Мелкие вопросы по теории

[Ivanoff-iv]

средняя мощность передаваемая импульсом равна его мгновенной мощности умножить на отношение времени засветки к общему времени, в случае со сканированием это отношение ничтожно...
перейдём на аналогии — полив грядок: можно махать шлангом, можно брызгалку надеть, воды на грядку попадет ровно столькоже, (ровно столько, сколько ты её израсходовал).

[mickbell]

Остаётся один вопрос: о сравнении восприятия зрением постоянного, но слабого свечения экрана, и яркого, но с большой скважностью. Есть у меня подозрение (я что-то где-то читал, не сам придумал), что результаты будут несколько отличаться в пользу импульсов, то есть сканирования. Однако не сильно.

[КРАМ]

[uquote="Бурабат",url="/forum/viewtopic.php?p=3488901#p3488901"]Про сканирования ни слова..С тобой вести спор бесполезно. Уже все давно применяется... Ты наверное к нам на Землю с какойто туманности прилетел с затуманенными мозгами. Вот здесь почитай мальчик http://tehnika.expert/cifrovaya/proekto ... ora.html#i[/uquote]
Я тебе уже говорил, что ты необразованный и самоуверенный хам?
Раз ты так любишь популярщину - почитай тут:
http://gooosha.ru/vybor-lazernogo-proek ... 2018-godu/
Лазерные проекторы являются РАЗНОВИДНОСТЬЮ DLP- проекторов, где в качестве источника света используется лазер. Причем либо частично, либо по всем трем каналам. Никакой механической развертки там нет и в помине.
Используется ТРИ отражательных микрозеркальных матрицы (DLP), а лазер ДОПОЛНИТЕЛЬНО модулируется по амплитуде, что позволяет исправить недостаток DLP связанный с подсветкой черного из-за малых углов поворота микрозеркал.
Ну и сэкономить на нагреве, заодно.
Мощность всех трех лазеров проектора НА ЧЕТЫРЕ ПОРЯДКА больше, чем мощность лазерного диода в указке.
Такшта обломись, недоучка...

[Novichokk]

Всем привет. Есть теоретический вопрос про конденсаторы. Хочу выяснить "чисто для себя".

Возьмем плоский конденсатор (просто потому, что формула для него мне более или менее ясна). Формула его емкости показывает, что емкость прямо пропорциональна диэл. проницаемости диэлектрика между пластинами, и обратно пропорциональна расстоянию между пластинами. Учебники по физике для средней школы и книжки по азам радиолюбительства, которые у меня есть - объясняют это примерно одинаково. Мол, с уменьшением расстояния между пластинами увеличивается взаимовлияние зарядов друг на друга, они сильнее друг-друга удерживают на пластинах, в итоге емкость увеличивается (1). А вот физический смысл прямопропорциональной зависимости емкости от диэл. проницаемости диаэлектрика никак не объясняется. Просто, мол, оно так в формуле, и все. В некоторых учебниках рядом с данной темой еще немного рассказывают про "поляризацию диэлектрика" и "ток смещения" - надо понимать, что это имеет какое-то отношение к вопросу, но лично мне ответа не дает. Диэлектрическая проницаемость (относительная) - штука, показывающая то, как сильно взаимодействие между зарядами увеличится при замене данного диэлектрика воздухом (с единичным значением проницаемости).

Собственно, как понимаю я. Повышение диэл. проницаемости диэлектрика между пластинами ослабляет электрическое поле между обкладками, отбирает у него энергию (видимо, на поляризацию и ток смещения). Но ведь тогда это противоречит (1) - поле между обкладками слабнет, но вместе с этим и слабнет взаимоудержание зарядов на этих обкладках. Можете объяснить, в чем тут загвоздка? Буду благодарен : )

[ypppu]

Заряды (заряженные частицы) имеют электрическое поле. Сила взаимодействия между двумя единичными зарядами определяется расстоянием между ними и свойствами материала, находящегося между зарядами. Диэлектрик электрическое поле ослабляет; разные изоляционные материалы ослабляют по-разному.

[КРАМ]

[uquote="Novichokk",url="/forum/viewtopic.php?p=3492324#p3492324"]Повышение диэл. проницаемости диэлектрика между пластинами ослабляет электрическое поле между обкладками, отбирает у него энергию (видимо, на поляризацию и ток смещения). Но ведь тогда это противоречит (1) - поле между обкладками слабнет, но вместе с этим и слабнет взаимоудержание зарядов на этих обкладках. Можете объяснить, в чем тут загвоздка? Буду благодарен : )[/uquote]
Вы упустили один момент.
Изменение диэлектрической проницаемости связано с перемещением диэлектрика. Энергия конденсатора до внесения диэлектрика и после его внесения будет РАЗНОЙ. Поскольку заряд на обкладках измениться не может, напряжение после внесения диэлектрика уменьшится во столько же раз, во сколько увеличится емкость, но энергия конденсатора пропорциональна КВАДРАТУ напряжения и ЛИНЕЙНОМУ значению емкости. Таким образом, энергия конденсатора уменьшится ПРОПОРЦИОНАЛЬНО УМЕНЬШЕНИЮ НАПРЯЖЕНИЯ из-за увеличения емкости.
Такшта никакого противоречия нет - нужно рассматривать количественные значения величин, а не только качественные.

[Novichokk]

Спасибо, кажется до меня стало в общих чертах доходить : ) Чем "забористее" диэлектрик в кондере, тем больше требуется времени (и заряда) при одном и том-же напряжении источника, чтобы зарядить этот кондер до напряжения источника. Ибо диэлектрик понижает напряженность поля между обкладками, а это снижает напряжение. Как-то пока так понимаю, но это уже что-то.

P.S: Не понимаю, почему ни Сворень, ни Борисов, ни другие, менее известные, авторы различных учебников физики и самоучителей радиолюбительства - никак не объясняют данный аспект. Мне одному что-ли это само собой не ясно, или может меня одного такое интересует...Что обкладки нужно расширить и/или сблизить, чтоб емкость выросла - объясняется, хотя это как-раз интуитивно более понятно. А про роль диэлектрика - типа, "как мы видим из формулы"...

[ypppu]

Вот например из учебника физики Савельева пара цитат:

Итак, в рассматриваемом случае относительна диэлектрическая проницаемость показывает, во сколько раз ослабляется поле за счёт диэлектрика

... и, следовательно, напряжённость поля внутри диэлектрика в Ɛ раз меньше, чем напряжённость поля свободных заядов

[Novichokk]

Вот нормальное, полноценное объяснение:
http://www.sxemotehnika.ru/emkost-kondensatora.html

[ypppu]

В википедии и то получше.

[Novichokk]

[uquote="ypppu",url="/forum/viewtopic.php?p=3492721#p3492721"]В википедии и то получше.[/uquote]
Спорить не буду, все относительно.

[Ярослав555]

[uquote="Novichokk",url="/forum/viewtopic.php?p=3492324#p3492324"]Диэлектрическая проницаемость[/uquote]
Если на пальцах, то она как-бы "сближает" пластины, проводит электростатическое поле, при этом потока электронов нет, почти.
Поэтому растет связь пластин и растет емкость.

[Eltex]

[uquote="Novichokk",url="/forum/viewtopic.php?p=3492485#p3492485"]Спасибо, кажется до меня стало в общих чертах доходить : )[/uquote]
Нет.
Здесь дело в поляризации самого диэлектрика, чем больше диэлектрическая проницаемость тем больше зарядов на поверхности диэлектрика будет создано полем, отсюда увеличение ёмкости с увеличением проницаемости.

Поле производит разделение зарядов в диэлектрике, проницаемость это множитель этого разделения.

[uquote="ypppu",url="/forum/viewtopic.php?p=3492641#p3492641"]Вот например из учебника физики Савельева пара цитат:

Итак, в рассматриваемом случае относительна диэлектрическая проницаемость показывает, во сколько раз ослабляется поле за счёт диэлектрика

... и, следовательно, напряжённость поля внутри диэлектрика в Ɛ раз меньше, чем напряжённость поля свободных заядов

[/uquote]
Поле уменьшается внутри диэлектрика, но увеличивается с поверхностью диэлектрика, где эти заряды и находятся, так как внутри диэлектрика заряды скомпенсированы.

[ypppu]

Вопрос был про

физический смысл прямопропорциональной зависимости емкости от диэл. проницаемости диаэлектрика

Разве разворот молекул-диполей в поверхностном слое приведёт к прямопропорциональному увеличению ёмкости конденсатора? По-моему этот эффект в формуле ёмкости не учитывается.

[markelan]

Всем привет. Частенько нарываюсь на этот сайт в поисках какой либо информации. Но сегодня пришлось зарегистрироваться, что бы иметь возможность задать вопрос. Поиск в интернете нечего не дал, поскольку даже не знаю как правильно и коротко его задать. Я даже не знаю, такое вообще реально сделать или нет. Суть вопроса такая. Есть синусоида, допустим амплитудой 5В. Периодически амплитуда этой синусоиды меняется, допустим, плюс минус 1млВ. Возможно ли каким то способом пропустить эту синусоиду через усилитель, но таким способом, что бы усилитель усиливал только изменения амплитуды этой синусоиды. То есть, если коэффициент усилителя допустим 100, то на выходе мы должны получить туже синусоиду 5В, плюс минус 100 млВ. Причем форма синусоиды должна остаться. Имею ввиду что выделить с нее постоянную составляющую и с ней работать, не пойдет. Возможно ли такое?

[Света]

А частота этой синусоиды и частота изменения амплитуды этой синусоиды известны?
А то, все приёмники работают как раз с подобными сигналами...

[variator]

[uquote="markelan",url="/forum/viewtopic.php?p=3493650#p3493650"]Всем привет. Частенько нарываюсь на этот сайт в поисках какой либо информации. Но сегодня пришлось зарегистрироваться, что бы иметь возможность задать вопрос. Поиск в интернете нечего не дал, поскольку даже не знаю как правильно и коротко его задать. Я даже не знаю, такое вообще реально сделать или нет. Суть вопроса такая. Есть синусоида, допустим амплитудой 5В. Периодически амплитуда этой синусоиды меняется, допустим, плюс минус 1млВ. Возможно ли каким то способом пропустить эту синусоиду через усилитель, но таким способом, что бы усилитель усиливал только изменения амплитуды этой синусоиды. То есть, если коэффициент усилителя допустим 100, то на выходе мы должны получить туже синусоиду 5В, плюс минус 100 млВ. Причем форма синусоиды должна остаться. Имею ввиду что выделить с нее постоянную составляющую и с ней работать, не пойдет. Возможно ли такое?[/uquote]

Не знаю как в электронике, но в программах для работы со звуком это сделать просто. Нужно синусоиду подать на компрессор с настраиваемым порогом и коэфициэнтом усиления. Но вот изменение в 1 млВ очень маленькое.

Добавлено after 1 minute 29 seconds:
Доброго времени!
В сервоприводе (например, SG90) только один сигнальный провод. А есть ли в нем обратная связь? Если нет, то мне непонятно, как в нем осуществляется точное позиционирование при длительной работе. Ведь в процессе поворотов должны накапливаться погрешности.

[oleg63m]

детектировать АМ, затем усилить то, что получили и промодулировать уже им частоту равную несущей, или сам входной сигнал.
геморно, но возможно

[korob]

А есть ли в нем обратная связь? Если нет, то мне непонятно, как в нем осуществляется точное позиционирование

Внутри схемы управления естественно есть. А вот внешней нет. Всю задачу по точному позиционированию берёт на себя внутренняя схема управления с обратной связью (с переменным резистором в качестве датчика угла поворота), которая в зависимости от длительности управляющих импульсов поступающих с частотой 50Гц., устанавливает выходной вал в необходимое положение.

[КРАМ]

[uquote="markelan",url="/forum/viewtopic.php?p=3493650#p3493650"]Возможно ли каким то способом пропустить эту синусоиду через усилитель, но таким способом, что бы усилитель усиливал только изменения амплитуды этой синусоиды.[/uquote]
Это означает увеличение глубины модуляции. В простейшем случае можно режектировать несущую. Но реальные способы определяются частотами несущей и сигнала.
Но лучше, если автор ознакомит с целью, для достижения которой и потребовался столь странный способ обработки сигнала.