У полевого транзистора есть "напряжение отсечки".
Это что получается, чтобы по транзистору не проходил ток, нужно подать на затвор это напряжение?
Для транзистор с p-каналом нужно подать положительное, а с n-отрицательное?
[uquote="mickbell",url="/forum/viewtopic.php?p=3118173#p3118173"]Да. Ток утечки, правда, всё равно пойдёт.[/uquote]
А если напряжение отсечки подать на затвор через конденсатор, утечка будет меньше? Хотя на затворе вроде и так огромное сопротивление.
Или под током утечки понимается ток Исток-Сток и что при напряжении отсечки полного запирания не будет?
[uquote="Сиднев",url="/forum/viewtopic.php?p=3118254#p3118254"]А если напряжение отсечки подать на затвор через конденсатор, утечка будет меньше? Хотя на затворе вроде и так огромное сопротивление.[/uquote]Это делать бесполезно, затвор тут уже не при делах.
[uquote="Сиднев",url="/forum/viewtopic.php?p=3118254#p3118254"]Или под током утечки понимается ток Исток-Сток и что при напряжении отсечки полного запирания не будет?[/uquote]Именно так. Конечно, у маломощных транзисторов этот ток измеряется наноамперами, но не совсем ноль, и об этом следует помнить, ибо иногда он мешается ощутимо.
Кстати, уточнение.
[uquote="Сиднев",url="/forum/viewtopic.php?p=3118122#p3118122"]У полевого транзистора есть "напряжение отсечки".
Это что получается, чтобы по транзистору не проходил ток, нужно подать на затвор это напряжение?
Для транзистор с p-каналом нужно подать положительное, а с n-отрицательное?[/uquote]Это так, когда речь идёт о транзисторах с затвором, изолированным PN-переходом. У МОП-транзисторов напряжение отсечки может быть (и часто бывает) "своего" знака.
Последний раз редактировалось mickbell Пт июн 02, 2017 10:49:31, всего редактировалось 1 раз.
да, но действует в "ту же сторону", это как в цепь затвора батарейку добавить.
Для тех, кто не учил магию мир полон физики
Безграмотно вопрошающим про силовую или высоковольтную электронику я не отвечаю, а то ещё посадят за участие в (само)убиении оболтуса...
[uquote="mickbell",url="/forum/viewtopic.php?p=3118311#p3118311"]Кстати, уточнение.
[uquote="Сиднев",url="/forum/viewtopic.php?p=3118122#p3118122"]У полевого транзистора есть "напряжение отсечки".
Это что получается, чтобы по транзистору не проходил ток, нужно подать на затвор это напряжение?
Для транзистор с p-каналом нужно подать положительное, а с n-отрицательное?[/uquote]Это так, когда речь идёт о транзисторах с затвором, изолированным PN-переходом. У МОП-транзисторов напряжение отсечки может быть (и часто бывает) "своего" знака.[/uquote]
Вроде транзисторы с изолированным затвором это и есть МОП/МДП-тразисторы? И в зависимости от структуры транзистора (p-n-p или n-p-n) формируется знак?
Так?
[uquote="Ivanoff-iv",url="/forum/viewtopic.php?p=3118334#p3118334"]да, но действует в "ту же сторону", это как в цепь затвора батарейку добавить.[/uquote] Думаю, что в некоторых схемах соединение Затвора с Истоком (через резистор) и выполняет функцию создания напряжения отсечки. Так?
[uquote="Сиднев",url="/forum/viewtopic.php?p=3118350#p3118350"]Вроде транзисторы с изолированным затвором это и есть МОП/МДП-тразисторы? И в зависимости от структуры транзистора (p-n-p или n-p-n) формируется знак?
Так?[/uquote]Термин я таки переврал. Первые называются "транзисторы с затвором в виде PN-перехода", про полную изоляцию затвора говорить не приходится. Прошу прощения.
Что касается знака у МОП-транзистора: если он N-канальный, то в любом случае открываться он будет, если напряжение на затворе будет БОЛЕЕ ПОЛОЖИТЕЛЬНОЕ, чем напряжение отсечки, которое само по себе может быть любого знака. Для P-канального - наоборот, напряжение для его открывания должно быть отрицательнее, чем напряжение отсечки.
[uquote="mickbell",url="/forum/viewtopic.php?p=3118361#p3118361"][uquote="Сиднев",url="/forum/viewtopic.php?p=3118350#p3118350"]Вроде транзисторы с изолированным затвором это и есть МОП/МДП-тразисторы? И в зависимости от структуры транзистора (p-n-p или n-p-n) формируется знак?
Так?[/uquote]Термин я таки переврал. Первые называются "транзисторы с затвором в виде PN-перехода", про полную изоляцию затвора говорить не приходится. Прошу прощения.
Что касается знака у МОП-транзистора: если он N-канальный, то в любом случае открываться он будет, если напряжение на затворе будет БОЛЕЕ ПОЛОЖИТЕЛЬНОЕ, чем напряжение отсечки, которое само по себе может быть любого знака. Для P-канального - наоборот, напряжение для его открывания должно быть отрицательнее, чем напряжение отсечки.[/uquote]
То есть картинка ВАХ для p-канального и n-канального транзисторов.?!
МДП-транзистор это почти идеальный транзистор, вот только смущает что он сохраняет заряд на затворе.
А каким образом решают эту проблему, если это не нужно?
Последний раз редактировалось aen Пн июн 05, 2017 17:35:59, всего редактировалось 1 раз.
Причина:Нарушение Правил форума п. 2.7
[uquote="Сиднев",url="/forum/viewtopic.php?p=3118414#p3118414"]МДП-транзистор это почти идеальный транзистор, вот только смущает что он сохраняет заряд на затворе.
А каким образом решают эту проблему, если это не нужно?[/uquote]Вопрос правильный. Ёмкость затвора (сама по себе, даже без учёта эффекта Миллера) может быть от сотен пик до чуть ли не десятков нан, ну единицы - точно, а ведь мосфеты приходится открывать-закрывать быстро, с частотами аж в сотни килогерц. В этом случае затвором управляют с помощью драйвера затвора - выполненного на транзисторах или готового, в виде микросхемы. Этот драйвер в импульсе выдаёт токи обоих знаков порядка ампера, чтобы побыстрее перезарядить затвор. Если столь быстрое включение-выключение не требуется, можно управлять затвором как попало. В любом случае не следует оставлять его висящим в воздухе, иначе заряд с него будет уходить непонятно сколько времени. Достаточно резистора затвор - исток в десятки или даже сотни килоом.
[uquote="mickbell",url="/forum/viewtopic.php?p=3118430#p3118430"][uquote="Сиднев",url="/forum/viewtopic.php?p=3118414#p3118414"]МДП-транзистор это почти идеальный транзистор, вот только смущает что он сохраняет заряд на затворе.
А каким образом решают эту проблему, если это не нужно?[/uquote]Вопрос правильный. Ёмкость затвора (сама по себе, даже без учёта эффекта Миллера) может быть от сотен пик до чуть ли не десятков нан, ну единицы - точно, а ведь мосфеты приходится открывать-закрывать быстро, с частотами аж в сотни килогерц. В этом случае затвором управляют с помощью драйвера затвора - выполненного на транзисторах или готового, в виде микросхемы. Этот драйвер в импульсе выдаёт токи обоих знаков порядка ампера, чтобы побыстрее перезарядить затвор. Если столь быстрое включение-выключение не требуется, можно управлять затвором как попало. В любом случае не следует оставлять его висящим в воздухе, иначе заряд с него будет уходить непонятно сколько времени. Достаточно резистора затвор - исток в десятки или даже сотни килоом.[/uquote]
Именно поэтому я и начал тему про "Полевой Транзистор с управляющим pn-переходом", а не с изолированным затвором.
Мне бы, для начала, с более простой схемой разобраться, не хотелось бы сразу лезть в дебри с разрядкой затворов и плодить каскады для сброса заряда.
Последний раз редактировалось aen Пт июн 02, 2017 15:47:49, всего редактировалось 1 раз.
Причина:Нарушение Правил форума п. 2.7
Хорошо, пусть будут с PN-переходом. Будем говорить о какой-то конкретной схеме? Или о каком-то конкретном применении этого транзистора? "В общем виде" говорить неинтересно.
[uquote="mickbell",url="/forum/viewtopic.php?p=3118521#p3118521"]Будем говорить о какой-то конкретной схеме? Или о каком-то конкретном применении этого транзистора?[/uquote]
Хотел сделать нечто вроде щупа с лампочкой(свето-диодом), чтобы видеть наличие напряжения, а заодно поиграться с полевым транзистором.
Тогда, я думаю, начинать надо именно с мосфета. Взять такой, который закрыт при нуле на затворе (они, наверно, практически все такие), с напряжением открывания поменьше ("управление логическими уровнями"). В сток - светодиод и токоограничительный резистор, к затвору - антенку, обязательно изолированную. Можно через резистор, скажем, 1 МОм. Резистор между затвором и истоком не нужен. Ну вот и всё, можно пробовать. При поднесении антенки к проводу под напряжением светодиод, может быть, засветится. Почему здесь не подойдёт транзистор с PN-переходом, понятно?
Вы графики рисовали, по ним видно. Полевой транзистор с затвором в виде PN-перехода (JFET по буржуйской терминологии) всегда открыт (проводит ток) при нулевом напряжении (а надо, чтобы он был закрыт); чтобы запереть его, приходится подавать на затвор напряжение другого знака, чем на сток. Подать-то можно, но возникнут две проблемы.
1. Где его взять, другого знака?
2. Подавать его придётся через резистор, который резко снизит чувствительность устройства.
В-общем, пробуйте сразу мосфеты. Мне вот тоже не довелось иметь дела с JFETами, однако я не считаю себя ущербным.
Насчёт ёмкости - вопрос, конечно, интересный... Посчитаем? Допустим, мы имеем мосфет с напряжением открывания 1.8 В и ёмкостью затвор-исток 80 пФ. Нам надо среагировать на напряжение 180 В. Получается, ёмкость между искомым проводом и затвором должна быть не менее 0.8 пФ. Я думаю, такое обеспечить вполне реально. А возьмёте мощный мосфет - у него ёмкость может оказаться несколько нанофарад и он уже не откроется. (За основу взят BSS131, которых на работе у меня есть некоторое количество.)
[uquote="Сиднев",url="/forum/viewtopic.php?p=3118791#p3118791"]Хотел сделать нечто вроде щупа с лампочкой[/uquote]Неужели кроме как помигать лампочкой с этими транзисторами больше ни на что фантазии не хватает?
Хотите мигать лампочками, тогда изучайте МК. Этим у нас только программисты занимаются. Они программировать научились, а зачем, сами не знают, поэтому кроме как помигать светодиодом больше ничего им в голову не приходит.
Выбирайте на любой вкус. В процессе и принцип работы подобных транзисторов изучите.
[uquote="mickbell",url="/forum/viewtopic.php?p=3119089#p3119089"]Вы графики рисовали, по ним видно. Полевой транзистор с затвором в виде PN-перехода (JFET по буржуйской терминологии) всегда открыт (проводит ток) при нулевом напряжении (а надо, чтобы он был закрыт); чтобы запереть его, приходится подавать на затвор напряжение другого знака, чем на сток. Подать-то можно, но возникнут две проблемы.
1. Где его взять, другого знака?
2. Подавать его придётся через резистор, который резко снизит чувствительность устройства.[/uquote]
Но ведь система сброса заряда у МОП-транзистора, почти эквивалентна, системе подачи напряжения отсечки на pn-транзистор и то и другое снижает чувствительность щупа.
А можно ли взять от напряжение другого знака от конденсатора?
[uquote="Плюсик",url="/forum/viewtopic.php?p=3119173#p3119173"]Неужели кроме как помигать лампочкой с этими транзисторами больше ни на что фантазии не хватает?
Хотите мигать лампочками, тогда изучайте МК.[/uquote]Начать мне проще с мигания лампочкой , а если получится, буду прикручивать микропроцессор чтобы точные значения напряжения в цифру перевести и отобразить на цифровой панельке.
Ссылки интересные но мне пока рано на такие сложные схемы переходить.
[uquote="Сиднев",url="/forum/viewtopic.php?p=3119549#p3119549"]Но ведь система сброса заряда у МОП-транзистора, почти эквивалентна, системе подачи напряжения отсечки на pn-транзистор и то и другое снижает чувствительность щупа.[/uquote]В этом случае для мосфета не нужно делать никакую систему сброса заряда - именно для того, чтобы не терять чувствительность. Я писал уже: резистор затвор-исток не нужен. Во всех других случаях или резистор, или что-то ещё - нужно.
[uquote="Сиднев",url="/forum/viewtopic.php?p=3119549#p3119549"]А можно ли взять от напряжение другого знака от конденсатора?[/uquote]Ничего не понял. Как, откуда? Поясните свою мысль.
засветится. Почему здесь не подойдёт транзистор с PN-переходом, понятно?
