Сварочный инвертор

[neon]

релейный мост или умформер не пойдёт?

[TPAHCODEJI]

Кто вам расказал, что проще?Cравните ток раскачки полевика и биполяра.

С помощью положительной индуктивной связи легко достичь нужных токов. По такому принципу куча патентов

[Upgrader]

А резонансники кто-нибудь делал? В чем преимущество именно в плане сварки сварщику?

[musor]

В чем преимущество именно в плане сварки сварщику?

сварному никакой а сам инвертор менще греется режимы полегче у силы

С помощью положительной индуктивной связи легко достичь нужных токов

ну дык это и атбп есть
но ведь еще игнитроны существовали зачем вам биполяры и инверторные схемы на тиристорах резонансные АРИ работавщие на частотах в пару кгц-впоне себе рабочие и главно почти неубиваемые
я вообще не понимаю смысла повторять заведому утраченую и устаревщую технологию которая уже в прощлом хоть и недалеком...

[TPAHCODEJI]

Вот публикация на эту тему. Там четко описывается что проблемма идеального ключа не решена. И там как раз схема типа ATX рекомендуется для построения инверторов.

[musor]

не следует забывать что болшинство отечественых(СССР иРаша) работ относится к концу 80-90годов после чего наща ПП промыщленость рухнула за это время на китайских заводах как и в силиконовой долине УШЛИ далеко вперед... в совке так и не успели наладить производство IGBT серийно...вот и приходилось искать алтернативы....делая на биполяре были даже спецовык ключи ТК сделаны(силовые болты) на ДЛИТЕЛНЫЕ РАБОЧИЕ токи 50 63 100 150 и 200а аналогов которых за бугром нет(там такой ток тока в импулсе) но даже наши и в этой статье признали это...

Спойлер

Практически до конца 70-х годов биполярным транзисторам не было достойной альтернативы в качестве
силовых ключевых элементов в импульсных источниках электропитания. В последствии биполярные
транзисторы были практически вытеснены транзисторами с униполярной структурой (полевыми). Основным
недостатком биполярного транзистора, из-за которого он сдал свои позиции, был значительный ток управления
необходимый для отпирания этого транзистора. Особенно это актуально для мощных высоковольтных
транзисторов, имеющих низкий коэффициент передачи h21э. Проблему уменьшения тока управления пытались
решать использованием составных транзисторов. Но составные транзисторы, по сравнению с одиночными,
имели большее падение напряжения в открытом состоянии и худшие частотные характеристики. Появление
первых промышленных полевых транзисторов в середине 70-х вызвало настоящую эйфорию, позволившую
говорить о вытеснении и полной замене ими биполярных транзисторов во многих областях применения [1].
Однако на практике всё оказалось не так просто. Напряжение на открытом биполярном транзисторе меньше,
чем у аналогичных полевых транзисторов. Причём чем выше рабочие напряжения, тем в большей мере это
выражено. Положительный ТКС сопротивления канала полевого транзистора практически ограничивает
максимальную температуру его кристалла на уровне 150°С. Эта температура является критической для полевых
транзисторов, тогда как для биполярных транзисторов аналогичная температура равна 200°С. В попытке
скомбинировать полезные свойства полевых и биполярных структур были созданы биполярные транзисторы с
изолированным затвором (IGBT). IGBT, уже в первом поколении, по плотности тока в 20 раз превосходили
полевые и в 5 раз биполярные транзисторы, хотя имели относительно высокое время выключения 10…20мкс.
К концу 80-х появились IGBT второго поколения, рассчитанные на токи в сотни ампер и напряжение до 1200В,
имеющие время выключения 200…300нс[1]. В настоящее время ведущие производители мощных ключевых
приборов всё больше сокращают производство мощных биполярных транзисторов и ориентируются, в
основном, на IGBT технологии. Но, по сравнению с биполярными транзисторами, IGBT, благодаря своей
тиристорной структуре, всё равно имеют более высокое падение напряжения в открытом состоянии.
Это небольшое вступление показывает, что проблема идеального ключевого транзистора к настоящему
времени так и не решена в полной мере.

[/quote]

вот ксттати ТКД165-х

или ТК152-х
Добавлено after 6 minutes 6 seconds:
жаль что эти поделки нащей ОБОРОНКИ осели лишь в музеях раритетоф...
за ДЕРЖАВУ ОДНАКА ОБЫДНО!

[TPAHCODEJI]

Да, жалко.
Вобщем имеется 12шт кт 838а и 10 шт кт 846(а,б,в). Можно ли их объединить в мостовой схеме? h21 отличается не значительно. Не знаю сколько такая гирлянда однако продержится)

[Lemm]

относится к концу 80-90годов после чего наща ПП промыщленость рухнула
жаль что эти поделки нащей ОБОРОНКИ осели лишь в музеях раритетоф...
за ДЕРЖАВУ ОДНАКА ОБЫДНО!

Не всё так печально - загляните в каталог Ангстрема https://www.angstrem.ru/ru/catalog/silo ... ye-pribory , или тут http://sdelanounas.ru/blogs/75944/ . Также , производятся мощные полевики для космоса , естественно в военно-космическом исполнении (драгметаллы/керамика) в том числе и на экспорт . Для любителей это всё равно не будет доступно . Но за державу уже не так обидно .

[TPAHCODEJI]

Так же еще вопрос. Можно ли в разные плечи моста пихать разные транзисторы? По идее без разници т.к один фиг на ТГР можно добавить или сократить витки
Можно ли для уменьшения емкости входных коднденсаторов делать LC фильтр в инверторе сварочном?

[Телекот]

Можно ли в разные плечи

можно, параллелить нельзя разные.

Можно ли для уменьшения

LC Фильтр ставить можно, но ёмкость уменьшать нельзя. Нужно что бы в промежутки между синусоидами сети преобразователь от чего то питался. А он питается только энергией запасённой в конденсаторах. Дроссель перед ними погоды не сделает, только что будет пассивный КаКа-эМ.

[oleg63m]

жаль что эти поделки нащей ОБОРОНКИ осели лишь в музеях раритетоф...
за ДЕРЖАВУ ОДНАКА ОБЫДНО!

не все. есть у меня 4 штучки таких. куда бы их сунуть, не подскажешь?

[neon]

Не всё так печально - загляните в каталог Ангстрема

а если узнать цены, то станет действительно печально. Один транзистор может стоить как половина современного сварочного преобразователя. Зато отечественная разработка!

В статье про IGBT не написали, что падение напряжение на них привязано к быстродействию и у современных IGBT со сравнимым быстродействием как у биполярных транзисторов падение напряжения очень маленькое.

[Upgrader]

Чем быстрее IGBT транзистор - тем меньше падение? Т.е. выбирать более высокочастотные?

[neon]

наоборот. За скорость приходится платить более высокими статическими потерями. Попробуйте найти аналог, например, IGBT IKW75N65EL5 среди биполярных транзисторов и вы поймёте, что это дохлый номер. Сравнивать надо допустимое напряжение, падение напряжения при заданном токе и температуре, быстродействие.

А резонансники кто-нибудь делал?

делают, но у них свои особенности. Лучше квазирезонансные, как золотая середина.

[TPAHCODEJI]

Я сколько не читал литературу так и не понял чем отличается квазирезонансные от резонансных

[musor]

ну это естествено у мосфетов также чем менще сопротивление тем жирнее(тяжелее по емкости затвора) ну и сответсвено драйвер нужен мощнее
впрочем здесь особой разницы между мосфет и IGBT нет-так что в 90% случаев они взаимозаменяемы при соблюдении ряда условий
а вот переделка серийного инвертора с IGBT на NPN вызывает очень кардиналные переделки как в части силы так и управления ими хотя мощности на управление часто соизмеримы но схемотехника весма отлична от друг друга
вообще народный вариант из гавна наверно был интересен в районе 2000=2005годов когда я за день утилизировал по десятка 2 телеков и компов из совка и 812,838,846 ,872 набрал целый ящик-целых невредимых вместе спрокладками-слюды втулками и часто литыми силуминовыми радиаторами-штамповку из Ал3 не брал никогда-ее как гавна наод ее пускална уголки и стяжки -резали их гильотиной
кстати к тем временам относится и сварка на тиристорах КУ221-от упимцт но их уже почти небыло списаны почти все в 90х-кстати у меня оказалось 6шт для пробы-но...руки до той недосхемы не дощли -хотел набрать на полный мост...не судьба...а купив инвертор понял все эти поделки на старье и феритах и ТВС...так поиграться для опытов ...ждля работы надо брать то что гарантировано будет жить в зоне ОБР и долго иногда промизделия из китая сразу требует доработки-форсаж охлаждения всей силы +месный обдув моста и дроселя
о

отличается квазирезонансные от резонансных

обьяснять долго читайте в оригинале разборки по ним

[neon]

чем отличается квазирезонансные от резонансных

в квазирезонансных преобразователях резонанс проявляется в момент переключения, что даёт возможность обеспечить мягкую коммутацию силовых элементов. Например, сравните обычный и фазосдвигающий мостовые преобразователи.

[oleg1ma]

Чем быстрее IGBT транзистор - тем меньше падение? Т.е. выбирать более высокочастотные?

Выбирать лучше читая даташит.

[TPAHCODEJI]

У меня снова вопрос. В мостовом инверторе снабберную RC цепь надо ставить парралельно первичке или каждому транзистору?

[Телекот]

Скачай себе кучу схем сварочных инверторов заводских и куча вопросов сразу отпадёт.