У меня к вам небольшой вопрос.
нужно сделать ключ на P-канальном транзисторе, для импульсного источника питания. Есть в наличии IRLML6402 / в SOT23 корпусе. сам транзистор вроде как выдерживает продолжительный ток исток - сток больше 3 Ампер. (точнее минус 3 Ампер, т.к. P-канал)
но при этом термосопротивление корпуса 0.01 Вт/Градус, т.е. 100 Градусов/Вт. получается при таком большом токе и напряжении 5Вольт (и токе 3 Ампера), теоретически кристалл нагреется до 1500 градусов
или я в чем то ошибаюсь?
и главный вопрос, можно ли подключить параллельно несколько транзисторов, для снижения нагрева каждого из них?
надеюсь понятно объяснил:)
ЗЫ. Вроде разобрался
Вопрос про параллельное включение в силе.


