФЕТа ("explicit substrate connection" type (Monolithic) MOSFET.)
почитайте про body effect, типа можно использовать как дополнительный почти затвор. полагаю поэтому истоки распространенных ФЕТов и "заземляют" на субстрат, что бы там ничего не плавало не стекало и не звенело, хотя во множестве приложений может оказаться полезным. погуглил: их делали и делают ограниченно,

Evan

Когда проверяю полевик мультиметром - последний показывает от 500 до 700 ом в открытом состоянии, хотя сопротивление в открытом состоянии транзистора IRF 740 - 0.55 Ом
В чем причина таких показаний ?

baghear

А какое напряжение было подано на затвор?
Обычно сопротивление канала указывается при опр напряжении на затворе, напряжение на щупах мультиметра врядли хватает чтобы нормально открыть полевик

baghear

Добрый день надо коммутировать питание подсветки дисплея, можно ли это делать так или надо поставить в сток резистор?
http://prntscr.com/9etscr
Напряжение подсветки должно быть 3.3V или около того.

Evan

baghear писал(а):А какое напряжение было подано на затвор?

Стандартный метод проверки полевиков- плюсовой щуп на сток, потом на затвор, минус на исток ,плюс на сток- мультиметр показывает некоторое сопротивление- полевик исправен.
Что если при испытании применять батарейку в 1.5В?

просто КОТ

Полевик нормирован на 10 вольт. Так что... думайте.

Gudd-Head

Evan писал(а):Что если при испытании применять батарейку в 1.5В?

Очевидно, надо смотреть на пороговое напряжение. Если оно меньше 1,5 В то полевик тупо не откроется

Ну и надо понимать, что батарейка можеть выдать 1 А, а тестер — нет.