С помощью положительной индуктивной связи легко достичь нужных токов. По такому принципу куча патентовoleg1ma писал(а):Кто вам расказал, что проще?Cравните ток раскачки полевика и биполяра.
сварному никакой а сам инвертор менще греется режимы полегче у силыUpgrader писал(а): В чем преимущество именно в плане сварки сварщику?
ну дык это и атбп естьTPAHCODEJI писал(а):С помощью положительной индуктивной связи легко достичь нужных токов
[/quote]оттуда ! писал(а):Практически до конца 70-х годов биполярным транзисторам не было достойной альтернативы в качестве
силовых ключевых элементов в импульсных источниках электропитания. В последствии биполярные
транзисторы были практически вытеснены транзисторами с униполярной структурой (полевыми). Основным
недостатком биполярного транзистора, из-за которого он сдал свои позиции, был значительный ток управления
необходимый для отпирания этого транзистора. Особенно это актуально для мощных высоковольтных
транзисторов, имеющих низкий коэффициент передачи h21э. Проблему уменьшения тока управления пытались
решать использованием составных транзисторов. Но составные транзисторы, по сравнению с одиночными,
имели большее падение напряжения в открытом состоянии и худшие частотные характеристики. Появление
первых промышленных полевых транзисторов в середине 70-х вызвало настоящую эйфорию, позволившую
говорить о вытеснении и полной замене ими биполярных транзисторов во многих областях применения [1].
Однако на практике всё оказалось не так просто. Напряжение на открытом биполярном транзисторе меньше,
чем у аналогичных полевых транзисторов. Причём чем выше рабочие напряжения, тем в большей мере это
выражено. Положительный ТКС сопротивления канала полевого транзистора практически ограничивает
максимальную температуру его кристалла на уровне 150°С. Эта температура является критической для полевых
транзисторов, тогда как для биполярных транзисторов аналогичная температура равна 200°С. В попытке
скомбинировать полезные свойства полевых и биполярных структур были созданы биполярные транзисторы с
изолированным затвором (IGBT). IGBT, уже в первом поколении, по плотности тока в 20 раз превосходили
полевые и в 5 раз биполярные транзисторы, хотя имели относительно высокое время выключения 10…20мкс.
К концу 80-х появились IGBT второго поколения, рассчитанные на токи в сотни ампер и напряжение до 1200В,
имеющие время выключения 200…300нс[1]. В настоящее время ведущие производители мощных ключевых
приборов всё больше сокращают производство мощных биполярных транзисторов и ориентируются, в
основном, на IGBT технологии. Но, по сравнению с биполярными транзисторами, IGBT, благодаря своей
тиристорной структуре, всё равно имеют более высокое падение напряжения в открытом состоянии.
Это небольшое вступление показывает, что проблема идеального ключевого транзистора к настоящему
времени так и не решена в полной мере.
Не всё так печально - загляните в каталог Ангстрема https://www.angstrem.ru/ru/catalog/silo ... ye-pribory , или тут http://sdelanounas.ru/blogs/75944/ . Также , производятся мощные полевики для космоса , естественно в военно-космическом исполнении (драгметаллы/керамика) в том числе и на экспорт . Для любителей это всё равно не будет доступно . Но за державу уже не так обидно .musor писал(а): относится к концу 80-90годов после чего наща ПП промыщленость рухнула
жаль что эти поделки нащей ОБОРОНКИ осели лишь в музеях раритетоф...
за ДЕРЖАВУ ОДНАКА ОБЫДНО!
можно, параллелить нельзя разные.TPAHCODEJI писал(а):Можно ли в разные плечи
LC Фильтр ставить можно, но ёмкость уменьшать нельзя. Нужно что бы в промежутки между синусоидами сети преобразователь от чего то питался. А он питается только энергией запасённой в конденсаторах. Дроссель перед ними погоды не сделает, только что будет пассивный КаКа-эМ.TPAHCODEJI писал(а):Можно ли для уменьшения
не все. есть у меня 4 штучки таких. куда бы их сунуть, не подскажешь?musor писал(а): жаль что эти поделки нащей ОБОРОНКИ осели лишь в музеях раритетоф...
за ДЕРЖАВУ ОДНАКА ОБЫДНО!
а если узнать цены, то станет действительно печально. Один транзистор может стоить как половина современного сварочного преобразователя. Зато отечественная разработка!Lemm писал(а):Не всё так печально - загляните в каталог Ангстрема
делают, но у них свои особенности. Лучше квазирезонансные, как золотая середина.Upgrader писал(а):А резонансники кто-нибудь делал?
обьяснять долго читайте в оригинале разборки по нимотличается квазирезонансные от резонансных
в квазирезонансных преобразователях резонанс проявляется в момент переключения, что даёт возможность обеспечить мягкую коммутацию силовых элементов. Например, сравните обычный и фазосдвигающий мостовые преобразователи.TPAHCODEJI писал(а):чем отличается квазирезонансные от резонансных
Выбирать лучше читая даташит.Upgrader писал(а):Чем быстрее IGBT транзистор - тем меньше падение? Т.е. выбирать более высокочастотные?
