Как-то темы вопросов имеют обыкновение кучковаться во времени. Вот полный аналог возник здесь
Защита от переполюсовки. Поскольку бодаться там об, в общем-то, очевидном, нет никакого желания, продолжу здесь. Собственно, мысль была неплохая, и я её интерпретировал так: а давайте-ка сделаем не безиндукционный шунт, который я всегда старался делать (по методике "устанавливаем несколько резисторов параллельно"), а накрутим нихромовую проволоку, например, на карандашик. Что получится? А получается довольно интересно. Вот схема
Схема, за исключением номиналов (кручу-верчу - запутать хочу), полностью повторяет транзисторный вариант. Только отсутствует схема, которая следила за обратным током (считаем, что она пока не нужна, да и от данной схемы она не зависит). Но последовательно с активным сопротивлением шунта добавляем, в общем-то, микроскопическую индуктивность, которая легко получается, если шунт наматывать проволокой.
Самое интересное здесь - это графики, полученные при моделировании. Часть переходных процессов я опускаю, поскольку они похожи. Но самые интересные посмотрим.
Переходный процесс при подключении разряженного до 10 вольт аккумулятора к клеммам. Напряжение на клеммах имеется (аккумулятор был подключен ранее, а затем отключен)
В общем-то, индуктивность шунта видимого влияния не производит. Это не удивительно, т.к. разница напряжений между выходом источника и аккумулятором мала (чуть более 4-х вольт), из-за чего скорость роста тока невелика. Всё спокойно работает "на сопротивлениях", уравнивающий ток ограничен примерно на 12~14 ампер (при 10 амперах, задаваемых источником в установившемся режиме).
Переходный процесс при переполюсовке гораздо интереснее.
Для начала картина переходного процесса без установленного на схеме диода D2
О, ничего себе! Выброс тока, раньше такой огромный (хотя и короткий) в случае, когда шунт был безиндуктивним (см. графики от прошлых моделей), скукожился до каких-то жалких нескольких ампер!
При этом очень интересно посмотреть, а почему? А потому, что благодаря высокой скорости роста тока, ЭДС самоиндукции на шунте выроста настолько, что ток прямо хлынул в базу VT3, открыв его полностью, насколько это возможно (см. ток коллектора VT3). Благодаря чему ключ M1 очень быстро закрылся. насколько быстро, что ток не успел толком вырасти, несмотря на то, что индуктивность в общем-то очень мала.
Правда, это породило побочный эффект: ток, "разогнавшись" в индуктивности, накопил энергию, и по закрывании M1 он не может никуда течь. Но не течь он не может (самоиндукция), а это вызывает просадку напряжения на истоке ключа, что в свою очередь его снова
приоткрывает, давая току протекать. Собственно, этот процесс и рассеивает в тепло энергию индуктивности шунта.
Рассеяние в тепло, в общем-то совершенно нормальное явление, но если по каким-то причинам его "страшно" проводить на транзисторе, то делаем очень просто: подключаем в схему D2 и рассеиваем энергию на нём
Естественно, что при всех условиях требования к живучести VT3 имеются - это должен быть транзистор с допустимым током коллектора не менее 500мА и способный выдерживать значительный ток базы без повреждений. Из отечественных хорошо подходят КТ503. А вот VT1 и VT2 - любая мелкота...
Добавлено after 4 hours 27 minutes 12 seconds:
Сейчас заметил, что при переполюсовке у VT2 из-за наличия VD1 есть конкретный риск пробить Э-Б насквозь... но это потом подумаем, как избежать...
И дурацкий вопрос: какова типовая индуктивность низкоомных цементников? Когда я их как-то пробовал разбирать (интересно всё-таки), то там я находил "пружинки" (вот
здесь очень похоже). Но чем измерить их индуктивность - неясно. Мой китаёметр их измерять не желает...
Потому что в TO-220 нужно было бы пол-ватта, чтобы нагреть их так, а для SMD нужно раза в три меньше... Не, оно при нормальной работе было бы ничего, но при отладке, сам понимаешь, чуть что - катастрофа...
