[uquote="Velhinho",url="/forum/viewtopic.php?p=3672222#p3672222"]AlexBee,
Вторая схема слишком малого размера, ничего не видно без стирания в ейном урле букв "medium".[/uquote]
А что, стереть - лапы отвалятся?
Velhinho, не могли бы вы объяснить, в чём более правильность схемы со стабилитроном 3,3V на базу транзистора Q1, если о R14 известно что:
"R13, R14 и Q1 образуют цепь отключения для функции пропуска тока, если источник питания -5В падает ниже приблизительно -3,8В.
Q1 будет насыщен R13, закорачивая выход усилителя ошибки U2 на землю, что отключает Q2 и Q4 и понижает выход источника питания до 0 вольт".
Пока мне ясно, что отсутствие R14 или его не верный номинал - это критично:
"...если отключается питание -5В, а оператор не замечает - U2, вероятно, перегреется и выйдет из строя.
Во время тестирования источника питания, который я построил, снятие R14 с печатной платы привело к перегреву U2 менее чем за минуту".
PS Телекот, на стр. 88 - Р1 и Р2 в среднем положении и замеры под нагрузкой (ток 1А).
А схема по ссылке - указано, что при помощи Р1 выставлено 10В а Р2 в среднем положении и замеры без нагрузки.
Последний раз редактировалось AlexBee Сб июл 27, 2019 20:14:38, всего редактировалось 1 раз.
Самое древнее применение стабилитрона 3,3V вместо R14 на базу транзистора Q1 я нашел в 1996 г,
в журнале Elektroinzert. https://clck.ru/HK9Ag Про этот ЛБП Zdroj G400 есть много тем в инете, http://www.ebastlirna.cz/index.php несколько тем на сайте https://svetelektro.com/Forum/vykonova- ... ka-f3.html
От Q1 требуется работа ключом, или закрыт или открыт. Но встречал упоминания в инете, что в реальности так не всегда получается. Схема выпрямителя минуса, мягко говоря, дурненька. Ток в этом выпрямителе проходит через силовой мост. Когда ток через мост (ЛБП) снижается, напряжение минуса падает и на нём появляются пульсации. Плюс напряжение питания ОУ, с которого идет R13, меняется.
Как костылек поставлен R1 2k2, чтобы напряжение минуса не сильно падало. Но чёткого срабатывания делитель R13/R14 при изменении напруг не даст. И у меня есть смутная уверенность, что тот, кто вставил в делитель стабилитрон 3V3 поступил мудро. Хотя полной мудростью будет двуполярное питание ОУ от отдельной обмотки, и естественно другая схема ЛБП, в которой выходное напряжение не зависит от напряжения питания ОУ. В данной схеме ЛБП, на TL081_0-30V / 0,002-3А которая, выходное напряжение зависит от напряжения питания ОУ, что является её недостатком.
Спойлер
Velhinho, хочу уточнить: вместо R13 (10к) ставим 18к и вместо R14 (1к5) - стабилитрон 3v3?
Этого достаточно или еще какие-то схемные переделки нужны для установки стабилитрона? Если надо что-то более радикально менять, то это уже не моё.
[uquote="AlexBee",url="/forum/viewtopic.php?p=3664767#p3664767"]Хотелось бы закрыть для себя тему выбора транзисторов.[/uquote]
В китайских наборах для мощных транзисторов обычно кладут эластичные термопрокладки с очень плохой теплопроводностью. Она может быть 1,5°С/Вт или даже хуже. При рассеивании 60 Вт температура корпуса транзистора при этом окажется на 90°С выше температуры радиатора, так что, скорее всего, даже самый хороший и оригинальный транзистор сгорит. Совсем недавно выложил на муське обзор керамических прокладок из оксида алюминия, если интересно - посмотрите. Для закрытия темы может быть полезно.
В линейных стабилизаторах где транзисторы используются на грани ОБР надо не транзисторы изолировать от радиатора, а радиатор от корпуса. И радиатор должен быть хорошим, толщина основания не меньше 15мм.
Тем кого не устаревает наличия ошибок в моем тексте, оставляю права не пользоваться моими советами или просто не читать мои сообщения.
Телекот писал(а):надо не транзисторы изолировать от радиатора, а радиатор от корпуса.
Я всегда придерживался того же мнения. Но при изготовлении очередного усилителя, ну никак это не сделать было ибо радиатор является боковой стенкой.
От тряпошных китайских сразу отказался и были куплены на митьке прокладки из оксила алюминия (ну иль еще там какой говнизит, сложно верить митинским барыгам).
Нагрузив усилитель приличной мощностью стал мерить температуру фланцев микросхем и температуру радиатора рядом с микросхемой. При фланце 70С перепад относительно радиатора составлял 2-3С примерно. Так что прокладка прокладке рознь.
Усилитель это не БП, в БП транзистор иногда работает на гране ОБР особенно при ограничении тока в режиме КЗ. Так что не о каких там 2-3° и речи нет. При мощности на транзисторе около 50вт температура транзистора и радиатора рядом с транзистором отличается прилично. Если радиатором является часть корпуса устройства то поступаю так же как производители усилителя "радиотехника". Устанавливаю транзистор на пластину без прокладки, а уже саму пластину прижимаю к радиатору через изоляцию, площадь контакта увеличивается многократно. Пластина должна быть не менее 15мм. прокладки можно применять если мощность не велика 20-30Вт на корпус.
Тем кого не устаревает наличия ошибок в моем тексте, оставляю права не пользоваться моими советами или просто не читать мои сообщения.
Мощность для корпуса Multiwatt15 была максимальной, около 50Вт. Я сам не ожидал такого результата. Думал что перепад будет больше...но факт есть факт. Поверхность радиатора конечно была предварительно тщательно зашлифована, а пластинка с двух сторон помазана термопастой.
[uquote="Телекот",url="/forum/viewtopic.php?p=3673607#p3673607"]не о каких там 2-3° и речи нет. При мощности на транзисторе около 50вт температура транзистора и радиатора рядом с транзистором отличается прилично.[/uquote]
Я проводил измерения как раз при мощности 50 Вт, разница между транзистором на термопасте и транзистором на прокладке из оксида алюминия составила 4°С. Ссылка в моем предыдущем сообщении.
[uquote="Телекот",url="/forum/viewtopic.php?p=3673607#p3673607"]Устанавливаю транзистор на пластину без прокладки, а уже саму пластину прижимаю к радиатору через изоляцию, площадь контакта увеличивается многократно.[/uquote]
При этом между пластиной и основным радиатором все равно должна быть термопрокладка. Если это материал с низкой теплопроводностью (вроде Номакона), или слюды (вместе с которой еще потребуется два слоя термопасты), то итоговый результат может оказаться даже хуже, чем одна прокладка непосредственно под транзистором из того же оксида алюминия. Ну а найти керамику на всю площадь такой дополнительной пластины весьма проблематично.
Maxiputra писал(а):Я проводил измерения как раз при мощности 50 Вт, разница между транзистором на термопасте и транзистором на прокладке из оксида алюминия составила 4°С
Она скорее всего на столько отличается если транзистор совсем без прокладки. К сожалению измерить нечем, но температура радиатора на ощупь прилично отличается даже если прокладками не пользоваться. А при применении любой прокладки разница будет ещё больше.
Тем кого не устаревает наличия ошибок в моем тексте, оставляю права не пользоваться моими советами или просто не читать мои сообщения.
Когда радиатор большой то температура его поверхности сильно разная в разных точках. Мерить надо либо на винте крепления, либо в специальном глухом отверстии с противоположной стороны под транзистором/микросхемой. Температура в других точках определяется геометрией радиатора, материалом радиатора, наличием/отсутствием обдува, а не параметрами прокладки.
Maxiputra писал(а):Я проводил измерения как раз при мощности 50 Вт, разница между транзистором на термопасте и транзистором на прокладке из оксида алюминия составила 4°С
Она скорее всего на столько отличается если транзистор совсем без прокладки. К сожалению измерить нечем, но температура радиатора на ощупь прилично отличается даже если прокладками не пользоваться. А при применении любой прокладки разница будет ещё больше.[/uquote]
У меня именно так и получилось - разница между температурами фланца и радиатора рядом с транзистором была 4°С в случае транзистора на хорошей термопасте и 8°С в случае прокладки из оксида алюминия. То есть прокладка добавила 4°С. Но кроме оксида можно без всяких проблем купить прокладки и из нитрида алюминия. Теплопроводность его раз в 6-8 раз выше, соответственно, её влияние будет совсем мизерным. Они не дешевы - примерно доллар за штуку, но ведь и дополнительная пластина толщиной 15 мм далеко не у каждого есть в наличии, а покупать так еще дороже выйдет. И, повторюсь, результат может оказаться даже хуже.
Добавлено after 2 minutes 32 seconds:
[uquote="kentgaryk",url="/forum/viewtopic.php?p=3673675#p3673675"]Когда радиатор большой то температура его поверхности сильно разная в разных точках. Мерить надо либо на винте крепления, либо в специальном глухом отверстии с противоположной стороны под транзистором/микросхемой. Температура в других точках определяется геометрией радиатора, материалом радиатора, наличием/отсутствием обдува, а не параметрами прокладки.[/uquote]
Я измерял в нескольких мм от фланца. Понятно, что непосредственно под фланцем будет выше хотя бы в силу конечной теплопроводности алюминия. Но мне было важно оценить вклад прокладки, в этом случае можно измерять и так.
Я измеряю обычно на головке винта, он отделен от фланца низкотеплопроводной изолирующей прокладкой, а с радиатором в непосредственном контакте, но главное тут аккуратность ибо легко можно устроить КЗ прижимая термопару к головке.
[uquote="kentgaryk",url="/forum/viewtopic.php?p=3673689#p3673689"]Я измеряю обычно на головке винта[/uquote]
В следующий раз попробую взять болт из латуни и на нем измерить.
Последний раз редактировалось Maxiputra Ср июл 31, 2019 05:39:58, всего редактировалось 1 раз.
Ну в принципе можно не измерять. Зная теплопроводность, толщину, и площадь прокладки, рассчитываем тепловое сопротивление и затем превышения температуры к примеру корпуса ТО220 с площадью 0,000108м^2.
Тем кого не устаревает наличия ошибок в моем тексте, оставляю права не пользоваться моими советами или просто не читать мои сообщения.
