ну я ее сам не покупал, мне ее купили и я ее еще не видел завтра возможно скажу...., кстати, методика по ссылке весьма нормальная, я в ней разобрался не так считал просто.., действительно похоже на то что москатовская программа пишет, ладно, трансформатор значит должен быть нормальный! завтра еще разок намотаю его и померю индуктивность... надеюсь спаяю новый БП на этой микросхеме..., сообщу о результатах
Забавные картинки.. особенно на затворах..
Ну ничего - будем от этой "печки и плясать"..
Вот скажи, а у тя КАК и ЧТО подключено, между выходом микросхемы и затворами ?
так тут понимаешь в чем дело, судья по осциллограмме она мало того что не разряжается, она еще и не заряжается.. почему то...., кроме того если резистор поставить, она еще медленней заряжаться станет и нагрузит выход микросхемы...., я не такой от нее эффект то ожидал, в даташите написано что там двухтактные выходы, значит она должна быстро сама заряжать и разряжать эту емкость, не через резисторы, а через внутренние транзисторы.... а тут что то аномальное....
ага, завтра попробую такое сделать... и питание гляну, с питанием скорей всего норм, я питал наконец то от аккума...., так что он должен все что угодно вывозить...
а я ведь наверное слишком маленькие сопротивления поставил.. по 20 ом всего..., это че же получается, 2 в параллель, 10 ом фактически, а теперь 12/10, аж целых 1,2 ампера..., просто транзисторы в микросхеме не вывозят наверное такой ток! надо попробовать побольше сопротивления поставить..., по 100 Ом, ну или по 50 Ом... у нее выходы вроде на 500мА...
GRAF писал(а):Какой они ток не вывозят? Они на затвор работают, там ток наноамперы.
Ток, который потребляют ключевые MOSFET, может составлять доли микроампера и даже меньше только в статическом режиме, при постоянном пропускании тока через сток-исток. Ёмкость затвор-исток и корпуса MOSFET обычно составляет от сотен пикофарад для маломощных транзисторов до примерно десятка нанофарад для наиболее мощных транзисторов. В режиме переключения на высокой частоте эту ёмкость необходимо очень быстро перезаряжать. Именно из-за тока, который тратят на перезаряд ёмкости, каждый MOSFET потребляет на управление примерно от сотни миллиампер до единиц ампер в зависимости от частоты, ёмкости затвор-исток, и т.д. Это вынуждает использовать драйверы затворов, обеспечивающие ток силой до нескольких ампер. Наличие большой входной ёмкости затвор-исток MOSFET, которую существенно снизить у производителей пока не получается, тормозит использование MOSFET на частотах преобразования более нескольких мегагерц, т.к. ток управления станет примерно равен току стока.
Комплексное входное сопротивление MOSFET в статическом режиме очень велико. Это не хорошо, т.к. наводки на чувствительные высокоомные цепи могут привести к появлению паразитных «звонов» в цепи затвора, к ложному переключению MOSFET (иногда с выгоранием транзистора) и пр. В двухтактном ИИП, при переключении MOSFET, в один такт сигнал с управляющей цепи зарядил ёмкость затвор-исток. До следующего такта во время dead time эту ёмкость обязательно необходимо разрядить, ибо иначе транзистор останется открытым, а отпирающийся второй транзистор приведёт к короткому замыканию и, возможно, выгоранию обоих MOSFET. Входное сопротивление MOSFET в статике в отличие от биполярных транзисторов, как мы знаем, очень велико, а, значит, возникает интегрирующая цепь из маленькой ёмкости величиной от сотен пикофарад до десяти нанофарад и очень большого сопротивления затвора MOSFET. Постоянная времени может достигать нескольких секунд, а, следовательно, без уменьшения вредного большого сопротивления затвора MOSFET мы не сможем управлять транзистором на высокой частоте. Именно поэтому для разряжения ёмкости затвор-исток её шунтируют внешним резистором с сопротивлением от сотни Ом до нескольких килоом, таким образом, уменьшая вредное большое входное сопротивление MOSFET примерно до уровня биполярных транзисторов. Чем выше частота и больше ёмкость затвор-исток, тем меньше должно быть сопротивление резистора, шунтирующего затвор-исток MOSFET.
так это... что вы скажете то по поводу того что на затворах такая странная форма импульса? раз уж вы снова с нами почему так может получаться, ведь выход микросхемы двухтактный... должен быть...
Мяу Dimm-on..
выход-то у микросхемы двухтактный, НО она-же не "сидит" сразу на выводах транзистора, а есть какое-то расстояние между ними,
как-то провода припаяны,
КУДА-ТО провода припаяны,
и ешё ты ОПЯТЬ схему с аккумулятора питаешь !!!!
..
Отладь сначала на БП, а уже потом к аккуму будешь цеплять..
Мя не зря попросил тя посмотреть, что творится на выводе питания м/схемы..
..
И когда смотришь осциллографом, то подключи "корпусной" щупа на "минус питания" платы и НЕ пересоединяй его, а все измерения проводи относительно ОДНОЙ этой точки...
не, ну я мерю всегда относительно одной точки, я к проводу цеплялся, по которому на плату минус приходит ну понятно, я сегодня поэксперементирую, попробую полевики убрать и посмотреть какой она сигнал выдает без них... вчера поздно было уже... когда я плату собрал, посмотрел просто, не заладилось что то..., сфотал... я же на старом источнике смотрел, относительно этого же провода минусового, было все красивее гораздо... я мог бы подумать что тока не хватает, но у TL494 еще меньше ток ведь... и импульсы то покрасивее были, может мне микросхему подсунули левую какую нибудь... я так понимаю, был бы нормальный ток, все бы прекрасно заряжалось быстро, причина то одна медленной зарядки помоему, маленький ток... а почему он мелнький предстоит выяснить, а может сама микросхема такие импульсы выдает еще..., надо разобраться...
завтра возможно скажу...., кстати, методика по ссылке весьма нормальная, я в ней разобрался не так считал просто.., действительно похоже на то что москатовская программа пишет, ладно, трансформатор значит должен быть нормальный! завтра еще разок намотаю его и померю индуктивность... надеюсь спаяю новый БП на этой микросхеме..., сообщу о результатах 
