p-n Переход (электронно-дырочный переход)

[Kotische]

Есть элементарные частицы - "электрон" и "позитрон",
а квазичастицы в полупроводнике - "электрон" и "дырка".

Квазичастица "электрон" весьма далека от элементарной частицы электрона.

Так вот квазичастицы в полупроводнике могут перемещаться по горизонтали - проводимость,
а могут перемещаться по вертикали - рекомбинация.

Когда дырка уходит в металлическую клемму это выглядит как рекомбинация, но дырку заполняет электрон из металла с той же самой энергией поэтому выделения квантов свободной энергии не происходит, поэтому и нельзя сказать что произошла рекомбинация.

[Frensis]

[uquote="Kotische",url="/forum/viewtopic.php?p=3296034#p3296034"]Когда дырка уходит в металлическую клемму это выглядит как рекомбинация, но дырку заполняет электрон из металла с той же самой энергией поэтому выделения квантов свободной энергии не происходит, поэтому и нельзя сказать что произошла рекомбинация.[/uquote]
Согласен. То, что я сказал-это математическая абстракция.
Если честно, то концентрация неосновных инжектированных носителей будет спадать по плавной кривой вследствие рекомбинации. Т.е. число инжектированных дырок в глубине n области будет считаться равновесной. Т.е. рекомбинация имеет место во всем объеме полупроводника

[Frensis]

А вот вопросик у меня. Допустим в результате инжекции некоторое количество дырок из p области переходят в n. Для того чтобы полупроводник n остался нейтральным, такое же количество электронов выходят из минуса источника в n область. Т.е. концентрация основных носителей(электронов) в n области выросло. Будет ли за счет увеличения носителей заряда снижаться сопротивление n полупроводника(аналогично p полупроводника)?

[Kotische]

Будет!
Предлогаю рассмотреть работу pin диода, к которым относятся все лазерные и светодиоды.
Там вообще i - изолятор, однакож работает!