Для этого нужно написать систему ОДЕ для неё.
Собственно, сама цепь:

Я знаю, как написать ДУ для конденсатора с утечкой. Для этого на каждом шаге численной симуляции делать:
Код: Выделить всё
VC = VC + dt * (IC - IL - VC*gLeak )/Cmembrane
VC - напряжение на конд.
IC - некий втекающий ток
IL - ток вытекающий через катушку,
gLeak - величина обратная внутреннему сопротивлению кодн(проводимость утечки).
Cmembrane - ёмкость.И (вроде) придумал, как смоделировать идеальный диод (его проводимость) через булеву алгебру:
Код: Выделить всё
gDiode = (IL > 0) || (VC > gatePotential)
IL - ток через катушку
gatePotential - напряжение открытия.
падение напряжения на диоде не моделируется.
gDiode принимает значения 1.0 если тот открыт и 0.0 если тот закрыт.
Таким образом, если бы катушка была бы замкнута на землю, я мог бы написать формулу:
Код: Выделить всё
IL = IL + dT * ( VC * gDiode ) / LaxonМоих знаний не хватает, чтобы учесть остальное и для общего случая. Задам несколько вопросов:
1) Как правильно моделировать диод?
- Правильно ли делаю я?
Вижу, что есть статья на википедии,
Но "смотрю в книгу, вижу фигу" - не понимаю, как мне написать формулу интегрирования тока катушки.
2) Что нужно хранить, если можно хранить только что-то одно из двух?
- - Для каждого конденсатора список всех катушек, к которым он подключен для вычисления IC?
- Для каждой катушки список всех конденсаторов, к которым та подключена для вычисления IL?
2) Как выдоизменится формулы для численного решения диф.ур, если рассмотреть тривиальные случаи, когда
- - Конденсатор Cmembrane втекает ток с двух катушек L1-R1, L2-R2?[/li]
- Катушка Laxon заряжает конденсаторы R1-C1 и R2-C2?[/li]
Вот такие у меня пробелы по теории... Выручайте!
