[uquote="markelan",url="/forum/viewtopic.php?p=3493650#p3493650"]Возможно ли каким то способом пропустить эту синусоиду через усилитель, но таким способом, что бы усилитель усиливал только изменения амплитуды этой синусоиды. То есть, если коэффициент усилителя допустим 100, то на выходе мы должны получить туже синусоиду 5В, плюс минус 100 млВ. Причем форма синусоиды должна остаться. Имею ввиду что выделить с нее постоянную составляющую и с ней работать, не пойдет. Возможно ли такое?[/uquote]
Это случай амплитудной модуляции.
Сначала вас спросили известна ли несущая частота. (Света)
Позже вам посоветовали убрать несущую резонансным фильтром, а остаточный сигнал усилить. (КРАМ)
От себя добавлю, если убрать несущую не получается, попробуйте сначала нелинейно усилить сигнал, а после убрать несущую.
Добавлено after 10 minutes 26 seconds:
[uquote="ypppu",url="/forum/viewtopic.php?p=3493229#p3493229"]Вопрос был про
физический смысл прямопропорциональной зависимости емкости от диэл. проницаемости диаэлектрика
Разве разворот молекул-диполей в поверхностном слое приведёт к
прямопропорциональному увеличению ёмкости конденсатора?
По-моему этот эффект в формуле ёмкости не учитывается.[/uquote]
Разворот молекул-диполей происходит во всём объёме диэлектрика, а заряд в диэлектрике образуется только на поверхности, из-за компенсации зарядов внутри диэлектрика.
Учитывается это в коэффициенте электрической проницаемости ε.
При внесении диэлектрика в поле он поляризуется, появляется дополнительная поверхностная плотность заряда с обеих сторон диэлектрика, то есть происходит разделение зарядов диэлектрика.
Увеличение ёмкости конденсатора, вы можете проследить если в рассматриваемой системе вместо внесённого диэлектрика рассмотрите внесение металла, таким образом внесение диэлектрика будет иметь эффект уменьшение расстояние между пластинами.
Что приведёт к увеличению ёмкости конденсатора и соответственно увеличению накопленного заряда.
