сергей999 писал(а):О, благодарю, уже проясняется маленько, а напряжение 100-200 мВ , это из опыта , или можно найти в справочнике?
Из здравого смысла. Падение напряжения на переходе база-эмиттер 0.6 - 0.7 В, здесь выбрано такое, чтобы оно с гарантией было меньше.
сергей999 писал(а):Вот формулы к такой схеме включения, если возможно растолкуйте значения переменных.
Так понимаю, что Uб- это те 100-200мВ о которых вы говорили,а Iк- это и есть Iкбо из справочника, если это так, то как узнать Uб,
ведь для разных транзисторов оно разное?
Uб - это и есть падение на эмиттерном переходе, то есть 0.6 - 0.7 В. (Ничего оно не разное, для кремниевых вот такое.) Получается, что по этой формуле они это напряжение уменьшили в 1.5 - 2 раза, до 0.3 - 0.4 В, я рекомендовал 0.1 - 0.2 В. Можно делать и так, и так, разницы особой не будет.
PS. Есть одна тонкость. Поскольку R'12 подсоединён не к точке "Э", а к базе Т11, то при расчёте R11 надо бы складывать токи обоих транзисторов: Т12 и Т13. Начальный ток коллектора Т13 наверняка мал по сравнении с током Т12, так что его можно не учитывать (хотя по-хорошему надо бы). А если резистор соединять с точкой "Э" (так тоже делается), то напряжение Uбэ надо умножать на два - поскольку два перехода включены для этого резистора последовательно.
При протекании тока по переходу База-Эмиттер происходит падение напряжения на этом переходе для разных транзисторов слегка по разному, но обычно в районе 0,4-0,8 В, а также падение на резисторе в цепи эмиттера. 
